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전력변환시스템의 스위칭 손실을 줄이기 위한 레벨 쉬프팅구동회로

  • 기술번호 : KST2014022641
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고속 스위칭에 의한 드라이버 출력을 얻을 수 있도록 한 레벨 쉬프팅 방식의 전력변환시스템의 스위칭 손실을 줄이기 위한 레벨 쉬프팅 구동회로를 개시한다.본 발명은 반도체 스위치 구동용 드라이버가 고속 스위칭 펄스를 출력 하도록 하기 위하여 B급 푸쉬풀(Push-Pull) 방식의 증폭기로 된 스위칭 회로에 MOSFET 또는 전력반도체를 사용한 스위칭 출력부로 구비하여서 된 반도체 스위치 구동용 드라이버에 있어서, 전술한 MOSFET 또는 전력반도체의 게이트에 존재하고 있는 기생 케패시턴스에 의하여 입력전압의 충전과 방전을 연속적으로 실행할 때 생기는 스위칭 손실을 해소하기 위해 레벨 쉬프트 회로를 구성하여 MOSFET 또는 전력반도체의 게이트에 쉬프트 된 '+'전위와 '-'전위를 교대로 인가하는 것을 특징으로 한 반도체 스위치 구동용 레벨 쉬프트 드라이버를 구비하여서 된 것이다.이에 따라 본 발명은 스위칭 MOSFET 또는 기타 전력반도체의 턴오프 지연 시간을 크게 단축하여 전력 소모량을 감소시켜 절전형 저전압 설계가 가능하게 되고, 발열량을 줄여 MOSFET 또는 기타 전력반도체의 수명을 연장시킬 수 있게 되어 제품의 신뢰성을 높이는 유용한 효과가 있는 것이다.
Int. CL H03K 19/0175 (2006.01)
CPC H03K 17/04106(2013.01) H03K 17/04106(2013.01) H03K 17/04106(2013.01)
출원번호/일자 1020060037335 (2006.04.25)
출원인 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0743519-0000 (2007.07.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070727) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.25)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준영 대한민국 충남 천안시
2 유광민 대한민국 인천 계양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재인 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로 ***, *** (구로동, 대륭포스트타워*)(에이스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0289935-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0000456-04
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0236509-31
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020510-08
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2012-5047629-25
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000870-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
NPN형 트랜지스터(S1)과 PNP형 트랜지스터(S2)를 직렬 접속하여서 된 제1스위칭회로부(1)와, 부하(Rdd)가 연결되는 스위칭 출력부 MOSFET(Q)로 구성된 공지의 것에 있어서,제1스위칭부(1)와 스위칭 출력부 MOSFET(Q)의 사이에 제2스위칭부(2)를 추가 접속하고, 제1스위칭부(1)의 입력과 제2스위칭부(2)의 입력에 레벨쉬프트 회로(3)를 접속하여서 됨을 특징으로 하는 전력변환시스템의 스위칭 손실을 줄이기 위한 레벨 쉬프팅 구동회로
2 2
제1항에 있어서,전술한 제1,2스위칭 회로 부(1,2)는 트랜지스터(S1,S2)와 트랜지스터(S3,S4)를 각각 직렬 접속하여서 된 것임을 특징으로 하는 전력변환시스템의 스위칭 손실을 줄이기 위한 레벨 쉬프팅 구동회로
3 3
제1항에 있어서,전술한 레벨쉬프트 회로(3)는 제너다이오드(ZD) 및 이와 직
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.