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나노와이어를 이용한 바이폴라-접합 트랜지스터의 제조방법

기술번호 : KST2014022967
담당센터 : 광주기술혁신센터
전화번호 : 062-360-4654

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	고집적 반도체 소자에 적합한, 나노와이어를 이용한 바이폴라-접합 트랜지스터의 제조 방법이 제공된다. 기판 상에, 제 1 영역, 제 2 영역 및 제 3 영역을 갖는 적어도 하나의 나노와이어를 제공한다. 상기 적어도 하나의 나노와이어의 상기 제 1 영역에 이온 주입을 이용하여 제 1 도전형의 제 1 불순물들을 도핑하여 베이스 영역을 형성한다. 상기 적어도 하나의 나노와이어의 상기 제 2 영역에 이온 주입을 이용하여 상기 제 1 도전형의 반대인 제 2 도전형의 제 2 불순물들을 도핑하여 콜렉터 영역을 형성한다. 그리고, 상기 적어도 하나의 나노와이어의 상기 제 3 영역에 이온 주입을 이용하여 상기 제 2 도전형의 제 3 불순물들을 도핑하여 에미터 영역을 형성한다. 나노와이어, 바이폴라-접합 트랜지스터, 이온 주입
Int. CL	H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01)
CPC	H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01)
출원번호/일자	1020080020574 (2008.03.05)
출원인	전북대학교산학협력단
등록번호/일자	10-0960691-0000 (2010.05.24)
공개번호/일자	10-2009-0095305 (2009.09.09) 문서열기
공고번호/일자	(20100531) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2008.03.05)
심사청구항수	9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	전북대학교산학협력단	대한민국	전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이상권	대한민국	전북 전주시 덕진구
2	김태홍	대한민국	경기 시흥시
3	이승용	대한민국	전북 전주시 완산구
4	형정환	대한민국	전북 전주시 완산구
5	장찬오	대한민국	전북 군산시 서

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	리앤목특허법인	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	전북대학교산학협력단	대한민국	전라북도 전주시 덕진구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2008.03.05	수리 (Accepted)	1-1-2008-0162813-36
2	[전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서 [Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document	2008.03.06	수리 (Accepted)	1-1-2008-5012022-48
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2009.12.08	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2010.01.15	수리 (Accepted)	9-1-2010-0003190-62
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2010.02.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0065288-62
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2010.04.13	수리 (Accepted)	1-1-2010-0234437-42
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2010.04.13	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2010-0234439-33
8	등록결정서 Decision to grant	2010.04.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0180672-12
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.12.28	수리 (Accepted)	4-1-2010-5245806-20
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2012-5206243-46
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2016.01.29	수리 (Accepted)	4-1-2016-5013206-34
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.02.27	수리 (Accepted)	4-1-2019-5038917-11
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5146986-17
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5146985-61
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.10.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5219602-91
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.07.06	수리 (Accepted)	4-1-2020-5149086-79

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에, 제 1 영역, 제 2 영역 및 제 3 영역을 갖는 적어도 하나의 나노와이어를 제공하는 단계; 상기 적어도 하나의 나노와이어의 상기 제 1 영역에 이온 주입을 이용하여 제 1 도전형의 제 1 불순물들을 도핑하여 베이스 영역을 형성하는 단계; 상기 적어도 하나의 나노와이어의 상기 제 2 영역에 이온 주입을 이용하여 상기 제 1 도전형의 반대인 제 2 도전형의 제 2 불순물들을 도핑하여 콜렉터 영역을 형성하는 단계; 및 상기 적어도 하나의 나노와이어의 상기 제 3 영역에 이온 주입을 이용하여 상기 제 2 도전형의 제 3 불순물들을 도핑하여 에미터 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 바이폴라-접합 트랜지스터의 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 에미터 영역, 상기 베이스 영역 및 상기 콜렉터 영역은 상기 적어도 하나의 나노와이어의 길이 방향을 따라서 순차적으로 접하도록 배열된 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 바이폴라-접합 트랜지스터의 제조 방법
3	3 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 도전형 및 상기 제 2 도전형은 n형 및 p형 가운데서 각각 선택된 서로 다른 하나인 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 바이폴라-접합 트랜지스터의 제조 방법
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 베이스 영역, 상기 에미터 영역 및 상기 콜렉터 영역을 형성하는 단계들에서, 이온 주입은 5 ~ 20 keV의 에너지 조건으로 수행하는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 바이폴라-접합 트랜지스터의 제조 방법
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 베이스 영역의 형성을 위한 이온 주입은 상기 제 1 영역을 노출하는 제 1 마스크를 상기 기판 상에 형성한 후 수행하는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 바이폴라-접합 트랜지스터의 제조 방법
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 콜렉터 영역의 형성을 위한 이온 주입은 상기 제 2 영역을 노출하는 제 2 마스크를 상기 기판 상에 형성한 후 수행하는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 바이폴라-접합 트랜지스터의 제조 방법
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 에미터 영역의 형성을 위한 이온 주입은 상기 제 3 영역을 노출하는 제 3 마스크를 상기 기판 상에 형성한 후 수행하는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 바이폴라-접합 트랜지스터의 제조 방법
8	8 제 1 항에 있어서, 상기 콜렉터 영역 및 상기 에미터 영역은 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 바이폴라-접합 트랜지스터의 제조 방법
9	9 제 8 항에 있어서, 상기 콜렉터 영역 및 상기 에미터 영역의 형성을 이온 주입은 상기 제 2 영역 및 상기 제 3 영역을 노출하는 제 4 마스크를 상기 기판 상에 형성한 후 수행하는 것을 특징으로 하는 나노와이어를 이용한 바이폴라-접합 트랜지스터의 제조 방법

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법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0960691-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20080305 출원 번호 : 1020080020574 공고 연월일 : 20100531 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100429 청구범위의 항수 : 9 유별 : H01L 29/72 발명의 명칭 : 나노와이어를 이용한 바이폴라-접합 트랜지스터의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20150525

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	198,000 원	2010년 05월 25일	납입
제 4 년분	금 액	238,000 원	2013년 05월 14일	납입
제 5 년분	금 액	166,600 원	2014년 05월 09일	납입

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2008.03.05	수리 (Accepted)	1-1-2008-0162813-36
2	[전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서	2008.03.06	수리 (Accepted)	1-1-2008-5012022-48
3	선행기술조사의뢰서	2009.12.08	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2010.01.15	수리 (Accepted)	9-1-2010-0003190-62
5	의견제출통지서	2010.02.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0065288-62
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2010.04.13	수리 (Accepted)	1-1-2010-0234437-42
7	[명세서등 보정]보정서	2010.04.13	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2010-0234439-33
8	등록결정서	2010.04.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2010-0180672-12
9	출원인정보변경(경정)신고서	2010.12.28	수리 (Accepted)	4-1-2010-5245806-20
10	출원인정보변경(경정)신고서	2012.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2012-5206243-46
11	출원인정보변경(경정)신고서	2016.01.29	수리 (Accepted)	4-1-2016-5013206-34
12	출원인정보변경(경정)신고서	2019.02.27	수리 (Accepted)	4-1-2019-5038917-11
13	출원인정보변경(경정)신고서	2019.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5146986-17
14	출원인정보변경(경정)신고서	2019.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5146985-61
15	출원인정보변경(경정)신고서	2019.10.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5219602-91
16	출원인정보변경(경정)신고서	2020.07.06	수리 (Accepted)	4-1-2020-5149086-79


기술번호	KST2014022967
자료제공기관	NTB
기술공급기관	전북대학교
기술명	나노와이어를 이용한 바이폴라-접합 트랜지스터의 제조방법
기술개요	고집적 반도체 소자에 적합한, 나노와이어를 이용한 바이폴라-접합 트랜지스터의 제조 방법이 제공된다. 기판 상에, 제 1 영역, 제 2 영역 및 제 3 영역을 갖는 적어도 하나의 나노와이어를 제공한다. 상기 적어도 하나의 나노와이어의 상기 제 1 영역에 이온 주입을 이용하여 제 1 도전형의 제 1 불순물들을 도핑하여 베이스 영역을 형성한다. 상기 적어도 하나의 나노와이어의 상기 제 2 영역에 이온 주입을 이용하여 상기 제 1 도전형의 반대인 제 2 도전형의 제 2 불순물들을 도핑하여 콜렉터 영역을 형성한다. 그리고, 상기 적어도 하나의 나노와이어의 상기 제 3 영역에 이온 주입을 이용하여 상기 제 2 도전형의 제 3 불순물들을 도핑하여 에미터 영역을 형성한다. 나노와이어, 바이폴라-접합 트랜지스터, 이온 주입
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	반도체
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,기술협력,기술지도,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1345071200
세부과제번호	과C6B1912
연구과제명	BK21차세대에너지소재·소자사업단
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국학술진흥재단
연구주관기관명	전북대학교
성과제출연도	2008
연구기간	200603~201302
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	기타

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