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나노입자 어셈블리 기반의 스위칭 소자 및 이의 제조 방법
- 기술번호 : KST2014022332
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 본 발명은 나노입자를 이용하여 제조되는 스위칭 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 보다 편리하고 경제적인 방법으로 1 mA 미만의 범위의 전류 값 및 상온(25°C) ± 250°C에서 가역적인 스위칭 효과를 나타내는 나노입자를 이용하여 스위칭 소자(예, 멤리스터(memristor))를 대량 생산할 수 있다. 나노입자 어셈블리에 기초한 멤리스터의 높은 가능성에 대한 예측은 크기, 조성, 차원, 표면적 및 화학포텐셜과 같은 이들의 나노스케일 특성을 조절함에 따른 나노입자의 전기적 효과 조절의 다능성에 의해 지지된다.스위칭 소자(switching device), 멤리스터(memristor), 나노입자, 어셈블리 (assembly) |
|---|---|
| Int. CL | H01H 1/021 (2006.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) H01L 27/02 (2006.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020090116250 (2009.11.27) |
| 출원인 | 연세대학교 산학협력단, 이화여자대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1210548-0000 (2012.12.04) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0061405 (2010.06.07) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20121210) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 |
대한민국 | 1020080118696 | 2008.11.27
|
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2009.11.27) |
| 심사청구항수 | 19 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
| 2 | 이화여자대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 천진우 | 대한민국 | 서울특별시 양천구 |
| 2 | 김태희 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
| 3 | 장정탁 | 대한민국 | 서울특별시 마포구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 양부현 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 오금로 **, 태원빌딩 **층, 특허팀(주식회사씨젠) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 연세대학교 산학협력단 | 서울특별시 서대문구 | |
| 2 | 이화여자대학교 산학협력단 | 서울특별시 서대문구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.11.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0733851-33 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.04.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.05.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0042079-95 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.07.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0402617-97 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2011.09.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0730151-25 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.10.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0821920-31 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.10.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0821901-74 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5252006-10 |
| 9 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2012.03.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0192632-91 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.05.30 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2012-0433436-33 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.05.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0433432-51 |
| 12 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.10.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0658827-94 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 MxFeyOz (M = Zn, Mn, Fe, Co 또는 Ni를 포함하는 전이 금속으로부터 선택되는 1종 이상의 원소; 0≤x≤8; 0003c#y≤8; 0003c#z≤8), ZnwMxFeyOz (M = Mn, Fe, Co 또는 Ni를 포함하는 전이 금속으로부터 선택되는 1종 이상의 원소; 0003c#w≤8; 0003c#x≤8; 0003c#y≤8; 0003c#z≤8), 또는 이들의 다성분 혼성체인 복수의 나노입자를 포함하는 나노입자 어셈블리를 포함하며, 상기 나노입자는 초음파 처리(sonication), 세척 또는 초음파 처리 및 세척을 통해 표면처리된 것을 특징으로 하는 스위칭 소자 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 전류, 전압 또는 자기장에 의한 유도 스위칭 효과를 나타내는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 상온 (25℃) ± 250℃의 작동 온도에서 가역적인 스위칭 효과를 나타내는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 1 mA 미만의 범위의 전류 값에서 가역적인 스위칭 효과를 나타내는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 스위칭 소자는 ROFF/RON [ROFF는 오프 (OFF) 상태의 저항이고, RON은 온 (ON) 상태의 저항임]이 1 초과인 것을 특징으로 하는 스위칭 소자 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 나노 입자 어셈블리는 나노 입자간의 간격이 10 nm 이하인 것을 특징으로 하는 스위칭 소자 |
| 7 |
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| 8 |
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| 9 |
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| 10 |
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| 11 |
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| 12 |
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| 13 |
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| 14 |
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| 15 |
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| 16 |
16 삭제 |
| 17 |
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| 18 |
18 제 1 항에 있어서, 상기 나노입자는 (ⅰ) 구형, 코어-쉘 및 다중-코어 쉘 구조로 이루어진 군으로부터 선택되는 0차원 구조; (ⅱ) 막대, 바코드, 코어-쉘 동축 막대 및 다중-코어 쉘 동축 막대 구조로 이루어진 군으로부터 선택되는 1차원 구조; (ⅲ) 판상, 레이어 및 다중-성분 판상 구조로 이루어진 군으로부터 선택되는 2차원 구조; 또는 (ⅳ) 가지(branched) 구조, 덴드라이트 구조, 아령 구조 및 다중막대 (multi-pod) 구조로 이루어진 군으로부터 선택되는 3차원 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자 |
| 19 |
19 제 1 항에 있어서, 상기 나노 입자는 2 내지 500 nm의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자 |
| 20 |
20 삭제 |
| 21 |
21 제 1 항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 멤리스터 (memristor)인 것을 특징으로 하는 스위칭 소자 |
| 22 |
22 나노입자 어셈블리를 포함하는 스위칭 소자의 제조 방법으로서,(a) MxFeyOz (M = Zn, Mn, Fe, Co 또는 Ni를 포함하는 전이 금속으로부터 선택되는 1종 이상의 원소; 0≤x≤8; 0003c#y≤8; 0003c#z≤8), ZnwMxFeyOz (M = Mn, Fe, Co 또는 Ni를 포함하는 전이 금속으로부터 선택되는 1종 이상의 원소; 0003c#w≤8; 0003c#x≤8; 0003c#y≤8; 0003c#z≤8), 또는 이들의 다성분 혼성체인 나노입자를 합성하는 단계;(b) 상기 나노입자를 초음파 처리(sonication), 세척 또는 초음파 처리 및 세척을 하는 단계;(c) 상기 나노 입자를 이용하여 나노 입자 어셈블리를 형성하는 단계; 및(d) 상기 나노입자 어셈블리에 전류, 전압 또는 자기장을 가할 수 있는 수단을 접속시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자의 제조 방법 |
| 23 |
23 제 22 항에 있어서, 상기 단계 (a)는 기상(gas phase)에서 또는 수용액, 유기용액, 또는 다용액계 를 포함하는 액상(liquid phase)에서 나노 입자를 합성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자의 제조 방법 |
| 24 |
24 제 22 항에 있어서, 상기 단계 (a)는 금속 선구 물질을 계면활성제 또는 계면활성제 함유 용매에 첨가하여 혼합 용액을 제조한 후, 상기 혼합 용액을 50 ～ 600 ℃로 가열하여 상기 금속 선구물질을 열분해시켜 금속 나노입자를 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자의 제조 방법 |
| 25 |
25 삭제 |
| 26 |
26 제 24 항에 있어서, 상기 계면활성제는 유기산, 유기 아민, 알칸 티올, 포스폰산, 트리옥틸 포스핀 옥사이드이거나 트리부틸 포스핀, 알킬 설페이트, 알킬 포스페이트 또는 테트라알킬 암모늄 할라이드인 것을 특징으로 하는 스위칭 소자의 제조 방법 |
| 27 |
27 제 24 항에 있어서, 상기 용매는 에테르계 화합물, 탄화수소류, 유기 산, 유기 아민 또는 알칸 티올인 것을 특징으로 하는 스위칭 소자의 제조 방법 |
| 28 |
28 제 24 항에 있어서,상기 선구물질 또는 계면 활성제의 농도, 용매의 양, 반응 온도, 반응 시간 을 조절하여 나노입자의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자의 제조 방법 |
| 29 |
29 삭제 |
| 30 |
30 제 22 항에 있어서,상기 단계 (b)는 알칼리 용액의 존재 하에서 실시되는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자의 제조 방법 |
| 31 |
31 제 30 항에 있어서, 상기 알칼리 용액은 알킬암모늄, 알킬암모늄 하이드록사이드, 알킬암모늄 할라이드, 알킬포스핀, 알킬포스핀 하이드록사이드 및 알킬포스핀 할라이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 알칼리 화합물 [여기서, 알킬은 CnH2n+1 (0003c#n≤5)]를 포함하는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자의 제조 방법 |
| 32 |
32 삭제 |
| 33 |
33 제 22 항에 있어서,상기 나노 입자 어셈블리의 형성은 압착, LB (Langmuir Blodgett), LBL (layer by layer), 프린트, 자가 조립 (self-assembly) 또는 용액 증발법 (solution evaporation)에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자의 제조 방법 |
| 34 |
34 제 33 항에 있어서,상기 나노 입자 어셈블리의 형성은 나노 입자를 100 Pa 이상의 압력 하에서 압착하는 것을 특징으로 하는 스위칭 소자의 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | WO2010062127 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
| 2 | WO2010062127 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | WO2010062127 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 2 | WO2010062127 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
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| 특허 등록번호 | 10-1210548-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20091127 출원 번호 : 1020090116250 공고 연월일 : 20121210 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121031 청구범위의 항수 : 19 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : 나노입자 어셈블리 기반의 스위칭 소자 및 이의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20191205 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구... |
| 1 |
(권리자) 이화여자대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 393,000 원 | 2012년 12월 05일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 320,600 원 | 2015년 12월 01일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 320,600 원 | 2016년 12월 01일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 320,600 원 | 2017년 11월 28일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 447,990 원 | 2019년 02월 18일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.11.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0733851-33 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.04.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2011.05.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0042079-95 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2011.07.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0402617-97 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2011.09.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0730151-25 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.10.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0821920-31 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.10.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0821901-74 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5252006-10 |
| 9 | 최후의견제출통지서 | 2012.03.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0192632-91 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.05.30 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2012-0433436-33 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.05.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0433432-51 |
| 12 | 등록결정서 | 2012.10.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0658827-94 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 기술번호 | KST2014022332 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 연세대학교 |
| 기술명 | 나노입자 어셈블리 기반의 스위칭 소자 및 이의 제조 방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 나노입자를 이용하여 제조되는 스위칭 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 보다 편리하고 경제적인 방법으로 1 mA 미만의 범위의 전류 값 및 상온(25°C) ± 250°C에서 가역적인 스위칭 효과를 나타내는 나노입자를 이용하여 스위칭 소자(예, 멤리스터(memristor))를 대량 생산할 수 있다. 나노입자 어셈블리에 기초한 멤리스터의 높은 가능성에 대한 예측은 크기, 조성, 차원, 표면적 및 화학포텐셜과 같은 이들의 나노스케일 특성을 조절함에 따른 나노입자의 전기적 효과 조절의 다능성에 의해 지지된다.스위칭 소자(switching device), 멤리스터(memristor), 나노입자, 어셈블리 (assembly) |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 새로운 스위칭 소자의 구현을 통해 전자 소자 응용이 가능함. |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스,기술협력,기술지도, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345102268 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2008-0062164 |
| 연구과제명 | 양자메타물질의응용 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 이화여자대학교 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200809~201502 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345152020 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2011-0017209 |
| 연구과제명 | 복합 나노구조의 멤리스터적 거동연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 201105~201404 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1345169221 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-0006749 |
| 연구과제명 | 금속/유기 복합박막 계면에서의 전자기적 특성 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 201005~201304 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345196359 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R32-2012-000-10217-0 |
| 연구과제명 | 지능형(스마트) 나노 복합체 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 연세대학교 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 200812~201308 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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