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열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지 및 그의제조방법

  • 기술번호 : KST2014023519
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법에 관한 것으로 빛을 방출하는 발광 다이오드를 포함하고, 상기 발광 다이오드가 결합되는 배선기판에 구비되어, 상기 발광 다이오드로부터 발생되는 열을 방출하기 위해 비아홀 내벽에 비아홀 크기의 50% 이상으로 두꺼운 구리 벽을 형성하거나, 구리 벽 이외의 공간에 열 전도성 금속 또는 충진제로 충진하여 구성된 하나 이상의 비아홀을 포함한다. 본 발명에 의하면, 유기 및 무기 재료의 기판의 낮은 열 전도도를 유효 개수의 비아홀을 형성함으로써, 열 방출의 유효면적에 대한 높은 열 전도도를 제공하며 기존 패키지에 비하여 낮은 열 저항 및 높은 열 전달 효율을 제공함은 물론 가격 대비 높은 성능의 패키지를 제공할 수 있다.발광 다이오드, 비아홀, 구리, 충진제
Int. CL H01L 33/64 (2010.01.01) H01L 23/36 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020070051582 (2007.05.28)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-0889512-0000 (2009.03.12)
공개번호/일자 10-2009-0001849 (2009.01.09) 문서열기
공고번호/일자 (20090319) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.28)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영우 대한민국 광주광역시 광산구
2 황남 대한민국 광주광역시 광산구
3 유영문 대한민국 서울 관악구
4 염홍서 대한민국 서울 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0389186-84
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0014332-58
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0159792-30
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0373417-52
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0453662-86
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.06.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0453660-95
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0520991-99
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0752004-44
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0752007-81
11 등록결정서
Decision to grant
2009.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0099164-26
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
배선기판의 상부에 수직형 또는 수평형으로 구비되는 발광 다이오드가 결합된 발광 다이오드 패키지에 있어서, 상기 발광 다이오드가 결합되는 부분의 배선기판은 내부가 열 전도성 금속 또는 충진제로 도금된 적어도 하나 이상의 비아홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 비아홀의 열 전도성 금속은 구리(Cu)인 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 비아홀의 도금 비율은 100%인 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 충진제는 에폭시 또는 실리콘에 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu) 및 세라믹(AIN, SiC)을 50% 이상 함침시키는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 충진제의 상부에 금속 패드가 형성되는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 금속 패드의 크기는 발광 다이오드 1
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 비아홀을 구비한 배선기판의 상면 부에 형성되며, 내부에 상기 발광 다이오드를 포함하는 봉지제 및 형광체를 패키징하는 반사컵을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 비아홀의 하면 부에 형성되며, 열을 방출하는 방열판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 방열판은 열전도도가 2W/(m·K)이상인 비전도성 접합제로 상기 배선기판에 접합되는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 접합제는 열전도율이 50W/(m·K)이상의 세라믹 비드가 50% 이상 함침되는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지
12 12
배선기판에 하나 이상의 비아홀을 형성하는 제 1 단계;상기 비아홀의 내부를 열 전도성 금속 또는 충진제로 도금하는 제 2 단계; 및상기 비아홀의 상부에 발광 다이오드를 형성하는 제 3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서, 제 2 단계에서는 상기 비아홀 상면부에 금속 패드가 형성되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지 제조방법
14 14
제 12항에 있어서, 상기 제 2단계에서 상기 비아홀의 도금 비율은 100%인 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.