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비평면의 p형 화합물 반도체 형성방법 및 화합물 반도체발광소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014022521
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광소자에 있어서 내부에 비평면의 p형 화합물 반도체층을 형성하는 방법 및 그러한 p형 화합물 반도체층을 가지는 화합물 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 위에 n형 화합물 반도체층 및 활성층을 순차로 형성하는 단계 및 반응온도, 반응시간, 반응가스의 유입량 및 p형 불순물 원료 소스의 유입량을 조절하여 비평면의 p형 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면 화합물 반도체 발광소자를 제조함에 있어서, 최상위의 p형 반도체층의 일면을 비평면층으로 패터닝하여 광추출 효율을 높임과 동시에 에피 박막층의 증착공정의 단일 공정을 통해 비평면층을 형성시킬 수 있어 공정상 경제적이므로 제조단가를 낮출 수 있는 장점이 있다. 화합물 반도체, 발광소자, 비평면, p형 화합물 반도체층, 에피 박막층
Int. CL H01L 33/22 (2010.01.01) H01L 33/24 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020070123419 (2007.11.30)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-0916297-0000 (2009.09.01)
공개번호/일자 10-2009-0056318 (2009.06.03) 문서열기
공고번호/일자 (20090910) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.30)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 진정근 대한민국 서울 동대문구
2 백종협 대한민국 대전 서구
3 김상묵 대한민국 광주 서구
4 정탁 대한민국 광주 광산구
5 이상헌 대한민국 부산 금정구
6 이승재 대한민국 전북 전주시 덕진구
7 전성란 대한민국 전북 전주시 덕진구
8 이진홍 대한민국 광주 북구
9 김강호 대한민국 광주 광산구
10 오화섭 대한민국 광주 광산구
11 유영문 대한민국 서울 관악구
12 염홍서 대한민국 서울 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0864914-81
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0452897-76
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0751946-59
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.12.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0828298-54
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0828302-50
6 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2009.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0114594-43
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0288059-72
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.05.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2009-0288058-26
9 등록결정서
Decision to grant
2009.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0350452-48
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 n형 화합물 반도체층 및 활성층을 순차로 형성하는 단계; 및 950℃ 내지 1050℃의 온도에서 5초 내지 60초의 시간 동안, p형 불순물 원료 소스와 수소(H2)가스 및 암모니아(NH3)가스 중 어느 하나의 반응가스를 반응시켜 비평면의 p형 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 비평면의 p형 화합물 반도체 형성방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 온도는 1000℃ 내지 1040℃인 것을 특징으로 하는 비평면의 p형 화합물 반도체 형성방법
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 p형 불순물 원료 소스는 마그네슘(Mg), 갈륨(Ga), 알루미늄(Al), 붕소(B), 인듐(In)으로 구성된 그룹 중에서 선택되는 1종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 비평면의 p형 화합물 반도체 형성방법
5 5
삭제
6 6
기판 상에 n형 화합물 반도체층, 활성층을 순차적으로 성장시키는 단계; 및 950℃ 내지 1050℃의 온도에서 5초 내지 60초의 시간동안, 수소(H2)가스 및 암모니아(NH3)가스 중 어느 하나의 반응가스와 마그네슘(Mg) 또는 갈륨(Ga) 소스를 반응시켜 상기 활성층 위에 표면이 비평면인 p형 화합물 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하는 화합물 반도체 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.