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기판처리 장치 및 기판처리 방법

  • 기술번호 : KST2014022036
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 중성빔 발생장치로 생성된 중성빔을 이용하여, ALD 또는 ALD-LIKE-CVD 공정에서 평탄막 또는 트랜치 사이를 채우는 산화막을 심(Seam) 또는 보이드(Void) 없이 고르게 증착시켜 균일성 및 밀도를 높일 수 있으며, 이에 따라 ALD 및 ALD - LIKE CVD 장치에 따른 산화막을 실시간으로 처리함으로써, 고밀도의 평탄막 또는 65nm 이하의 얕은 트랜치(Shallow Trench) 형성에 따른 보이드(Void), 심(Seam) 문제 또는 저밀도 문제를 해결할 수 있고, 차세대 반도체 산화막 분리 공정을 향상시킬 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하기 위한 것이다. 그 기술적 구성은 반도체 기판 내 패턴을 형성하기 위하여, 산화막을 증착시키는 ALCVD 장치와 상기 패턴 간에 증착되는 산화막의 심(Seam) 또는 보이드(Void)를 제거하기 위하여, 이온빔을 중성빔으로 변환하고, 상기 중성빔을 상기 패턴을 위해 증착되는 산화막에 조사하여 표면처리하는 중성빔 발생부를 포함하는 것을 그 특징으로 한다. 이온, 소스, 중성빔, 갭-필, ALD, CVD, 산화막, 반도체, 트랜치
Int. CL C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080012330 (2008.02.11)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0988390-0000 (2010.10.11)
공개번호/일자 10-2009-0086841 (2009.08.14) 문서열기
공고번호/일자 (20101018) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020090030011;
심사청구여부/일자 Y (2008.02.11)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울특별시 송파구
2 박병재 대한민국 충남 계룡시
3 김성우 대한민국 서울 마포구
4 임종태 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 윤여표 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길 *, ***호(방배동,정암빌딩)(웰컨설팅(분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0100508-84
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.02.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0101763-88
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0866761-73
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2009-0016331-94
6 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2009.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0209350-79
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.04.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0209339-76
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0013937-33
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0157231-15
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0230994-68
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.05.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0304796-93
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0304797-38
13 등록결정서
Decision to grant		 2010.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0386689-52
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 내 평탄막 또는 패턴을 형성하기 위하여, 산화막을 증착시키는 ALCVD 장치 및 상기 평탄막의 밀도 향상 및 패턴 간에 증착되는 산화막의 심(Seam) 또는 보이드(Void)를 제거하기 위하여, 이온빔을 중성빔으로 변환하고, 상기 중성빔을 상기 패턴을 위해 증착되는 산화막에 조사하여 표면처리하는 중성빔 발생부를 포함하며, 상기 산화막의 증착과 상기 중성빔의 조사가 실행되며, 상기 패턴은 트랜치 패턴인 것을 특징으로 하는 기판처리장치
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 트랜치의 폭은 65 nm 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리장치
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 트랜치의 가로세로비는 10:1 이상인 것을 특징으로 하는 기판처리장치
5 5
삭제
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 중성빔 발생부는 상기 이온빔을 생성하기 위한 가스가 주입되면, 상기 가스로부터 극성을 가지는 이온빔을 생성하는 이온 소스부, 상기 이온 소스부의 일측 단부에 마련된 그리드, 상기 그리드에 대응되어 구비되며, 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체 및 상기 중성빔의 진행 경로 상에 피처리 기판인 웨이퍼가 위치되는 스테이지를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 중성빔 발생부에 주입되는 상기 가스는 비활성 기체 또는 질소 계열 기체 또는 산소 계열 기체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판처리장치
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 반도체 기판은 STI 또는 ILD 또는 PMD 또는 IMD 공정에 이용되는 산화막 계열인 것을 특징으로 하는 기판처리장치
9 9
이온빔을 생성하기 위하여 가스를 주입하는 단계, 주입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 단계, 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 단계, 반도체 기판 내에 평탄막 또는 패턴을 형성하기 위하여 산화막을 증착시키는 단계 및 상기 중성빔을 반도체 기판 내의 산화막에 조사하는 단계를 포함하고, 상기 산화막은 상기 반도체 기판에 형성된 평탄막 또는 패턴에 증착되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 패턴은 트랜치 패턴인 것을 특징으로 하는 기판처리방법
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 트랜치의 폭은 65 nm 이하인 것을 특징으로 하는 기판처리방법
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 트랜치의 가로세로비는 10:1 이상인 것을 특징으로 하는 기판처리방법
13 13
삭제
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020090086924 KR 대한민국 FAMILY
2 US07799706 US 미국 FAMILY
3 US20090203226 US 미국 FAMILY

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1 US2009203226 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7799706 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.