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트랩을 갖는 터널링 전계효과 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2014023022
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 터널링 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 채널영역을 중심으로 일측 터널링이 일어나는 부분에는 트랩층을 형성하여 구동전류를 향상시키고, 반대편 타측에는 트랜지스터가 꺼졌을 때에 누설전류 발생을 억제할 수 있도록 저농도 도핑층을 구비함으로써, 저전력, 고에너지 효율을 구현할 수 있는 트랩을 갖는 터널링 전계효과 트랜지스터에 관한 것이다. 트랩, 저농도, LDD, 변형기판, 터널링, TFET
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/7391(2013.01) H01L 29/7391(2013.01) H01L 29/7391(2013.01)
출원번호/일자 1020090078598 (2009.08.25)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1058370-0000 (2011.08.16)
공개번호/일자 10-2011-0021042 (2011.03.04) 문서열기
공고번호/일자 (20110822) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.25)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최우영 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권오준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠*차 ****호 (역삼동)(소중한특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0519467-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.12.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.01.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0005271-43
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0091750-44
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0275259-51
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0275124-07
7 등록결정서
Decision to grant
2011.07.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0391666-65
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판과, 상기 반도체 기판 상에 게이트 절연막을 사이에 두고 형성된 게이트와, 상기 게이트 밑에 위치한 상기 반도체 기판을 채널영역으로 하고, 상기 채널영역을 사이에 두고 상기 반도체 기판 양측에 형성된 P+ 영역과 N+ 영역을 포함하여 구성된 터널링 전계효과 트랜지스터에 있어서, 상기 P+ 영역과 상기 채널영역 사이 또는 상기 N+ 영역과 상기 채널영역 사이에는 트랩층이 형성되고, 상기 반도체 기판은 밴드간 에너지가 감소되도록 에피 성장시킨 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 트랩을 갖는 터널링 전계효과 트랜지스터
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제 1 항에 있어서, 상기 트랩층이 형성된 반대편의 상기 N+ 영역과 상기 채널영역 사이 또는 상기 P+ 영역과 상기 채널영역 사이에는 인접한 고농도 도핑층의 극성을 따르는 저농도 도핑층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 트랩을 갖는 터널링 전계효과 트랜지스터
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삭제
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 게르마늄, 실리콘 게르마늄 및 실리콘 탄소 중 어느 하나의 위에 실리콘을 에피 성장시킨 것이거나 SSOI(Strained-Silicon-On-Insulator) 기판인 것을 특징으로 하는 트랩을 갖는 터널링 전계효과 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서강대학교산학협력단 특정연구개발사업 고에너지 효율의 IC 구현을 위한 차세대 녹색 터널링 트랜지스터 개발