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P-N-P-N형 또는 N-P-N-P형으로 수직접합된 2개 이상의 발광 다이오드 칩들이, 납-주석(PbSn) 합금 솔더, 금-주석(AuSn) 합금 솔더, 주석-은-구리(SnAgCu) 합금 솔더, 주석에 비스무스, 아연, 인듐, 니켈 중에서 1종 이상을 선택하여 혼합한 무연 솔더 및 전도성 접착제로 구성된 그룹에서 선택한 어느 하나로 접합되어 수직으로 적층되는 것을 특징으로 하는 적층형 발광 다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 적층되는 발광 다이오드 칩들의 최상부의 발광 다이오드 칩은 투명한 기판 위에 반도체 층이 형성된 칩인 것을 특징으로 하는 적층형 발광 다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 적층되는 발광 다이오드 칩들은 형광체를 포함하거나 혹은 포함되지 않은 봉지재로 패키징 되는 것을 특징으로 하는 적층형 발광 다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 적층되는 발광 다이오드 칩들이 방출하는 파장이 같거나 또는 다른 것을 특징으로 하는 적층형 발광 다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 적층되는 발광 다이오드 칩들의 크기가 서로 같거나 또는 다른 것을 포함하는 적층형 발광 다이오드
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삭제
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삭제
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회로기판 위에 P형 전극부가 하부에 부착된 발광 다이오드 칩을 접속하는 단계;상기 칩 위에 상기 발광 다이오드 칩과 파장이 같거나 혹은 다른 발광 다이오드 칩을 하나 이상 수직으로 접속하는 단계;상기 적층된 발광 다이오드 칩의 최상부 칩에 와이어 본딩하는 단계;상기 발광 다이오드 칩을 봉지재로 패키징하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 발광 다이오드의 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 적층된 발광 다이오드 칩의 최상부 칩은 투명한 기판 위에 반도체 층이 형성된 발광 다이오드 칩으로서, 투명한 기판이 위로 향하도록 접착되는 것을 포함하는 적층형 발광 다이오드의 제조 방법
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10
제 8항에 있어서, 상기 적층되는 발광 다이오드 칩은 P-N-P-N형의 수직접합 또는 N-P-N-P형의 수직접합인 것을 특징으로 하는 적층형 발광 다이오드의 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 발광 다이이드 칩들을 접속하는 것은 납-주석(PbSn) 합금 솔더, 금-주석(AuSn) 합금 솔더, 주석-은-구리(SnAgCu) 합금 솔더, 주석에 비스무스, 아연, 인듐, 니켈 중에서 1종 이상을 선택하여 혼합한 무연 솔더 및 전도성 접착제로 구성된 그룹에서 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 적층형 발광 다이오드의 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 봉지재는 형광체를 포함하거나 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 적층형 발광 다이오드의 제조 방법
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