| 1 |
1
플라즈마 분사 장치의 전극을 제조하는 방법에 있어서,
기판 상에 씨앗층을 형성하는 단계;
상기 씨앗층 상에 몰드층을 형성하는 단계;
상기 몰드층에 복수의 전극형성 홀들이 생성되도록 상기 몰드층을 패터닝하는 단계;
상기 패터닝된 몰드층이 형성된 기판 상에 전극 층을 형성하는 단계; 및
상기 패터닝된 몰드층과 상기 전극 층을 평탄화하는 단계; 및
상기 기판, 상기 씨앗층, 및 상기 패터닝된 몰드층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 분사 장치의 전극 제조 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,
상기 씨앗층을 형성하는 단계는, 타이타늄/금을 500Å/2500Å 두께로 증착하여 상기 씨앗층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 분사 장치의 전극 제조 방법
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,
상기 타이타늄/금은 스퍼터링 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 분사 장치의 전극 제조 방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,
상기 몰드층을 형성하는 단계는, 음성 감광제를 코팅하여 상기 몰드층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 분사 장치의 전극 제조 방법
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서,
상기 몰드층의 두께는 100 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 분사 장치의 전극 제조 방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,
상기 몰드층을 패터닝하는 단계는, 상기 복수의 전극형성 홀들 각각이 서로 동일한 간격으로 이격되어 배치되도록 상기 몰드층을 패터닝하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 분사 장치의 전극 제조 방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,
상기 전극형성 홀의 폭은 100 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 분사 장치의 전극 제조 방법
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,
상기 생성되는 전극형성 홀의 개수는 10 × 10 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 분사 장치의 전극 제조 방법
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서,
상기 전극층을 형성하는 단계는, 니켈층을 도금하여 상기 전극 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 분사 장치의 전극 제조 방법
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서,
상기 전극형성 홀에 형성되는 니켈층의 두께는 70 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 분사 장치의 전극 제조 방법
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서,
상기 평탄화하는 단계는, CMP 방식으로 상기 패터닝된 몰드층과 상기 전극 층을 평탄화하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 분사 장치의 전극 제조 방법
|
| 12 |
12
제 11 항에 있어서,
상기 평탄화된 상기 전극층의 두께는 60 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 분사 장치의 전극 제조 방법
|
| 13 |
13
제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 플라즈마 분사 장치의 전극
|
| 14 |
14
제 13 항의 전극으로서, 양극으로 사용되며 플라즈마가 분사되는 전극;
외부로부터 기체를 주입하며, 음극으로 사용되는 기체주입관;
상기 전극과 상기 기체주입관 사이에서 상기 전극과 상기 기체주입관을 절연시키며, 상기 기체주입관으로부터 주입된 기체를 상기 전극으로 통과시키기 위한 복수의 통과 구멍들을 갖는 다공성 절연재;
상기 기체주입관을 외부로부터 절연시키고 보호하기 위해 상기 기체주입관을 둘러싸는 보호관; 및
상기 전극, 상기 다공성 절연재, 및 상기 기체주입관 중 상기 다공성 절연재와 연결되는 부분을 둘러싸며, 상기 전극과 상기 기체주입관 사이에서 상기 플라즈마를 발생시키기 위해 일어나는 방전이 외부로 확산되는 것을 차단하기 위한 절연 케이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 분사 장치
|
| 15 |
15
제 14 항에 있어서,
상기 기체주입관은 스테인레스 스틸 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 분사 장치
|
| 16 |
16
제 14 항에 있어서,
상기 다공성 절연재는 세라믹 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 분사 장치
|
| 17 |
17
제 16 항에 있어서,
상기 다공성 절연재는 알루미나 재질인 것을 특징으로 하는 플라즈마 분사 장치
|
| 18 |
18
제 14 항에 있어서,
상기 보호관은 석영 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 분사 장치
|
| 19 |
19
제 14 항에 있어서,
상기 플라즈마는 세포에 분사되어 상기 플라즈마가 분사된 세포를 사멸시키는 용도로 사용되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 분사 장치
|
| 20 |
20
제 19 항에 있어서,
상기 사멸되는 세포는 암세포인 것을 특징으로 하는 플라즈마 분사 장치
|
