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웨이브의 주파수를 조절할 수 있는 웨이브 소스;상기 웨이브 소스로부터 출사된 웨이브가 진행되는 도파관 공진기;상기 도파관 공진기의 일단에 이동 가능하게 결합되어 도파관 공진기의 길이를 조절할 수 있도록 된 튜너;상기 도파관 공진기의 외벽을 관통하여 삽입되어, 도파관 공진기를 통해 진행하는 웨이브가 샘플과 상호작용하도록 하는 탐침;상기 탐침을 통해 전파되어 샘플과 상호작용한 후 상기 탐침과 도파관을 통해 진행된 웨이브를 검출하는 검출기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 도파관 공진기를 이용한 근접장 현미경
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제 1항에 있어서, 상기 도파관 공진기의 내부쪽에 있는 탐침 부분이 직선 형태로 된 것을 특징으로 하는 근접장 현미경
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제 1항에 있어서, 상기 도파관 공진기의 내부쪽에 있는 탐침 부분이 루프 형태로 된 것을 특징으로 하는 근접장 현미경
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제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도파관 공진기의 외부쪽에 있는 탐침 부분이 직선 형태 또는 루프 형태로 된 것을 특징으로 하는 근접장 현미경
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제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 탐침은, 금속, 유전체 또는 자성체로 이루어진 것을 특징으로 하는 근접장 현미경
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제 4항에 있어서, 루프 탐침 부분을 관통하는 자기장의 최대값을 H0, TE10P 모드에서의 p값, 는 루프 탐침 부분의 전단 위치를 zi, 루프 탐침 부분의 후단 위치를 zf, 도파관 공진기의 단면의 가로길이를 a, 도파관 공진기의 세로 도파관 공진기의 길이를 d라고 할 때, 상기 탐침에 발생되는 기전력의 크기는 다음의 조건식을 만족하는 것을 특징으로 하는 근접장 현미경
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제 7항에 있어서, 상기 탐침은 zf=3d/2p, zi=d/2p에 배치되는 것을 특징으로 하는 근접장 현미경
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제 5항에 있어서, 상기 도파관 공진기에 슬릿이 형성되고, 탐침이 상기 슬릿을 따라 이동 가능하도록 된 것을 특징으로 하는 근접장 현미경
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제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도파관 공진기의 단면의 가로길이를 a, 세로길이를 b, m과 n은 정수일 때, 상기 도파관 공진기의 차단 주파수(fcmn)가 다음과 같은 조건식을 만족하고, 차단 주파수 이상의 주파수가 사용되는 것을 특징으로 하는 근접장 현미경
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제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 도파관 공진기에 탐침이 결합되기 전의 공진주파수와 부피를 각각 f0, v0, 도파관 공진기에 탐침이 결합된 후의 부피 변화를 △v라 할 때, 상기 도파관 공진기의 공진주파수(f)는 다음 조건식에 의해 변화되는 것을 특징으로 하는 근접장 현미경
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제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 탐침은 부분 2단계 에칭에 의해 제작된 하이브리드 탐침인 것을 특징으로 하는 근접장 현미경
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제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 웨이브 소스와 도파관 공진기 사이에 신호대 잡음비를 향상시켜 노이즈를 최소화하기 위한 락-인 증폭기(Lock-in-amplifier)가 구비되는 것을 특징으로 하는 근접장 현미경
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제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 웨이브 소스는 마이크로 웨이브 또는 밀리미터 웨이브를 출사시키는 것을 특징으로 하는 근접장 현미경
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 웨이브 소스로부터 출사되는 웨이브의 파장을 λ라고 할 때, 상기 도파관 공진기는 λ/4의 길이를 가지는 것을 특징으로 하는 근접장 현미경
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제 4항에 있어서, 상기 루프 형태의 탐침 부분은 웨이브의 진행방향에 대해 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는 근접장 현미경
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제 4항에 있어서, 상기 루프 형태의 탐침 부분은 웨이브의 진행방향에 대해 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는 근접장 현미경
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