맞춤기술찾기

이전대상기술

엑스선 영상센서용 유연한 검출소자 및 그 제작방법

  • 기술번호 : KST2014022154
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 엑스선 영상센서용 유연한 유기광검출소자 및 그 제작방법에 대한 것으로서, 더욱 상세하게는 곡면의 구조를 촬영할 때 영상왜곡을 방지하기 위하여 유연하게 휘어질 수 있는 엑스선 영상센서용 유기광검출소자 및 제작방법에 대한 것이다. 본 발명의 일 측면에 따른 유연한 유기광검출소자는 폴리머평판과, 복수의 포토다이오드 유닛과, 코팅층과, 폴리머보호층을 포함한다. 상기 포토다이오드 유닛은 투명한 미세 전도성 박막패턴층과, 상기 전도성 박막패턴층의 일면에 결합한 유기 반도체 박막패턴층과, 상기 유기 반도체 박막패턴층의 일면에 결합한 금속 박막패턴층을 구비한다. 그리고 상기 포토다이오드 유닛은 상기 전도성박막패턴층이 상기 폴리머평판에 결합하도록 복수 개가 배열된다. 상기 코팅층은 상기 포토다이오드 유닛을 보호하기 위하여 상기 포토다이오드 유닛을 코팅한다. 상기 폴리머보호층은 상기 포토다이오드 유닛을 감싸도록 상기 폴리머평판의 일면에 결합한다. 엑스선, 영상센서, 유연한 유기광검출소자
Int. CL H01L 31/101 (2006.01) H01L 31/09 (2006.01)
CPC H01L 51/44(2013.01) H01L 51/44(2013.01) H01L 51/44(2013.01) H01L 51/44(2013.01)
출원번호/일자 1020080052397 (2008.06.04)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0992702-0000 (2010.11.01)
공개번호/일자 10-2009-0126357 (2009.12.09) 문서열기
공고번호/일자 (20101105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.06.04)
심사청구항수 14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고종수 대한민국 부산광역시 해운대구
2 정필구 대한민국 부산광역시 금정구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인다인 대한민국 경기도 화성시 동탄기흥로*** 더퍼스트타워쓰리제**층 제****호, 제****-*호

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0399885-04
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0289061-32
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0047320-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0066440-85
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0246410-46
7 등록결정서
Decision to grant
2010.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0343912-09
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
폴리머평판과, 투명한 미세 전도성 박막패턴층과, 정공수송층(Hole transfer layer)과 상기 정공수송층의 일면에 결합한 활성층(Active layer)과 상기 활성층의 일면에 결합한 전자수송층(Electron transfer layer)을 구비하여 상기 전도성 박막패턴층의 일면에 결합한 유기 반도체 박막패턴층과, 상기 유기 반도체 박막패턴층의 일면에 결합한 금속 박막패턴층을 구비하며, 상기 전도성박막패턴층이 상기 폴리머평판에 결합하도록 복수 개가 배열된 포토다이오드 유닛과, 상기 포토다이오드 유닛을 보호하기 위하여 상기 포토다이오드 유닛을 코팅한 코팅층과, 상기 포토다이오드 유닛을 감싸도록 상기 폴리머평판의 일면에 결합한 폴리머보호층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연한 유기광검출소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 폴리머보호층의 일면에 결합한 폴리머기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유연한 유기광검출소자
3 3
제2항에 있어서, 다른 폴리머평판과, 전도성박막패턴층이 상기 다른 폴리머평판에 결합하도록 복수 개가 배열된 다른 포토다이오드 유닛과, 상기 다른 포토다이오드 유닛을 보호하기 위하여 상기 다른 포토다이오드 유닛을 코팅한 다른 코팅층과, 상기 다른 포토다이오드 유닛을 감싸도록 일면이 상기 다른 폴리머평판의 일면에 결합하고 타면이 상기 폴리머기판의 일면에 결합한 다른 폴리머보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유연한 유기광검출소자
4 4
제2항에 있어서, 다른 폴리머평판과, 전도성 박막패턴층이 상기 다른 폴리머평판에 결합하며, 상기 포토다이오드 유닛과 엇갈리도록 복수개가 배열된 다른 포토다이오드 유닛과, 상기 다른 포토다이오드 유닛을 보호하기 위하여 상기 다른 포토다이오드 유닛을 코팅한 다른 코팅층과, 일면이 상기 다른 포토다이오드 유닛을 감싸도록 상기 폴리머보호층의 일면에 결합하고, 타면이 상기 폴리머평판의 타면에 결합한 다른 폴리머보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유연한 유기광검출소자
5 5
제1항 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 포토다이오드 유닛은 상기 미세 전도성 박막패턴층에 연결된 제1전선과, 상기 금속 박막패턴층에 연결된 제2전선을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유연한 유기광검출소자
6 6
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 포토다이오드 유닛에 있어서, 상기 미세 전도성 박막패턴층은 일측이 연장하여 제1전선패턴이 형성되며, 상기 금속박막패턴층은 일측이 연장하여 제2전선패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 유연한 유기광검출소자
7 7
폴리머평판과, 상기 폴리머평판의 일면에 결합한 투명한 미세 전도성 박막층과, 정공수송층(Hole transfer layer)과 상기 정공수송층의 일면에 결합한 활성층(Active layer)과 상기 활성층의 일면에 결합한 전자수송층(Electron transfer layer)을 구비하여 상기 전도성 박막층의 일면에 결합한 유기 반도체 박막패턴층과, 상기 유기 반도체 박막패턴층의 일면에 결합한 금속 박막패턴층을 구비하며, 복수 개가 배열된 포토다이오드 유닛과, 상기 포토다이오드 유닛을 보호하기 위하여 상기 포토다이오드 유닛을 코팅한 코팅층과, 상기 포토다이오드 유닛을 감싸도록 상기 폴리머평판의 일면에 결합한 폴리머보호층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연한 유기광검출소자
8 8
제1몰드기판의 일면에 폴리머 박판층을 형성하는 폴리머평판 형성단계와, 상기 폴리머평판의 일면에 투명한 미세 전도성 박막패턴층을 형성하는 전도성 박막패턴 형성단계와, 상기 투명한 미세 전도성 박막패턴층의 일면에 미세 유기반도체 박막패턴층을 형성하는 유기반도체 박막패턴 형성단계와, 상기 미세 유기반도체 박막패턴층의 일면에 미세 금속 박막패턴층을 형성하는 금속 박막패턴 형성단계와, 소자보호용 박막으로 상기 금속 박막패턴층이 형성된 폴리머평판의 일면을 코팅하는 단계와, 상기 금속 박막패턴층을 감싸도록 상기 폴리머평판의 일면에 폴리머보호층을 형성하는 단계와, 상기 제1몰드기판을 분리하여 유기광검출소자를 형성하는 유기광 검출소자 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연한 유기광검출소자 제작방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 유기광 검출소자 형성단계는 일정한 온도와 일정한 압력을 가하여 상기 상기 폴리머평판의 일면을 폴리머기판에 압입하여 상감하는 압입상감단계와, 상기 폴리머평판과 폴리머 기판을 동시에 급속 냉각한 후 상기 제1몰드기판을 분리하는 냉각분리단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연한 유기광검출소자 제작방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 유기광검출소자 형성단계는 상기 전도성 박막패턴층과 금속박막패턴층이 상기 폴리머기판의 일면에서 다단으로 배치하도록 상기 압입상감단계와, 상기 냉각분리단계를 반복하는 것을 특징으로 하는 유연한 유기광검출소자 제작방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 압입상감단계는 상기 폴리머평판을 상기 폴리머기판의 양면에 압입하여 상감하는 것을 특징으로 하는 유연한 유기광검출소자 제작방법
12 12
제8항에 있어서, 상기 전도성 박막패턴 형성단계는 일측에 제1전선패턴이 형성되도록 미세 전도성 박막패턴층을 형성하며, 상기 금속 박막패턴 형성단계는 일측에 제2전선패턴이 형성되도록 금속박막패턴층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유연한 유기광검출소자 제작방법
13 13
제8항에 있어서, 상기 전도성 박막패턴 형성단계는 일측에 제1전선패턴이 형성되도록 미세 전도성 박막패턴층을 형성하며, 상기 금속 박막패턴 형성단계는 일측에 제2전선패턴이 형성되도록 금속박막패턴층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유연한 유기광검출소자 제작방법
14 14
제8항에 있어서, 상기 전도성 박막패턴 형성단계는 일정한 패턴이 형성된 섀도우마스크를 유기용매에 대한 비반응성 폴리머박막이 코팅된 제2몰드기판의 일면에 고정시키는 단계와, 상기 제2몰드기판의 일면에 상기 일정한 패턴으로 투명한 전도성 폴리머용액을 코팅하는 단계와, 상기 섀도우마스크를 제거한 후 상기 제2몰드기판의 일면에 코팅된 상기 폴리머용액을 상기 폴리머평판의 일면에 고정시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연한 유기광검출소자 제작방법
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.