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산화 확산 및 제거에 의한 실리콘 식각면 개질 방법

  • 기술번호 : KST2014022519
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화 확산 및 제거에 의한 실리콘 식각면 개질 방법법에 관한 것으로, 실리콘이 식각되어 생성되는 식각면에 산화 확산 공정을 실행하여 산화막을 생성하고, 상기 산화막을 불산을 사용하여 제거함으로써, 실리콘 깊은 식각에 의해 생성된 스캘럽을 제거하여 식각면을 평탄화시킨다. 본 발명에 의하면, 실리콘 깊이 식각 공정 안정화로 인해 웨이퍼(wafer) 식각의 균일도를 향상시키며, 광 MEMS 미러 구조의 거울면 제작 시 금속을 증착할 경우 고른 면으로 인해 반사도 내지 투과도를 향상시킨다.실리콘, 산화 확산, 식각면, 산화막, 스캘럽(scallop), 실리콘 깊은 식각
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01.01) H01L 21/225 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01)
출원번호/일자 1020070067647 (2007.07.05)
출원인 한국광기술원, 주식회사 제이엠엘
등록번호/일자 10-0875130-0000 (2008.12.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.05)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 주식회사 제이엠엘 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한명수 대한민국 광주 광산구
2 박영식 대한민국 광주 북구
3 김장현 대한민국 경기 수원시 권선구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 주식회사 제이엠엘 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0492098-58
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2007.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2007-0563099-47
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2007.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0564923-33
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.03.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.04.08 수리 (Accepted) 9-1-2008-0018460-87
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0335804-85
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0596294-41
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0596296-32
9 등록결정서
Decision to grant
2008.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0606315-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2010-5182023-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
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번호 청구항
1 1
실리콘의 깊이 식각에 의해 생성된 식각면에 스캘럽(scallop)이 형성되는 단계;상기 식각 된 실리콘의 식각면에 산화 확산 공정을 실행되는 2단계; 및상기 2단계에 의해 생성된 산화막이 제거되는 3단계를 포함하는 산화 확산 및 제거에 의한 실리콘 식각면 개질 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 산화막의 두께는 상기 스캘럽의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 산화 확산 및 제거에 의한 실리콘 식각면 개질 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 스캘럽의 두께는 50 nm 이상 500 nm 이하인 것을 특징으로 하는 산화 확산 및 제거에 의한 실리콘 식각면 개질 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 2단계에서 실리콘의 온도는 800℃이상 1200℃이하인 것을 특징으로 하는 산화 확산 및 제거에 의한 실리콘 식각면 개질 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 확산 공정은 습식 산화 및 건식 산화를 포함하는 열 산화 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화 확산 및 제거에 의한 실리콘 식각면 개질 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 습식 산화는 하기의 식을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화 확산 및 제거에 의한 실리콘 식각면 개질 방법
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 건식 산화는 하기의 식을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화 확산 및 제거에 의한 실리콘 식각면 개질 방법
9 9
삭제
10 10
제 1 항에 있어서,상기 3단계에서 불산(HF) 및 BOE(buffered oxide etcher)를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화 확산 및 제거에 의한 실리콘 식각면 개질 방법
11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.