맞춤기술찾기

이전대상기술

커패시터용 탄탈 또는 니오븀 분말의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014022334
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 커패시터용 탄탈 또는 니오븀 분말의 제조방법에 관한 것으로서, 양극, 음극 및 용융염을 포함하는 전해환원 반응기에서 커패시터용 탄탈(Ta) 또는 니오븀(Nb) 분말의 제조방법에 있어서, 알칼리 금속 및 알칼리 토금속에서 선택된 적어도 하나의 금속의 할로겐 화합물과, 알칼리 금속 산화물로 이루어진 용융염 중 알칼리 금속 산화물을 음극에서 1차 전해환원하고, 전해환원된 알칼리 금속에 의해 오산화 탄탈(Ta2O5) 또는 오산화 니오븀(Nb2O5)이 부분적으로 환원되어 Ta2O(5-y) 또는 Nb2O(5-y)(여기서 y = 2.5-4.5)로 표시되는 탄탈 또는 니오븀 산화물을 얻는 단계; 및 상기 알칼리 금속 및 알칼리 토금속에서 선택된 적어도 하나의 금속의 할로겐 화합물을 음극에서 1차 전해환원하고, Ta2O(5-y) 또는 Nb2O(5-y)(여기서 y = 2.5-4.5)로 표시되는 탄탈 또는 니오븀 산화물과 2차 환원반응을 진행하여 탄탈 또는 니오븀 분말을 얻는 단계를 포함한다.
Int. CL C01G 33/00 (2006.01) C01G 35/00 (2006.01)
CPC C25C 5/04(2013.01) C25C 5/04(2013.01) C25C 5/04(2013.01) C25C 5/04(2013.01)
출원번호/일자 1020050069792 (2005.07.29)
출원인 한국원자력연구원, 한국수력원자력 주식회사
등록번호/일자 10-0684416-0000 (2007.02.12)
공개번호/일자 10-2007-0014831 (2007.02.01) 문서열기
공고번호/일자 (20070216) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.07.29)
심사청구항수 14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국수력원자력 주식회사 대한민국 경상북도 경주시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박성빈 대한민국 대전 서구
2 이종현 대한민국 대전 유성구
3 정상문 대한민국 대전 유성구
4 서중석 대한민국 대전 유성구
5 박성원 대한민국 대전 유성구
6 김응호 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구소 대한민국 대전 유성구
2 한국수력원자력 주식회사 대한민국 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0421324-61
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2005.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2005-5095771-81
3 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2005.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2005-5095770-35
4 보정요구서
Request for Amendment
2005.08.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0070001-89
5 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2005.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2005-0448212-22
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.05.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.06.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0039213-84
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0563652-09
9 의견서
Written Opinion
2006.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0874987-47
10 등록결정서
Decision to grant
2007.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0043529-73
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2007-5073714-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2007-5085193-38
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117973-29
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2007-5117707-02
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2008-5145739-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2010-5177354-66
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2016-5034922-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
양극, 음극 및 용융염을 포함하는 전해환원 반응기에서 커패시터용 탄탈 또는 니오븀 분말의 제조방법에 있어서,알칼리 금속 및 알칼리 토금속에서 선택된 적어도 하나의 금속의 할로겐 화합물과, 알칼리 금속 산화물로 이루어진 용융염 중 알칼리 금속 산화물을 음극에서 1차 전해환원하고, 전해환원된 알칼리 금속에 의해 오산화 탄탈(Ta2O5) 또는 오산화 니오븀(Nb2O5)이 부분적으로 환원되어 Ta2O(5-y) 또는 Nb2O(5-y)(여기서 y = 2
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 2차 환원반응 후 얻어진 탄탈 또는 니오븀 분말을 무기산에서 침출, 세정시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터용 탄탈 또는 니오븀 분말의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 2차 환원반응 후 얻어진 탄탈 또는 니오븀 분말은 망상구조를 갖는 것을 특징으로 하는 커패시터용 탄탈 또는 니오븀 분말의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 Ta2O5 또는 Nb2O5은 분말 또는 다공질 소결체의 형태로 사용되는 것을 특징으로 하는 커패시터용 탄탈 또는 니오븀 분말의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 Ta2O5 또는 Nb2O5의 다공질 소결체는 Ta2O5 또는 Nb2O5 분말을 성형한 후 소결시켜 제조되는 것을 특징으로 하는 커패시터용 탄탈 또는 니오븀 분말의 제조방법
6 6
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 Ta2O5 또는 Nb2O5 분말은 불순물 금속 함량이 150ppm 미만이고, 탄소함량은 50ppm 미만인 것을 특징으로 하는 커패시터용 탄탈 또는 니오븀 분말의 제조방법
7 7
제 4 항에 있어서, 분말 형태의 Ta2O5 또는 Nb2O5을 다공질 음극 바스켓에 장입하는 것을 특징으로 하는 커패시터용 탄탈 또는 니오븀 분말의 제조방법
8 8
제 4 항에 있어서, 음극으로 고전도성 컨덕터 및 Ta2O5 또는 Nb2O5 분말을 충진할 수 있는 10 내지 60%의 기공율을 갖는 비전도성 세라믹 필터를 포함하는 일체형 음극을 사용하는 것을 특징으로 하는 커패시터용 탄탈 또는 니오븀 분말의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 고전도성 컨덕터는 서스(SUS), 구리, 티타늄, 탄탈 중에서 선택된 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 커패시터용 탄탈 또는 니오븀 분말의 제조방법
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 비전도성 세라믹 필터는 마그네시아, 알루미나, 마그네슘알루미네이트, 지르코니아 중에서 선택된 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 커패시터용 탄탈 또는 니오븀 분말의 제조방법
11 11
제 4 항에 있어서, 상기 Ta2O5 또는 Nb2O5의 다공질 소결체에 천공이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 커패시터용 탄탈 또는 니오븀 분말의 제조방법
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 Ta2O5 또는 Nb2O5의 환원온도를 인가전압에 의해 제어하는 것을 특징으로 하는 커패시터용 탄탈 또는 니오븀 분말의 제조방법
13 13
제 1 항에 있어서, 상기 양극으로 백금 또는 열분해 탄소 또는 Fe3O4를 사용하는 것을 특징으로 하는 커패시터용 탄탈 또는 니오븀 분말의 제조방법
14 14
양극, 음극 및 용융염을 포함하는 전해환원 반응기에서 커패시터용 탄탈 또는 니오븀 분말의 제조방법에 있어서,상기 용융염은 알칼리 금속 할로겐 화합물과 알칼리 토금속 할로겐 화합물로 이루어지며, 상기 알칼리 토금속 할로겐 화합물을 음극에서 1차 전해환원하고, 상기 전해환원된 알칼리 토금속에 의해 오산화 탄탈(Ta2O5) 또는 오산화 니오븀(Nb2O5)을 간접환원시키며, 전위조절에 의해 국부소결을 유도하는 것을 특징으로 하는 커패시터용 탄탈 및 니오븀 분말의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.