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화학식 R2R3R4R5Si로 표현되는 유기실란(상기 화학식에서 R2는 C1 내지 C12의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬아민이고, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 -OH , C1 내지 C6의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 또는 C1 내지 C6의 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기이되, 상기 R3, R4 및 R5 중 적어도 하나는 -OH 또는 C1 내지 C6의 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기임)이 층상구조의 티타늄 산화물 표면에 결합하여 표면개질된 층상구조의 티타늄 산화물과,
상기 표면개질된 층상구조 티타늄 산화물 사이에 층간삽입된 VO3-(metavanadate), V2O74-(Pyrovanadate), V4O124-(Tetravanadate), V10O286-(Decavanadate), MnO4-, Mo7O246-, MO8O264-, MoO42-, Mo19O594-, W12O396-, W12O4110-, W6O20(OH)5-, WO42-, HCr4-, CrO42- 및 Cr2O72-로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온종을 포함한 층상구조 티탄화합물
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제1항에 있어서,
상기 층상구조 티타늄 산화물은 y가 0
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제1항에 있어서,
상기 유기실란은 3-아미노프로필(디에톡시)메틸실란(3-aminopropyl(diethoxy)methylsilane), (3-아미노프로필)트리에톡시실란((3-aminopropyl)triethoxysilane) 및 (3-아미노프로필)트리메톡시실란((3-aminopropyl)trimethoxysilane)으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 층상구조 티탄화합물
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ⅰ)층상구조의 티타늄 산화물을 pH 6이하의 산성분위기하에서 수소이온이 층간삽입된 층상구조의 티타늄 산화물을 제조하는 단계,;
ⅱ)상기 수소이온이 층간삽입된 층상구조의 티타늄 산화물을 R1-NH3+으로 표현되는 알킬암모늄(상기 화학식에서 R1은 C1 내지 C18의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기)과 상기 수소이온을 이온교환시켜 상기 층상구조의 티타늄 산화물 표면상에 정전기적으로 결합된 알킬암모늄층을 형성하는 단계,;
ⅲ)화학식 R2R3R4R5Si로 표현되는 유기실란(상기 화학식에서 R2는 C1 내지 C12의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬아민이고, R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로 -OH , C1 내지 C6의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 또는 C1 내지 C6의 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기이되, 상기 R3, R4 및 R5 중 적어도 하나는 -OH 또는 C1 내지 C6의 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기임)과 상기 알킬암모늄을 치환하여 상기 층상구조의 티타늄 산화물 표면상에 공유결합을 통해 결합된 유기실란층을 형성하는 단계 및,;
ⅳ)상기 유기실란층이 형성된 층상구조의 티타늄 산화물 층간에 VO3-(metavanadate), V2O74-(Pyrovanadate), V4O124-(Tetravanadate), V10O286-(Decavanadate), MnO4-, Mo7O246-, Mo8O264-, MoO42-, Mo19O594-, W12O396-, W12O4110-, W6O20(OH)5-, WO42-, HCr4-, CrO42- 및 Cr2O72-로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온종을 삽입시키는 단계를 포함하는 층상구조 티탄화합물 제조방법
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제5항에 있어서,
상기 유기실란은 3-아미노프로필(디에톡시)메틸실란(3-aminopropyl(diethoxy)methylsilane), (3-아미노프로필)트리에톡시실란((3-aminopropyl)triethoxysilane) 및 (3-아미노프로필)트리메톡시실란((3-aminopropyl)trimethoxysilane)으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 층상구조 티탄화합물 제조방법
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