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은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질의 제조 방법 및 이를이용한 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2014022279
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노-이온 메모리 소자가 제공된다. 이 메모리 소자는 기판, 기판 상에 제공되되 화학적으로 비활성인 하부 전극, 하부 전극 상에 제공되되 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질을 포함하는 고상의 전해질층 및 전해질층 상에 제공되되 산화 가능한 상부 전극을 포함한다. 나노, 나노-이온, 비휘발성, 메모리, 도전성 브리지
Int. CL B82B 3/00 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020080032592 (2008.04.08)
출원인 이화여자대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0982552-0000 (2010.09.09)
공개번호/일자 10-2009-0107203 (2009.10.13) 문서열기
공고번호/일자 (20100916) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.08)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 이화여자대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조윌렴 대한민국 서울 강남구
2 정아름 대한민국 서울 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 이화여자대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0252674-19
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0051674-11
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0175780-70
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0175775-41
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0385221-31
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0566842-73
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.09.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0566843-18
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0395488-93
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번호 청구항
1 1
텔룰라이드계 벌크 타깃이 장착된 어블레이션 챔버를 준비하는 것; 빔 발생부로부터 상기 벌크 타깃에 에너지 빔을 조사하여 텔룰라이드계 나노 입자를 발생시키는 것; 상기 어블레이션 챔버에 캐리어 가스를 제공하여, 발생된 상기 텔룰라이드계 나노 입자를 은 입자를 포함하는 열 처리부로 이송하는 것; 및 상기 캐리어 가스에 의해 이송된 상기 텔룰라이드계 나노 입자와 상기 열 처리부에 포함된 상기 은 입자를 반응시켜 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질을 형성하는 것을 포함하는 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 빔 발생부는 아르곤 플루오라이드 엑시머 레이저, 크립톤 플루오라이드 엑시머 레이저, 크세논 클로라이드 엑시머 레이저 및 큐-스위치 엔디야그 레이저 중에서 선택된 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질의 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 텔룰라이드계 나노 입자와 상기 은 입자를 반응시키는 것은 상기 열처리부에서 열처리하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질의 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 열처리부는 상온에서 1,000℃ 범위의 온도를 갖는 것을 특징으로 하는 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질의 제조 방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 열처리부는 200~500℃ 범위의 온도를 갖는 것을 특징으로 하는 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질의 제조 방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 캐리어 가스의 압력에 의해 상기 어블레이션 챔버 및 상기 열처리부의 압력이 조절되는 것을 특징으로 하는 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질의 제조 방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 캐리어 가스의 흐름 속도에 의해 상기 열처리 시간이 조절되는 것을 특징으로 하는 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질의 제조 방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질은 Ag8(Sb,As)Te2S3, (Au,Ag)4Cu(Te,Pb), AgCu7Te10, Ag8(Sn,Ge)(S,Te)6, Ag4TeS, AgTe, Ag3Cu4Te4, Ag2Te, (Pd,Ag)2Te, Ag8Fe3+Te2S4, (Au,Ag)Te2, Ag3HgPbSbTe5, (Au,Ag)Te, Ag3AuTe2, Zn6Cu3(TeO6)2(OH)6·AgxPbyClx+2y(x 및 y는 자연수), Ag4Pd3Te4, Ag7Te4, (Au,Ag)2Te4, (Pd,Ag)3(Te,Bi), Ag8(Sn,Ge)(S,Te)6, Ag9SbTe3(S,Se)3, Ag16FeBiTe3S8, Pd6AgTe4 및 AgBiTe2 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질의 제조 방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질을 기판 장착부에 장착된 기판 상에 증착하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질의 제조 방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질을 상기 기판 상에 증착하는 것은 vapor-liquid-solid법 또는 vapor-solid법을 이용하는 것을 특징으로 하는 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질의 제조 방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질은 나노 입자 형태 또는 나노 로드 형태로 증착되는 것을 특징으로 하는 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질의 제조 방법
12 12
기판; 상기 기판 상에 제공되되, 화학적으로 비활성인 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 제공되되, 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질을 포함하는 고상의 전해질층; 및 상기 전해질층 상에 제공되되, 산화 가능한 제 2 전극을 포함하되, 상기 전해질층은 그래시 절연 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노-이온 메모리 소자
13 13
제 12항에 있어서, 상기 제 1 전극은 백금, 알루미늄, 금, 티탄, 텅스텐, 바나듐, 니오븀, 탄탈, 크롬, 몰리브덴, 이들 금속의 질화물, 이들 금속의 실리사이드 및 이들의 조합물 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노-이온 메모리 소자
14 14
제 12항에 있어서, 상기 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질은 Ag8(Sb,As)Te2S3, (Au,Ag)4Cu(Te,Pb), AgCu7Te10, Ag8(Sn,Ge)(S,Te)6, Ag4TeS, AgTe, Ag3Cu4Te4, Ag2Te, (Pd,Ag)2Te, Ag8Fe3+Te2S4, (Au,Ag)Te2, Ag3HgPbSbTe5, (Au,Ag)Te, Ag3AuTe2, Zn6Cu3(TeO6)2(OH)6·AgxPbyClx+2y(x 및 y는 자연수), Ag4Pd3Te4, Ag7Te4, (Au,Ag)2Te4, (Pd,Ag)3(Te,Bi), Ag8(Sn,Ge)(S,Te)6, Ag9SbTe3(S,Se)3, Ag16FeBiTe3S8, Pd6AgTe4 및 AgBiTe2 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노-이온 메모리 소자
15 15
제 14항에 있어서, 상기 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질은 나노 입자 형태 또는 나노 로드 형태인 것을 특징으로 하는 나노-이온 메모리 소자
16 16
삭제
17 17
제 12항에 있어서, 상기 그래시 절연 물질은 SiO2, SiN, Si3N4, α-SiAlON, β-SiAlON, SiC, Al2O3, AlN, BeO, MgO, TiO2, TiCN, ZrO2, 3Al2O3·2SiO2 및 MgAl2O4 중에서 선택된 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노-이온 메모리 소자
18 18
제 12항에 있어서, 상기 제 2 전극은 구리, 은, 스칸듐, 망간, 철, 코발트, 니켈, 아연, 마그네슘, 칼슘 및 바륨 중에서 선택된 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노-이온 메모리 소자
19 19
기판; 상기 기판 상에 제공되되, 산화 가능한 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 제공되되, 층간 절연막에 의해 서로 이격된 도전성 비아 및 은 도핑된 텔룰라이드계 나노 물질을 포함하는 고상의 전해질층; 및 상기 도전성 비아 및 상기 전해질층 상에 각각 제공되되, 화학적으로 비활성인 제 2 전극 및 제 3 전극을 포함하되, 상기 전해질층은 그래시 절연 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노-이온 메모리 소자
20 20
제 19항에 있어서, 상기 제 1 전극은 게이트 전극 역할을 하고, 상기 제 2 전극 및 상기 제 3 전극은 각각 소오스 영역 및 드레인 영역 역할을 하는 것을 특징으로 하는 나노-이온 메모리 소자
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1 US09029248 US 미국 FAMILY
2 US20110024715 US 미국 FAMILY
3 WO2009125904 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 US2011024715 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9029248 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2009125904 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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