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레이저 에너지 흡수 초격자 층을 구비한 질화물 발광소자및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014022528
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 발광소자의 광방출 효율을 증가시키기 위한 공정인 레이저 리프트오프 공정시 레이저 에너지가 완전하게 흡수되는 저 에너지를 가지는 초격자 층을 구비함으로써 레이저 에너지 흡수에 의한 온도 상승을 억제하고, 초격자 층으로 사용되는 물질의 열전도도가 기존의 물질보다 더 우수함을 이용하여 수직방향으로 더 쉽게 전달되는 열을 수평방향으로 우선 전달하도록 하여 열에 의한 반도체 발광소자의 퇴화를 억제하도록 하는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.발광소자, 레이저 리프트 오프, 레이저 에너지 흡수, 초격자 층
Int. CL H01S 5/06 (2006.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01S 5/32 (2006.01.01)
CPC H01S 5/0602(2013.01) H01S 5/0602(2013.01) H01S 5/0602(2013.01)
출원번호/일자 1020060018789 (2006.02.27)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-0837846-0000 (2008.06.05)
공개번호/일자 10-2007-0088920 (2007.08.30) 문서열기
공고번호/일자 (20080613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김윤석 대한민국 서울특별시 강북구
2 김광철 대한민국 광주광역시 광산구
3 이승재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
4 이상헌 대한민국 부산광역시 금정구
5 김상묵 대한민국 광주광역시 서구
6 전성란 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
7 백종협 대한민국 대전광역시 서구
8 염홍서 대한민국 서울특별시 마포구
9 유영문 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0141676-61
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0000945-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0157488-84
5 의견서
Written Opinion		 2007.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0389420-74
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.05.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0389419-27
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2007.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0484809-28
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0277865-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화물계 발광소자에 있어서,레이저 리프트 오프시 흡수되지 않은 잔여 레이저를 흡수하는 레이저 에너지 흡수층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 질화물계 발광소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 레이저 에너지 흡수층 상부에는 도핑되지 않은 질화갈륨층이 더 포함되는 것을 특징으로 하는, 질화물계 발광소자
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 레이저 에너지 흡수층은 InGaN층과 GaN층이 번갈아 적층되는 것을 특징으로 하는, 질화물계 발광소자
4 4
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 레이저 에너지 흡수층은 InGaN층을 이용하는 것을 특징으로 하는, 질화물계 발광소자
5 5
제 4항에 있어서, 상기 InGaN 층의 두께는 100~500Å 인 것을 특징으로 하는, 질화물계 발광소자
6 6
제 2항에 있어서, 상기 도핑되지 않은 질화갈륨층의 두께는 0
7 7
기판 상부에 저온 버퍼층, 도핑되지 않은 질화 갈륨층을 적층하는 단계; 상기 질화갈륨층 상부에 레이저 리프트 오프시 흡수되지 않은 잔여 레이저를 흡수하는 레이저 에너지 흡수층을 적층하는 단계;상기 레이저 에너지 흡수층 상부에 도핑되지 않은 질화갈륨층을 적층하는 단계;제 1클래드층, 활성층, 제 2클래드층 및 금속반사막층을 순차적으로 적층하는 단계; 및제 2기판층을 적층하는 단계를 포함하는, 질화물계 발광소자 제작방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 금속반사막층은 오믹 접합으로 접착하는 것을 특징으로 하는, 질화물계 발광소자 제작방법
9 9
제 7항에 있어서, 상기 금속반사막층은 높은 반사율을 가지는 금속인 것을 특징으로 하는, 질화물계 발광소자 제작방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 높은 반사율을 가지는 금속은 Ni, Au, Cr, Pt, Pd, W, Rh 중 선택되는 1종 이상의 금속인 것을 특징으로 하는, 질화물계 발광소자 제작방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.