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고전위, 저전위, 제1출력단 및 입력단을 포함하여 구성되는, 카본나노튜브를 이용한 센서회로에 있어서,
상기 고전위와 연결되는 제1드레인과, 상기 제1출력단과 연결되는 제1소스를 포함하고, 상기 제1드레인과 상기 제1소스 사이에 제1카본나노튜브가 전류통로로서 형성되는 제1트랜지스터;
상기 제1출력단과 연결되는 제2드레인과, 상기 저전위와 연결되는 제2소스를 포함하고, 상기 제2드레인과 상기 제2소스 사이에 제2카본나노튜브가 전류통로로서 형성되는 제2트랜지스터;
상기 입력단과 상기 제1출력단 사이에 연결되어, 센서 동작 전에 상기 입력단과 상기 제1출력단의 전압을 동일하게 하기 위한 제1스위칭소자; 및
상기 입력단과 상기 저전위 사이에 연결되어 상기 제1스위칭소자가 온될 경우 상기 제1출력단의 전압을 충전하는 제1커패시터를 포함하고, 상기 제1 및 제2트랜지스터 중 어느 하나는 보호막이 적층되고, 나머지 하나가 센서로 작동되는 카본나노튜브를 이용한 센서 회로
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제1항에 있어서,
상기 제1트랜지스터는 증가형 또는 공핍형 트랜지스터 구조인 것인 카본나노튜브를 이용한 센서 회로
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제1항에 있어서,
상기 제1출력단을 입력으로 하는 인버터-그 출력은 제2출력단으로 출력됨-가 더 연결된 것인 카본나노튜브를 이용한 센서 회로
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제6항에 있어서, 상기 인버터는,
상기 고전위와 연결되는 제3드레인과, 상기 제2출력단과 연결되는 제3소스를 포함하고, 상기 제3드레인과 상기 제3소스 사이에 제3카본나노튜브가 전류통로로서 형성되는 제3트랜지스터;
상기 제2출력단과 연결되는 제4드레인과, 상기 저전위와 연결되는 제4소스를 포함하고, 상기 제4드레인과 상기 제4소스 사이에 제4카본나노튜브가 전류통로로서 형성되는 제4트랜지스터;
상기 제1출력단과 상기 제2출력단 사이에 연결되어, 소정의 제어신호에 따라 온/오프되는 제2스위칭소자;
상기 제1출력단과 상기 저전위 사이에 연결되어, 상기 제1출력단의 전압을 충전하기 위한 제2캐패시터; 및
상기 제1출력단과 상기 제2스위칭소자 사이에 연결된 커플링 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브를 이용한 센서 회로
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제7항에 있어서,
상기 제1트랜지스터/제4트랜지스터 또는 상기 제2트랜지스터/제3트랜지스터 중 어느 하나의 세트가 보호막이 적층되고, 나머지 하나의 세트가 센서로 작동되도록 형성된 카본나노튜브를 이용한 센서 회로
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