| 1 |
1
경사진 기판에 패턴이 형성되는 단계;상기 패턴 된 경사진 기판의 상부에 완충층이 형성되고, 상기 완충층의 형태가 조절되는 단계; 및상기 완충층의 상부에 다중양자우물 층이 성장되는 단계를 포함하는 매립형 레이저 다이오드 형성 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 경사진 기판은 경사각도는 5도 이상 10도 이하인 것을 특징으로 하는 매립형 레이저 다이오드 형성 방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 패턴이 형성되는 단계에서는 상기 경사진 기판과 동일 방향의 이산화실리콘(SiO2)를 사용하는 것을 특징으로 하는 매립형 레이저 다이오드 형성 방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 경사진 기판은 인듐인(InP) 기판, 갈륨비소(GaAs) 기판 및 인듐인갈륨(InAlP) 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 매립형 레이저 다이오드 형성 방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 완충층은 상기 경사진 기판과 동일한 격자상수를 포함하는 것을 특징으로 하는 매립형 레이저 다이오드 형성 방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 완충층은 유기화학기상 증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 매립형 레이저 다이오드 형성 방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 유기화학기상 증착법의 소스가스는 수소화비소(AsH3) 또는 수소화인(PH3) 중 선택된 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 매립형 레이저 다이오드 형성 방법
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서, 상기 소스가스의 분압은 1
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서,상기 완충층이 형태가 조절되는 단계에서는 상기 완충층의 두께와 기판의 경사각, 개방층의 폭 및 인듐의 표면 이동률의 성장 조건을 조절하는 것을 특징으로 하는 매립형 레이저 다이오드 형성 방법
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서, 상기 다중양자우물 층은 인듐갈륨알루미늄비소(InGaAlAs), 알루미늄갈륨비소(AlGaAs) 및 인듐알루미늄갈륨인(InAlGaP)으로 구성된 그룹에서 선택된 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 매립형 레이저 다이오드 형성 방법
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서, 상기 다중양자우물 층은 상기 완충층의 화학기상 증착 시 소스분압, 상기 완충층의 두께 및 물질층의 두께 조절에 의해 성장되는 것을 특징으로 하는 매립형 레이저 다이오드 형성 방법
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
제 1 항에 있어서,상기 다중양자우물 층이 성장되는 단계 이후에 알루미늄(Al)이 포함되지 않는 덮개층이 성장되는 단계;상기 덮개층 성장 후 이산화 실리콘(SiO2) 박막이 제거되는 단계; 및상기 박막 제거 후 전류 차단층을 성장하여 매립형 레이저 다이오드가 형성되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 매립형 레이저 다이오드 형성 방법
|
