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배선기판의 상부에 수직형 또는 수평형으로 구비되는 발광 다이오드가 결합된 발광 다이오드 패키지에 있어서, 상기 발광 다이오드가 결합되는 부분의 배선기판은 내부가 열 전도성 금속 또는 충진제로 도금된 적어도 하나 이상의 비아홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지
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제 1 항에 있어서, 상기 비아홀의 열 전도성 금속은 구리(Cu)인 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지
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제 1 항에 있어서, 상기 비아홀의 도금 비율은 100%인 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지
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제 1 항에 있어서, 상기 충진제는 에폭시 또는 실리콘에 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu) 및 세라믹(AIN, SiC)을 50% 이상 함침시키는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지
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제 1 항에 있어서, 상기 충진제의 상부에 금속 패드가 형성되는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지
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제 6 항에 있어서, 상기 금속 패드의 크기는 발광 다이오드 1
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제 1 항에 있어서, 상기 비아홀을 구비한 배선기판의 상면 부에 형성되며, 내부에 상기 발광 다이오드를 포함하는 봉지제 및 형광체를 패키징하는 반사컵을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지
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제 1 항에 있어서, 상기 비아홀의 하면 부에 형성되며, 열을 방출하는 방열판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지
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제 9 항에 있어서, 상기 방열판은 열전도도가 2W/(m·K)이상인 비전도성 접합제로 상기 배선기판에 접합되는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지
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제 10 항에 있어서, 상기 접합제는 열전도율이 50W/(m·K)이상의 세라믹 비드가 50% 이상 함침되는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지
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배선기판에 하나 이상의 비아홀을 형성하는 제 1 단계;상기 비아홀의 내부를 열 전도성 금속 또는 충진제로 도금하는 제 2 단계; 및상기 비아홀의 상부에 발광 다이오드를 형성하는 제 3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지 제조방법
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제 12 항에 있어서, 제 2 단계에서는 상기 비아홀 상면부에 금속 패드가 형성되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지 제조방법
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제 12항에 있어서, 상기 제 2단계에서 상기 비아홀의 도금 비율은 100%인 것을 특징으로 하는 열전달 비아홀을 구비한 발광 다이오드 패키지 제조방법
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