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스핀 토크 변환을 이용한 자기터널접합 소자를 사용한XOR 논리 연산장치

  • 기술번호 : KST2014022456
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초기화 과정이 필요없는, 스핀 토크 변환을 이용한 자기터널접합 소자를 사용한 XOR 논리 연산장치에 관한 것으로, 전류가 도통하도록 구비된 상부 전극 및 하부 전극과, 상기 상부 전극과 하부 전극 사이의 전기적 절연을 위한 절연층과, 상기 절연층의 상부면에 형성된 자유층 및 상기 절연층의 하부면에 형성된 고정층으로 구성된 자기터널접합 소자; 및, 상기 상부 전극과 하부 전극 사이를 통과하는 전류의 흐름을 제어하고, 입력된 논리레벨에 따라 상기 자유층의 자화 방향을 변경하는 전류 제어회로로 구성되는 2개의 자기 메모리 셀이 병렬로 연결되며, 상기 2개의 자기 메모리 셀 각각의 일단에 연결된 감지 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 한다. STT, MJT, XOR
Int. CL H01L 29/768 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080014343 (2008.02.18)
출원인 이화여자대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0961723-0000 (2010.05.28)
공개번호/일자 10-2009-0089028 (2009.08.21) 문서열기
공고번호/일자 (20100610) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.18)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 이화여자대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신형순 대한민국 서울 서대문구
2 이승연 대한민국 서울 서대문구
3 이현주 대한민국 서울 서대문구
4 이감영 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 이화여자대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0117890-97
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0486777-71
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.12.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0750504-59
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0750522-71
5 등록결정서
Decision to grant
2010.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0219772-72
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번호 청구항
1 1
전류가 도통하도록 구비된 상부 전극 및 하부 전극과, 상기 상부 전극과 하부 전극 사이의 전기적 절연을 위한 절연층과, 상기 절연층의 상부면에 형성된 자유층 및 상기 절연층의 하부면에 형성된 고정층으로 구성된 자기터널접합 소자; 및, 상기 상부 전극과 하부 전극 사이를 통과하는 전류의 흐름을 제어하고, 입력된 논리레벨에 따라 상기 자유층의 자화 방향을 변경하는 전류 제어회로 로 구성되는 2개의 자기 메모리 셀이 병렬로 연결되며, 상기 2개의 자기 메모리 셀 각각의 일단에 연결된 감지 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자를 이용한 XOR 논리 연산장치
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 고정층의 자화 방향은 고정된 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자를 이용한 XOR 논리 연산장치
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 전류 제어회로의 게이트에 입력되는 신호를 변화시켜 논리 레벨을 형성시키는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자를 이용한 XOR 논리 연산장치
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 자기터널접합 소자에 인가된 전류가 상기 상부 전극에서 하부 전극으로 흐르는 경우에는 상기 자유층의 자화 방향이 상기 고정층의 자화 방향과 동일한 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자를 이용한 XOR 논리 연산장치
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 자유층과 상기 고정층의 자화 방향이 동일한 경우에는 상기 자기터널접합 소자의 자기 저항이 '0'의 논리 레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자를 이용한 XOR 논리 연산장치
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 자기터널접합 소자에 인가된 전류가 상기 하부 전극에서 상부 전극으로 흐르는 경우에는 상기 자유층의 자화 방향이 상기 고정층의 자화 방향과 반대인 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자를 이용한 XOR 논리 연산장치
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 자유층 및 고정층의 자화 방향이 반대인 경우에는 자기터널접합 소자의 저항이 '1'의 논리 레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자를 이용한 XOR 논리 연산장치
8 8
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전류 제어회로는, 상기 상부 전극과 소스단이 연결되는 제1 전류 구동부; 상기 제1 전류 구동부와 드레인단이 서로 연결되는 제2 전류 구동부; 상기 하부 전극과 드레인단이 연결되는 제3 전류 구동부; 상기 제3 전류 구동부와 소스단이 서로 연결되는 제4 전류 구동부; 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자를 이용한 XOR 논리 연산장치
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 제1 내지 제4 전류 구동부는 병렬로 연결된 3개의 MOSFET을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자를 이용한 XOR 논리 연산장치
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 제1 전류 구동부의 소스단과 제4 전류 구동부의 드레인단이 연결되고, 상기 제2 전류 구동부의 소스단과 제3 전류 구동부의 드레인단이 연결된 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자를 이용한 XOR 논리 연산장치
11 11
청구항 8에 있어서, 상기 제1 전류 구동부와 제2 전류 구동부가 연결되는 노드에 일단이 연결되는 제1 인에이블 MOSFET; 상기 제3 전류 구동부와 제4 전류 구동부가 연결되는 노드에 일단이 연결되는 제2 인에이블 MOSFET; 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자를 이용한 XOR 논리 연산장치
12 12
청구항 8에 있어서, 상기 제1 내지 제4 전류 구동부는, 제1 논리 입력 신호가 게이트에 인가되는 제1 MOSFET; 제2 논리 입력 신호가 게이트에 인가되는 제2 MOSFET; 제3 논리 입력 신호가 게이트에 인가되는 제3 MOSFET; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자를 이용한 XOR 논리 연산장치
13 13
청구항 12에 있어서, 상기 제1 전류 구동부를 구성하는 MOSFET의 각 게이트에 인가되는 신호와 제3 전류 구동부를 구성하는 MOSFET의 각 게이트에 인가되는 신호는 동일하고, 제2 전류 구동부를 구성하는 MOSFET의 각 게이트에 인가되는 신호와 제4 전류 구동부를 구성하는 MOSFET의 각 게이트에 인가되는 신호는 동일하되, 제1 전류 구동부와 제2 전류 구동부에 인가되는 신호는 서로 인버팅된 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자를 이용한 XOR 논리 연산장치
14 14
청구항 1에 있어서, 상기 감지 증폭기는 상기 2 개의 자기 메모리 셀에 있는 자기터널접합 소자의 저항값을 비교하여, V+ 단자에서 감지되는 저항값이 V- 단자에서 감지되는 저항값보다 큰 경우, 상기 감지 증폭기의 출력값은 논리 레벨 '1'이 되는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자를 이용한 XOR 논리 연산장치
15 15
청구항 1에 있어서, 상기 감지 증폭기는 상기 2 개의 자기 메모리 셀에 있는 자기터널접합 소자의 저항값을 비교하여, V+ 단자에서 감지되는 저항값이 V- 단자에서 감지되는 저항값보다 작거나 같은 경우에는 상기 감지 증폭기의 출력값은 논리 레벨 '0'이 되는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자를 이용한 XOR 논리 연산장치
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1 WO2009104851 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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