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수열합성법을 이용한 다양한 형태의 비스무스 텔루라이드 나노구조체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 비스무스 텔루라이드 나노구조체

  • 기술번호 : KST2014022460
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수열합성법을 이용한 다양한 형태의 비스무스 텔루라이드(Bi2Te3) 나노구조체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 다양한 형태의 비스무스 텔루라이드(Bi2Te3) 나노구조체에 관한 것으로, 구체적으로는 텔루르(Te) 분말과 비스무스 클로라이드(BiCl3)를 증류수에 녹여서 각각의 수용액을 별도로 제조하여 혼합하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 혼합용액을 열처리하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 열처리된 혼합용액을 냉각시켜 비스무스 텔루라이드(Bi2Te3) 나노구조체를 합성하는 단계(단계 3)를 포함하는 다양한 형태의 비스무스 텔루라이드(Bi2Te3) 나노구조체의 제조방법에 대한 것이다. 본 발명에 의하면 열처리 온도 또는 승온 속도 조건을 변화시킴으로써 나노구조체로서 단결정 구조의 나노입자, 나노캡슐, 나노와이어 및 나노튜브를 제조할 수 있으므로 높은 열전 성능지수 값을 얻을 수 있고, 냉각 속도 조건을 변화시킴으로써 나노와이어 및 나노튜브의 수율 및 길이를 증가시킬 수 있다. 비스무스 텔루라이드, 열전물질, 나노구조체
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01B 19/04(2013.01) C01B 19/04(2013.01) C01B 19/04(2013.01) C01B 19/04(2013.01) C01B 19/04(2013.01)
출원번호/일자 1020090056572 (2009.06.24)
출원인 이화여자대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0138171 (2010.12.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.24)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 이화여자대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김희진 대한민국 서울특별시 서대문구
2 김성진 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0383854-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.12.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0000851-53
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0159348-75
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0384561-69
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0384562-15
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0710155-96
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번호 청구항
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텔루르(Te) 분말과 비스무스 클로라이드(BiCl3)를 증류수에 녹여서 각각의 수용액을 별도로 제조하여 혼합하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 혼합용액을 열처리하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 열처리된 혼합용액을 냉각시켜 비스무스 텔루라이드(Bi2Te3) 나노구조체를 합성하는 단계(단계 3)를 포함하는 다양한 형태의 비스무스 텔루라이드(Bi2Te3) 나노구조체의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 열처리시 교반하는 과정을 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 다양한 형태의 비스무스 텔루라이드(Bi2Te3) 나노구조체의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 열처리시 온도가 90 ℃ 내지 120 ℃이고, 승온 속도가 100 ℃/시간 내지 20 ℃/시간인 경우 나노구조체로서 나노입자 또는 나노캡슐이 생성되는 것을 특징으로 하는 다양한 형태의 비스무스 텔루라이드(Bi2Te3) 나노구조체의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 열처리시 온도가 90 ℃ 초과 100 ℃ 이하인 경우 나노구조체로서 나노입자가 생성되는 것을 특징으로 하는 다양한 형태의 비스무스 텔루라이드(Bi2Te3) 나노구조체의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 열처리시 온도가 100 ℃ 초과 120 ℃ 이하인 경우 나노구조체로서 나노캡슐이 생성되는 것을 특징으로 하는 다양한 형태의 비스무스 텔루라이드(Bi2Te3) 나노구조체의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 열처리시 온도가 130 ℃ 내지 155 ℃이고, 승온 속도가 3 ℃/시간 내지 1
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제6항에 있어서, 상기 열처리시 온도가 130 ℃ 이상 140 ℃ 이하인 경우 나노구조체로서 나노와이어가 생성되는 것을 특징으로 하는 다양한 형태의 비스무스 텔루라이드(Bi2Te3) 나노구조체의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 열처리시 온도가 140 ℃ 초과 155 ℃ 이하인 경우 나노구조체로서 나노튜브가 생성되는 것을 특징으로 하는 다양한 형태의 비스무스 텔루라이드(Bi2Te3) 나노구조체의 제조방법
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제6항에 있어서, 생성된 나노와이어 또는 나노튜브를 3 ℃/시간 내지 1 ℃/시간의 냉각 속도로 냉각시켜 상기 나노와이어 또는 나노튜브의 수율 및 길이를 증가시키는 것을 특징으로 하는 다양한 형태의 비스무스 텔루라이드(Bi2Te3) 나노구조체의 제조방법
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제1항의 방법에 따라 제조되는 다양한 형태의 비스무스 텔루라이드(Bi2Te3) 나노구조체
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제10항에 있어서, 상기 비스무스 텔루라이드(Bi2Te3) 나노구조체는 나노입자, 나노캡슐, 나노와이어, 나노튜브로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다양한 형태의 비스무스 텔루라이드(Bi2Te3) 나노구조체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 나노소재기술개발사업단 21세기 프론티어연구개발사업 (나노소재기술개발사업) 나노 구조물을 이용한 초고효율 열전 소재 개발