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질화물 반도체 소자의 누설전류 감소 방법

기술번호 : KST2014022962
담당센터 : 광주기술혁신센터
전화번호 : 062-360-4654

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 질화물 반도체 소자의 누설전류 감소 방법에 관한 것으로서, GaN, AlGaN/GaN의 금속-반도체 정류성 접합에서 금속과 반도체 사이의 역방향 누설전류를 줄이거나 금속-절연막-반도체 구조에서 누설전류를 줄이거나, 고립된 GaN 또는 AlGaN/GaN의 활성층 사이에 흐르는 누설전류를 줄이는 방법을 제공함에 그 특징적인 목적이 있다. 이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 기판에 다층금속을 형성하고 열처리하여 소스 및 드레인의 저항성 접촉을 형성하는 제 1 단계; 리소그래피 및 금속증착 방법을 이용하여 금속 게이트를 형성하는 제 2 단계; 및 진공 챔버에서 기판의 표면을 N2O 플라즈마 처리하는 제 3 단계; 를 포함한다. 게이트 누설전류, 갈륨질화물 반도체, 고이동도 트랜지스터
Int. CL	H01L 29/20 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 29/778 (2006.01.01)
CPC	H01L 29/2003(2013.01) H01L 29/2003(2013.01) H01L 29/2003(2013.01) H01L 29/2003(2013.01)
출원번호/일자	1020080017069 (2008.02.26)
출원인	전북대학교산학협력단
등록번호/일자	10-0969608-0000 (2010.07.05)
공개번호/일자	10-2009-0091868 (2009.08.31) 문서열기
공고번호/일자	(20100712) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2008.02.26)
심사청구항수	9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	전북대학교산학협력단	대한민국	전라북도 전주시 덕진구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	양전욱	대한민국	전북 전주시 완산구
2	심규환	대한민국	전북 전주시 덕진구
3	안효준	대한민국	전북 군산시
4	홍성기	대한민국	충남 서천군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	이은철	대한민국	서울특별시 송파구 법원로길 , A동 층 *호 (문정동, H비지니스파크)(T국제특허법률사무소)
2	유완식	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 *, 층 T 국제특허법률사무소 (역삼동, 여삼빌딩)(T국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	전북대학교산학협력단	대한민국	전라북도 전주시 덕진구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2008.02.26	수리 (Accepted)	1-1-2008-0139067-42
2	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2008.03.06	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0165061-23
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2009.10.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2009.11.13	수리 (Accepted)	9-1-2009-0062509-36
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2009.11.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0489030-10
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2009.12.23	수리 (Accepted)	1-1-2009-0797167-00
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2009.12.23	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2009-0797166-54
8	등록결정서 Decision to grant	2010.05.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0227716-68
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.12.28	수리 (Accepted)	4-1-2010-5245806-20
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2012-5206243-46
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2016.01.29	수리 (Accepted)	4-1-2016-5013206-34
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.02.27	수리 (Accepted)	4-1-2019-5038917-11
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5146986-17
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5146985-61
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.10.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5219602-91
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.07.06	수리 (Accepted)	4-1-2020-5149086-79

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판에 다층금속을 형성하고 열처리하여 소스 저항성금속 및 드레인 저항성금속을 형성하는 제 1 단계; 리소그래피 및 금속증착 방법을 이용하여 금속 게이트를 형성하는 제 2 단계; 및 진공 챔버에서 기판의 표면을 700°C 이내의 온도로 가열하여 N2O 플라즈마 처리하는 제 3 단계; 를 포함하는 질화물 반도체 소자의 누설전류 감소 방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계 이후에, 상기 플라즈마에 노출된 영역을 BOE, HCl, H2SO4, HNO3, NaOH, HF, KOH 용액 중 어느 하나로 표면처리 하거나, 이들의 희석액으로 표면처리 하는 제 4 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 누설전류 감소 방법
3	3 기판에 다층금속을 형성하고 열처리하여 소스 저항성금속 및 드레인 저항성금속을 형성하는 제 1 단계; 리소그래피 및 금속증착 방법을 이용하여 금속 게이트를 형성하는 제 2 단계; 및 진공 챔버에서 기판의 표면을 700°C 이내의 온도로 가열하여 산소를 함유한 가스로 플라즈마 처리하는 제 3 단계; 를 포함하는 질화물 반도체 소자의 누설전류 감소 방법
4	4 제 3 항에 있어서, 상기 제 3 단계 이후에, 상기 플라즈마에 노출된 영역을 표면처리 하는 제 4 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 누설전류 감소 방법
5	5 제 4 항에 있어서, 상기 플라즈마에 노출된 영역을, BOE, HCl, H2SO4, HNO3, NaOH, HF, KOH 용액 중 어느 하나로 표면처리 하거나, 이들의 희석액으로 표면처리 하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 누설전류 감소 방법
6	6 기판에 다층금속을 형성하고 열처리하여 소스 저항성금속 및 드레인 저항성금속을 형성하는 제 1 단계; 진공 챔버에서 기판의 표면을 700°C 이내의 온도로 가열하여 N2O 플라즈마 처리하는 제 2 단계; 게이트 산화막을 증착하는 제 3 단계; 상기 제 3 단계를 통해 증착된 산화막 위에 금속 게이트를 형성하는 제 4 단계; 및 전압을 인가할 수 있도록 저항성 접촉 부위의 산화막을 제거하는 제 5 단계; 를 포함하는 질화물 반도체 소자의 누설전류 감소 방법
7	7 제 6 항에 있어서, 상기 게이트 산화막은, SiH4와 N2O의 혼합가스로 형성된 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 누설전류 감소 방법
8	8 기판에 다층금속을 형성하고 열처리하여 소스 저항성금속 및 드레인 저항성금속을 형성하는 제 1 단계; 진공 챔버에서 기판의 표면을 700°C 이내의 온도로 가열하여 산소를 함유한 가스로 플라즈마 처리하는 제 2 단계; 게이트 산화막을 증착하는 제 3 단계; 상기 제 3 단계를 통해 증착된 산화막 위에 금속 게이트를 형성하는 제 4 단계; 및 전압을 인가할 수 있도록 저항성 접촉 부위의 산화막을 제거하는 제 5 단계; 를 포함하는 질화물 반도체 소자의 누설전류 감소 방법
9	9 제 8 항에 있어서, 상기 게이트 산화막은, SiH4와 N2O의 혼합가스로 형성된 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 누설전류 감소 방법
10	10 삭제

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0969608-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20080226 출원 번호 : 1020080017069 공고 연월일 : 20100712 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100528 청구범위의 항수 : 9 유별 : H01L 21/336 발명의 명칭 : 질화물 반도체 소자의 누설전류 감소 방법 존속기간(예정)만료일 : 20160706

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	198,000 원	2010년 07월 06일	납입
제 4 년분	금 액	238,000 원	2013년 07월 01일	납입
제 5 년분	금 액	166,600 원	2014년 07월 01일	납입
제 6 년분	금 액	166,600 원	2015년 06월 24일	납입

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해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2008.02.26	수리 (Accepted)	1-1-2008-0139067-42
2	[명세서등 보정]보정서	2008.03.06	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2008-0165061-23
3	선행기술조사의뢰서	2009.10.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2009.11.13	수리 (Accepted)	9-1-2009-0062509-36
5	의견제출통지서	2009.11.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0489030-10
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2009.12.23	수리 (Accepted)	1-1-2009-0797167-00
7	[명세서등 보정]보정서	2009.12.23	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2009-0797166-54
8	등록결정서	2010.05.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0227716-68
9	출원인정보변경(경정)신고서	2010.12.28	수리 (Accepted)	4-1-2010-5245806-20
10	출원인정보변경(경정)신고서	2012.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2012-5206243-46
11	출원인정보변경(경정)신고서	2016.01.29	수리 (Accepted)	4-1-2016-5013206-34
12	출원인정보변경(경정)신고서	2019.02.27	수리 (Accepted)	4-1-2019-5038917-11
13	출원인정보변경(경정)신고서	2019.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5146986-17
14	출원인정보변경(경정)신고서	2019.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5146985-61
15	출원인정보변경(경정)신고서	2019.10.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5219602-91
16	출원인정보변경(경정)신고서	2020.07.06	수리 (Accepted)	4-1-2020-5149086-79


기술번호	KST2014022962
자료제공기관	NTB
기술공급기관	전북대학교
기술명	질화물 반도체 소자의 누설전류 감소 방법
기술개요	본 발명은 질화물 반도체 소자의 누설전류 감소 방법에 관한 것으로서, GaN, AlGaN/GaN의 금속-반도체 정류성 접합에서 금속과 반도체 사이의 역방향 누설전류를 줄이거나 금속-절연막-반도체 구조에서 누설전류를 줄이거나, 고립된 GaN 또는 AlGaN/GaN의 활성층 사이에 흐르는 누설전류를 줄이는 방법을 제공함에 그 특징적인 목적이 있다. 이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 기판에 다층금속을 형성하고 열처리하여 소스 및 드레인의 저항성 접촉을 형성하는 제 1 단계; 리소그래피 및 금속증착 방법을 이용하여 금속 게이트를 형성하는 제 2 단계; 및 진공 챔버에서 기판의 표면을 N2O 플라즈마 처리하는 제 3 단계; 를 포함한다. 게이트 누설전류, 갈륨질화물 반도체, 고이동도 트랜지스터
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	반도체
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,기술협력,기술지도,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1345071200
세부과제번호	과C6B1912
연구과제명	BK21차세대에너지소재·소자사업단
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국학술진흥재단
연구주관기관명	전북대학교
성과제출연도	2008
연구기간	200603~201302
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	기타

특허성과

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