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기판; 기판의 상부일단에 형성되어 외부로부터 입사된 광이 다수의 주파수대역으로 분산 및 도파되는 제1광도파부; 상기 기판의 상부타단에 형성되어 상기 제1광도파부에서 분산 및 도파된 광을 강도변조(Intensity Modulation)시키도록 도파하는 제2광도파부; 상기 기판과 제1광도파부, 제2광도파부를 포함하는 상부에 형성된 유전체층; 상기 유전체층의 상면일단에 형성되어, 외부로부터 입력된 RF신호를 다수의 서브RF신호로 분기하고, 분기한 서브RF신호에 따라 상기 제1광도파로를 통해 도파되는 단일 주파수 광에 정재파가 발생되도록 형성한 단일주파수매칭부; 및 상기 유전체층의 상면타단에 형성되어, 외부에서 공급되는 구동전압에 따라 전계를 발생해 상기 제2광도파부를 통해 도파되는 광을 강도변조시키는 강도변조부로 이루어지는, 광 변조기
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제 1 항에 있어서, 상기 단일주파수매칭부는; 상기 유전체층의 상면일단에 형성되어, 외부로부터 RF신호를 입력받아 임피던스매칭용 서브RF신호와 위상변조용 서브RF신호로 분기하는 RF신호 입력/분기부; 상기 RF신호 입력/분기부로부터 분기된 임피던스매칭용 서브RF신호를 통해 임피던스 매칭시키는 임피던스매칭부; 상기 RF신호 입력/분기부로부터 분기된 위상변조용 서브RF신호에 따라 상기 제1광도파로를 통해 도파되는 광에 정재파를 발생시켜 위상변조시키는 위상변조부로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 광 변조기
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제 2 항에 있어서, 상기 RF신호 입력/분기부는; 상기 유전체층의 상면일단에 형성되어 외부로부터 RF신호를 입력받는 제1전극몸체; 상기 제1전극몸체의 일측에 상기 임피던스매칭부와 전기적으로 연결되도록 형성되어 상기 제1전극몸체로 입력된 RF신호를 임피던스매칭용 서브RF신호로 분기하여 상기 임피던스매칭부로 전달하는 제1분기용 암(arm); 상기 제1전극몸체의 타측에 상기 위상변조부와 전기적으로 연결되도록 형성되어 상기 제1전극몸체로 입력된 RF신호를 위상변조용 서브 RF신호로 분기하여 상기 위상변조부로 전달하는 적어도 두 개 이상의 제2분기용 암(arm)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 광 변조기
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제 2 항에 있어서, 상기 임피던스매칭부는; 상기 RF신호 입력/분기부의 일측과 전기적으로 연결되어 상기 RF신호 입력/분기부로부터 분기된 임피던스매칭용 서브RF신호를 전달받는 제3분기용 암(arm); 상기 제3분기용 암과 전기적으로 연결되어 전달된 임피던스매칭용 서브RF신호를 외부로 방사하는 제2전극몸체로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 광 변조기
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제 2 항에 있어서, 상기 위상변조부는; 상기 RF신호 입력/분기부의 타측과 전기적으로 연결되어 위상변조용 서브RF신호를 전달받도록 형성된 적어도 두 개 이상의 제4분기용 암(arm); 상기 제4분기용 암(arm)을 통해 전달된 위상변조용 서브RF신호를 외부로 방사하는 제5분기용 암; 상기 제4분기용 암(arm)과 제5분기용 암(arm)을 지지하도록 전기적으로 연결된 제3전극몸체로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 광 변조기
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제 2 항에 있어서, 상기 위상변조부는; 상기 RF신호 입력/분기부의 타측과 전기적으로 연결되어 위상변조용 서브RF신호를 전달받도록 형성된 적어도 두 개 이상의 제4분기용 암(arm); 상기 제4분기용 암(arm)을 통해 전달된 위상변조용 서브RF신호를 외부로 방사하는 제5분기용 암; 상기 제4분기용 암(arm)과 제5분기용 암(arm)을 지지하도록 전기적으로 연결된 제3전극몸체로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 광 변조기
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