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투명 기판; 및
상기 투명 기판의 적어도 일면 상에 제공되되, 윈도우층과 광 흡수층으로 각각 구성되는 복수의 태양 전지층을 포함하되,
상기 광 흡수층은 CIGS 나노 입자들을 포함하고,
상기 복수의 태양 전지층들 각각에 포함된 상기 광 흡수층은 서로 다른 크기의 CIGS 나노 입자를 가져 서로 다른 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지
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제 1항에 있어서,
상기 CIGS 나노 입자들은 펄스 레이저 어블레이션(pulse laser ablation) 방식, 기체-액체-고체(vapor-liquid-solid) 방식, 기체-고체(vapor-solid) 방식, 용액(solution) 방식 및 화학적 기상 증착 방식 중에서 선택된 하나의 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지
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제 1항에 있어서,
상기 광 흡수층의 상기 밴드갭은 상기 CIGS 나노 입자들의 조성 및 형성 온도에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지
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제 1항에 있어서,
상기 광 흡수층은 상기 CIGS 나노 입자들이 서로 다른 두께 또는 크기를 가져 서로 다른 밴드갭을 갖는 복수의 영역들을 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지
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제 1항에 있어서,
상기 투명 기판은 소다라임 유리 또는 코닝 유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지
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6
제 1항에 있어서,
상기 투명 기판은 배면 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지
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제 1항에 있어서,
상기 복수의 태양 전지층들 사이에 제공되는 추가적인 투명 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지
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8
제 1항에 있어서,
상기 윈도우층은 p형 또는 n형 불순물로 도핑된 금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지
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제 8항에 있어서,
상기 금속 산화물은 아연산화물, 갈륨산화물, 알루미늄산화물, 인듐산화물, 납산화물, 구리산화물, 티탄산화물, 주석산화물, 철산화물, 인듐주석산화물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지
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10
제 1항에 있어서,
상기 윈도우층과 상기 광 흡수층 사이에 제공되되, 층간 밴드갭 에너지 차이 및 격자 상수 차이를 완화하는 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지
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제 1항에 있어서,
상기 투명 기판에 대향하는 상기 복수의 태양 전지층들 상에 제공되는 그리드 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지
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제 11항에 있어서,
상기 투명 기판에 대향하는 상기 복수의 태양 전지층들 상에 제공되는 반사방지막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지
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제 12항에 있어서,
상기 광 흡수층과 상기 그리드 전극 사이 또는 상기 광 흡수층과 상기 반사방지막 사이에 제공되는 투명 산화물 전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지
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제 1항에 있어서,
상기 복수의 태양 전지층들 중 최하부 태양 전지층의 상기 광 흡수층은 CIGS 박막층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지
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투명 기판의 적어도 일면 상에 윈도우층 및 CIGS 나노 입자들을 포함하는 광 흡수층으로 각각 구성되는 복수의 태양 전지층을 형성하는 것을 포함하되,
상기 복수의 태양 전지층들 각각에 포함된 상기 광 흡수층은 서로 다른 크기의 CIGS 나오 입자를 가져 서로 다른 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
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제 15항에 있어서,
상기 CIGS 나노 입자들은 펄스 레이저 어블레이션(pulse laser ablation) 방식, 기체-액체-고체(vapor-liquid-solid) 방식, 기체-고체(vapor-solid) 방식, 용액(solution) 방식 및 화학적 기상 증착 방식 중에서 선택된 하나의 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
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제 15항에 있어서,
상기 광 흡수층의 상기 밴드갭은 상기 CIGS 나노 입자들의 조성 및 형성 온도에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
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제 15항에 있어서,
상기 광 흡수층은 상기 CIGS 나노 입자들이 서로 다른 두께 또는 크기를 가져 서로 다른 밴드갭을 갖는 복수의 영역들을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
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제 15항에 있어서,
상기 투명 기판은 소다라임 유리 또는 코닝 유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
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제 15항에 있어서,
상기 투명 기판 상에 배면 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
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제 15항에 있어서,
상기 복수의 태양 전지층들 사이에 추가적인 투명 기판을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
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제 15항에 있어서,
상기 윈도우층은 p형 또는 n형 불순물로 도핑된 금속 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
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제 22항에 있어서,
상기 금속 산화물은 아연산화물, 갈륨산화물, 알루미늄산화물, 인듐산화물, 납산화물, 구리산화물, 티탄산화물, 주석산화물, 철산화물, 인듐주석산화물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
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제 15항에 있어서,
상기 윈도우층과 상기 광 흡수층 사이에, 이들 사이의 층간 밴드갭 에너지 차이 및 격자 상수 차이를 완화하는 버퍼층을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
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제 15항에 있어서,
상기 투명 기판에 대향하는 상기 복수의 태양 전지층들 상에 그리드 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
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제 25항에 있어서,
상기 투명 기판에 대향하는 상기 복수의 태양 전지층들 상에 반사방지막을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
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27
제 26항에 있어서,
상기 그리드 전극 및 상기 반사 방지막은 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 태향 전지의 제조 방법
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제 26항에 있어서,
상기 광 흡수층과 상기 그리드 전극 사이 또는 상기 광 흡수층과 상기 반사방지막 사이에 투명 산화물 전극층을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
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제 15항에 있어서,
상기 복수의 태양 전지층들 중 최하부 태양 전지층의 상기 광 흡수층은 CIGS 박막층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 탠덤형 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
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