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엑스선 도파로 형성 방법 및 그 구조체

  • 기술번호 : KST2014022683
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다층박막을 증착하고 박막 층 하나의 일부를 에칭하여 엑스선 도파로를 제조하는 방법에 관한 것이다. 수십나노미터 두께의 도파로 코어층의 상하부에 크래딩층을 적층하고 코어층만을 선택적으로 에칭하여 나노채널을 형성하여 이 나노채널을 도파로의 코어층으로 하는 엑스선 도파로를 제조하는 공정에 관한 것이다. 엑스선 도파로, 다층박막, 에칭, 단일모드 도파로
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01P 3/00 (2011.01)
CPC H01P 3/088(2013.01) H01P 3/088(2013.01) H01P 3/088(2013.01) H01P 3/088(2013.01)
출원번호/일자 1020080018018 (2008.02.27)
출원인 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0962283-0000 (2010.06.01)
공개번호/일자 10-2009-0092654 (2009.09.01) 문서열기
공고번호/일자 (20100611) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.27)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최재호 대한민국 충청남도 천안시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한지희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** 한국지식재산센터 *층 (공익변리사 특허상담센터)(한국지식재산보호원)
2 권영규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *** (역삼동, 재승빌딩 *층)(프라임특허법률사무소)
3 윤재석 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **(서초동) *층(정석국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0145548-98
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.02.16 수리 (Accepted) 9-1-2009-0007969-91
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0662713-08
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0451087-77
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0819014-39
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.12.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0819012-48
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0166953-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2012-5047629-25
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000870-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1기판 및 제2기판 위에 각각 적어도 하나의 제1금속 박막층 및 적어도 하나의 제2금속 박막층을 교번적으로 증착하여 적층하는 단계; 상기 제1기판 위에 교번적으로 적층된 제1금속 박막층 및 제2금속 박막층의 최상단에 폴리머를 도포하는 단계; 상기 제1기판, 상기 제1기판 위에 적층된 적어도 하나의 제1금속 박막층, 상기 제1기판에 적층된 적어도 하나의 제2금속 박막층, 및 상기 폴리머를 포함하는 제1구조체의 일부를 적층된 방향과 교차하는 교차방향으로 식각 용액에 침전시켜, 상기 적어도 하나의 제2금속 박막층을 식각하는 단계; 및 상기 제2기판, 상기 제2기판 위에 적층된 적어도 하나의 제1금속 박막층, 및 상기 제2기판 위에 적층된 적어도 하나의 제2금속 박막층을 포함하는 제2구조체의 최상단과 상기 제1구조체의 식각된 부분이 접하도록 접합하는 단계를 포함하는 엑스선 도파로 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1금속 박막층은 텅스텐 박막층을 포함하고, 상기 제2금속 박막층은 니켈 박막층을 포함하고, 상기 폴리머 몰딩층은 PMMA(Poly Methyl Methacrylate) 및/또는 에폭시 몰딩층을 포함하며, 상기 제1 또는 제2금속 박막층은 스퍼터링 방법에 의하여 증착되고, 상기 제2금속 박막층의 식각 깊이는 상기 식각 용액의 식각 속도에 비례하여 결정되는 엑스선 도파로 형성 방법
3 3
제1기판, 상기 제1기판 위에 교번적으로 증착하여 적층된 적어도 하나의 제1금속 박막층 및 적어도 하나의 제2금속 박막층, 및 상기 교번적으로 적층된 제1금속 박막층 및 제2금속 박막층의 최상단에 도포된 폴리머 몰딩층을 포함하는 제1구조체; 및 제2기판, 및 상기 제2기판 위에 교번적으로 증착하여 적층된 적어도 하나의 제1금속 박막층 및 적어도 하나의 제2금속 박막층을 포함하는 제2구조체를 포함하며, 상기 제2기판 위에 적층된 적어도 하나의 제2금속 박막층의 일부가 적층된 방향과 교차하는 교차방향으로 식각 용액에 침전되어 식각되고, 상기 제2구조체의 최상단과 상기 제1구조체의 식각된 부분이 접하도록 접합되어 형성된 엑스선 도파로 구조체
4 4
제3항에 있어서, 상기 제1금속 박막층은 텅스텐 박막층을 포함하고, 상기 제2금속 박막층은 니켈 박막층을 포함하고, 상기 폴리머 몰딩층은 PMMA(Poly Methyl Methacrylate) 및/또는 에폭시 몰딩층을 포함하며, 상기 제1 또는 제2금속 박막층은 스퍼터링 방법에 의하여 증착되고, 상기 제2금속 박막층의 식각 깊이는 상기 식각 용액의 식각 속도에 비례하여 결정되는 엑스선 도파로 구조체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.