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기판과,상기 기판의 상부에 적층된 제 1도핑층과,상기 제 1도핑층의 일측의 메사 식각된 저면에 적층된 제 1전극과,상기 제 1도핑층의 식각되지 않은 부분의 상부에 적층된 활성층과,상기 활성층의 상부에 순차로 적층된 제 2도핑층 및 투명전극과,상기 제 2도핑층 및 투명전극의 일측에 적층된 제 2전극을 포함하는 발광소자에 있어서,상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이 영역의 제 2도핑층 및 투명전극은, 제 2도핑층의 상층부가 격자구조이고, 상기 격자구조의 상부면에만 투명전극이 설치되는 것을 특징으로 하는 전기적 특성을 향상한 광자결정 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1도핑층 및 제 2도핑층은 질화갈륨(GaN)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 특성을 향상한 광자결정 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 활성층은 양자우물층(MQW)인 것을 특징으로 하는 전기적 특성을 향상한 광자결정 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 전기적 특성을 향상한 광자결정 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1전극은 제 1도핑층과 같은 극성을 가진 전극이고, 상기 제 2전극은 제 2도핑층과 같은 극성을 가진 전극으로서, 각각 N 전극과 P전극 중에 선택되는 반대 전극인 것을 특징으로 하는 전기적 특성을 향상한 광자결정 발광 소자
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기판 위에 제 1도핑층, 활성층 및 제 2도핑층이 순차적으로 적층된 발광 소자의 제조방법에 있어서, 상기 제 2도핑층의 상부에 투명전극을 증착하는 1단계;상기 투명전극의 상부에 나노 사이즈의 패터닝을 실시하는 2단계;상기 패터닝을 따라 상기 투명전극과 상기 제 2 도핑층의 상부층을 동시에 식각하여 격자구조를 형성하고, 제 2도핑층의 격자구조의 돌출된 상부면에 투명전극이 구비된 구조를 형성하는 3단계; 및상기 3단계를 통해 형성된 발광 소자의 일측에 메사 식각을 실행하여 상기 식각된 저면에 제 1전극을 형성하고, 상기 발광 소자의 타측 상부에 제 2전극을 형성하는 4단계를 포함하는 전기적 특성을 향상한 광자결정 발광 소자 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 나노 사이즈의 패터닝 방법은 이빔, 레이저 홀로그래피, 나노임프린트 중에서 선택된 어느 하나의 방법인 것을 특징으로 하는 전기적 특성을 향상한 광자결정 발광 소자 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 2단계의 나노 사이즈 패터닝은 상기 투명전극 상부에 이산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4), 포토레지스터(photoresist), 아이티오(ITO), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 및 금(Au)으로 구성된 그룹 중에서 선택된 어느 하나의 물질을 식각 마스크 물질로 하여 수행되는 것을 특징으로 하는 전기적 특성을 향상한 광자결정 발광 소자 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 제 1전극은 제 1도핑층과 같은 극성을 가진 전극이고, 상기 제 2전극은 제 2도핑층과 같은 극성을 가진 전극으로서, 각각 N 전극과 P전극 중에 선택되는 반대 전극인 것을 특징으로 하는 전기적 특성을 향상한 광자결정 발광 소자 제조방법
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