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a) 기판을 준비하는 단계; b) 그라파이트화 촉매로 이루어진 나노선을 준비하는 단계; c) 상기 기판 상에 그라파이트화 촉매로 이루어진 나노선을 배열하는 단계; d) 상기 나노선이 배열된 기판에 탄소 공급원을 제공하여 나노선 상에 그래핀 나노리본을 형성하는 단계; 및 e) 상기 그래핀 나노리본을 분리하는 단계; 를 포함하는 그래핀 나노리본의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계 a)에서 기판은 그라파이트화 촉매를 도포한 기판인 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계 b)에서 그라파이트화 촉매로 이루어진 나노선은 2 전극 시스템 합성법 또는 3전극 시스템 합성법으로 제조되는 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 그라파이트화 촉매는 Ni, Co, Fe, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Ti, W, V 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는, 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계 c)는 나노선을 휘발성 용매에 분산시킨 분산액을 기판 상에 도포하고 휘발성 용매를 휘발시킴으로써 수행되는 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 휘발성 용매는 에탄올 또는 아세톤인 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계 d)는 상기 나노선이 배열된 기판을 불활성 분위기 또는 환원성 분위기에서 열처리함으로써 수행되는, 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 탄소 공급원은 일산화탄소, 이산화탄소, 메탄, 에탄, 에틸렌, 에탄올, 아세틸렌, 프로판, 프로필렌, 부탄, 부타디엔, 펜탄, 펜텐, 사이클로펜타디엔, 헥산, 사이클로헥산, 벤젠, 톨루엔, 알코올, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상인 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 탄소 공급원은 기상으로 제공되는 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 열처리가 400 내지 2,000℃에서 0
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11
제 1 항에 있어서, 상기 단계 e)에서 그래핀 나노리본의 분리는 기판 상에 그라파이트화 촉매를 녹일 수 있는 용액을 부가함으로써 수행되는, 제조방법
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12
제 11 항에 있어서, 상기 그라파이트화 촉매 중 Fe, Ni, Co, Al, Cr, Mg, Ti 및 V를 녹일 수 있는 용액은 HCl이고, 그리고 Ni, Co, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Ti 및 V를 녹일 수 있는 용액은 FeCl3인 것인 제조방법
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13
제 1 항에 있어서, 상기 그라파이트화 촉매로 이루어진 나노선의 크기를 조절함으로써 그래핀 나노리본의 크기를 조절하는, 제조방법
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14
제 13 항에 있어서, 상기 나노선의 크기는 양극 산화 알루미늄 템플레이트의 공극 크기를 조절함으로써 조절하는 제조방법
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제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 그래핀 나노리본
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제 15 항에 있어서, 상기 그래핀 나노리본은 폭이 5 내지 100 nm 이고 길이가 0
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제 15 항에 따른 그래핀 나노리본을 포함하는 수소저장체
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제 15 항에 따른 그래핀 나노리본을 포함하는 전기소자
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