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산화물 열전반도체 모듈의 제조 방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2014022951
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화물 열전 반도체를 이용한 고온 발전용 모듈 접합을 위한 보조 장치로서 세라믹 기판 재료에 인쇄된 전극과 산화물 열전 재료의 고온 접합을 용이하게 하기 위한 장치이다. 이 장치는 고온에 직접적으로 노출되는 장치로 고온 변형이 적고 기계적 성질의 변화가 적은 Ni합금계 등 금속을 이용하여 설계되었으며 금속형틀 상판, 금속형틀 하판, 볼트와 너트를 구성되어 있으며 n, p형의 열전 반도체 쌍, 세라믹기판, 접합전극으로 구성된 산화물 열전 모듈을 용이하게 제작하기 위한 장치이다. 열전반도체, 압발생부, 지지판, p형 열전반도체, n형 열전반도체
Int. CL H01L 35/34 (2006.01)
CPC H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01)
출원번호/일자 1020070078298 (2007.08.03)
출원인 아주대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0906484-0000 (2009.06.30)
공개번호/일자 10-2009-0014059 (2009.02.06) 문서열기
공고번호/일자 (20090708) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.03)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최승철 대한민국 서울 강남구
2 박종원 대한민국 경기 수원시 영통구
3 윤선호 대한민국 서울 관악구
4 곽동하 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁성 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 ***, *층 (서초동, 신한국빌딩)(특허법인 이노)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0568010-67
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0023801-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0054228-34
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0060913-15
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0123826-16
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.02.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0123844-27
8 등록결정서
Decision to grant
2009.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0257150-50
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-5000672-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부 지지판과; 상기 상부지지판에 일단이 연결되며, 인/입출가능한 복수개의 지지봉과; 상기 지지봉의 타단에 연결되는 하부 지지판과; 상기 복수개의 지지봉에 압을 제공하기 위한 압발생부와; 상기 상부 지지판의 저면에 부착된 압착감지용 센서와; 상기 압착감지용 센서로부터 센싱된 값에 대응되게 예입력된 압력값을 항상 유지가능하도록 한 제어부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 열전반도체 모듈용 제조 장치
2 2
제 1항에 있어서, 상기 상부지지판의 저면과 및 하부지지판 상면에는 위치 확보를 위한 홈이 각각 요설됨을 특징으로 하는 열전반도체 모듈용 제조 장치
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 압착감지용 센서는 상부 지지판의 저면에 요설된 홈의 중앙부에 위치되어 이루어진 것을 특징으로 하는 열전반도체 모듈용 제조 장치
4 4
제 1항에 있어서, 상기 압발생부는 유압 또는 공압 중 선택된 어느 하나로 구성됨을 특징으로 하는 열전반도체 모듈용 제조 장치
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 하부지지판 및 상부지지판에 세라믹 기판을 안착시키고 상기 기판 상에 Ag 페이스트로 전극을 형성하고, 메탈라이징된 산화물 반도체의 양 끝단에 Ag페이스를 프린팅한 후 하부지지판 및 상부지지판의 전극부분에 n, p형의 쌍으로 배열한 후 상기 n, p형 반도체에 순차적으로 Ag-Ag-Au 전극을 동일한 높이로 형성하여 접합부를 형성함을 특징으로 하는 열전반도체 모듈용 제조 장치
6 6
제1항에 있어서, 상기 상부지지판 및 하부지지판은 Ni계열 합금 또는 스테인레스 또는 Ti 합금임을 특징으로 하는 열전반도체 모듈용 제조 장치
7 7
제5항에 있어서, 접합부는 Au층이 더 형성되어 Ag-Au-Ag-Au가 순차적으로 배열된 4층으로 구성됨 특징으로 하는 열전반도체 모듈용 제조 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.