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제 1 기판 상부에 발광 소자를 형성하는 단계;
상기 기판의 상부에 포토레지스트를 증착하고 상기 포토레지스트 및 발광 소자의 상부에 반사막을 형성하는 단계;
상기 반사막의 상부에 포토레지스트를 증착하는 단계;
상기 포토레지스트의 상부에 제 2기판을 형성하는 단계; 및
상기 제 1기판 및 포토레지스트를 제거하고, 상기 발광 소자 상부에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이중포토레지스트를 이용한 수직형 발광 소자 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 제 1기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 이중포토레지스트를 이용한 수직형 발광 소자 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 발광 소자를 형성하는 단계에서는,
상기 발광 다이오드 하부의 제 1기판의 일부를 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이중포토레지스트를 이용한 수직형 발광 소자 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 반사막은 은(Ag), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 및 로듐(Rh)으로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 또는 하나 이상의 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이중포토레지스트를 이용한 수직형 발광 소자 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 반사막은 전자빔 증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 이중포토레지스트를 이용한 수직형 발광 소자 제조방법
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6
제 1 항에 있어서, 상기 발광 소자는,
발광 다이오드 상부에 투명 전도막 또는 고 반사막 금속, 부착금속, 장벽 금속 및 접합 금속으로 구성된 그룹 중 선택되는 하나 또는 그 이상의 금속이 형성되는 것을 특징으로 하는 이중포토레지스트를 이용한 수직형 발광 소자 제조방법
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제 6 항에 있어서,
상기 발광 다이오드는 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 질화갈륨계(GaN) 발광 다이오드인 것을 특징으로 하는 이중포토레지스트를 이용한 수직형 발광 소자 제조방법
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8
제 1 항에 있어서,
상기 제 2기판은 크롬(Cr), 니켈(Ni), 금(Au), 구리(Cu) 또는 상기 금속들의 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 이중포토레지스트를 이용한 수직형 발광 소자 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 제 2기판은 플레이팅 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 이중포토레지스트를 이용한 수직형 발광 소자 제조방법
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제 1 항의 제조 방법에 의해 형성된 이중포토레지스트를 이용한 수직형 발광 소자
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