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갈바니 치환반응을 이용하여 표면 증강 라만 산란이 향상된 금 나노구조체의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 금 나노구조체

  • 기술번호 : KST2014022283
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 갈바니 치환반응을 이용하여 표면 증강 라만 산란이 향상된 금 나노구조체의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 금 나노구조체에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 실리콘 웨이퍼에 PS-b-P2VP 역마이셀을 스핀코팅하여 단분자막을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 단분자막을 P2VP를 선택적으로 용해시키는 용제로 처리하여 나노기공을 가지는 블록공중합체 템플레이트를 제조하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 제조된 블록공중합체 템플레이트를 도금용액으로 갈바니 치환반응시켜 금을 증착하는 단계(단계 3)를 포함하는 표면 증강 라만 산란이 향상된 금 나노구조체의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 금 나노구조체의 제조방법은 갈바니 치환반응으로 블록공중합체에 금을 증착하여 버섯 모양의 금 나노구조체를 제조하는 방법으로 종래의 고온 처리 공정과 건식 식각 공정이 포함되지 않아 단순한 방법으로 금 나노구조체를 제조할 수 있고, 상기 금 나노구조체의 상부가 인접하거나 결합하여 형성되는 다수의 국소전기장(핫스팟)에 의해 표면 증강 라만 분산이 향상되므로, 화학물질, 바이오 물질 및 질병 진단용 센서 등에 유용하게 사용할 수 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020090060675 (2009.07.03)
출원인 이화여자대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1027524-0000 (2011.03.30)
공개번호/일자 10-2011-0003076 (2011.01.11) 문서열기
공고번호/일자 (20110406) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 이화여자대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동하 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 이화여자대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0407564-21
2 등록결정서
Decision to grant		 2011.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0171228-87
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번호 청구항
1 1
실리콘 웨이퍼에 PS-b-P2VP 역마이셀을 스핀코팅하여 단분자막을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 단분자막을 P2VP를 선택적으로 용해시키는 용제로 처리하여 나노기공을 가지는 블록공중합체 템플레이트를 제조하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 제조된 블록공중합체 템플레이트를 도금용액으로 갈바니 치환반응시켜 금을 증착하는 단계(단계 3)를 포함하는 표면 증강 라만 산란이 향상된 금 나노구조체의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 스핀코팅은 톨루엔 용매에 0
3 3
제1항에 있어서, 상기 단계 1에서 제조된 단분자막의 P2VP를 용해시키는 용매는 아세트산, 플루오르화 수소산, 메탄올 및 에탄올로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 산란이 향상된 금 나노구조체의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 단계 3의 도금용액은 NaAuCl4 및 LiAuCl4로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것과 플루오르화 수소산의 혼합용액인 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 산란이 향상된 금 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 3의 갈바니 치환반응 시간은 20 - 35 초 동안인 것을 특징으로 하는 표면 증강 라만 산란이 향상된 금 나노구조체의 제조방법
6 6
실리콘 웨이퍼에 PS-b-P2VP 역마이셀을 스핀코팅하여 제조된 단분자막으로부터 P2VP를 선택적으로 용해시키고, 팽윤된 P2VP에 의해 이웃 PS 외주면이 코팅되고, P2VP가 제거된 공간을 나노기공으로 갖는 블록공중합체 템플레이트에 도금용액으로 갈바니 치환반응을 수행하여 금을 증착하여 제조되되, 상기 금 증착은 나노기공부의 중심에서 증착높이가 최대가 되고 나노기공과 나노기공에 존재하는 PS 상부에서 증착높이가 최저가 되어 버섯 모양으로 형성되는 것을 특징으로 하는 금 나노구조체
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 이화여자대학교 산학협력단 일반연구자지원사업 (구 특정기초연구사업) 혼합형 저차원 하이브리드 고분자-무기물 나노플라즈몬 소재의 구조 제어 및 응용