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개선된 발광 효율을 갖는 발광 다이오드 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014023817
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 개선된 발광 효율을 갖는 발광 다이오드(light emitting diode; LED)에 관한 것으로, LED 구조 내에서 관통 전위와 같은 층 결함의 감소 및 표면 플라즈몬 공명 효과를 동시에 구현함으로써 종래기술의 기술적 한계를 효과적으로 극복할 수 있는 장점을 갖는다.
Int. CL H01L 33/02 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100009468 (2010.02.02)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1038923-0000 (2011.05.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110603) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.02)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이인환 대한민국 전라북도 전주시 완산구
2 장이운 대한민국 전라북도 순창군
3 주진우 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
4 최정훈 대한민국 전라북도 익산시
5 박재우 대한민국 충청남도 금산군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준혁 대한민국 경기도 수원시 팔달구 중부대로 *** B동 *층(우만동, 신아빌딩)(유니크국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0071058-17
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
3 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0263730-76
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 제1 도전형 반도체층을 제공하는 단계;b) 상기 제1 도전형 반도체층의 상면에 다공성 영역을 형성하는 단계;c) 상기 다공성 영역이 형성된 제1 도전형 반도체층 상에 금속층을 형성하는 단계;d) 상기 금속층 상에 제1 도전형 반도체층을 재성장시키는 단계;e) 상기 재성장된 제1 도전형 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및f) 상기 활성층 상에 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 단계 d)에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체층은 상기 금속층이 다공성 영역에 불연속적으로 패턴화된 상태에서 재성장되고, 그리고 상기 재성장된 제1 도전형 반도체층은 상기 패턴화된 금속층과 상기 활성층 간의 표면 플라즈몬 공명을 발생시키는 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 단계 a)는 기판 상에 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 기판은 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC), 갈륨비소(GaAs), 질화갈륨(GaN), 실리콘(Si), 갈륨인(GaP), 인듐인(InP), 산화아연(ZnO), MgAl2O4 MgO, LiAlO2, 또는 LiGaO2인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 단계 a)에서 제공되는 제1 도전형 반도체층의 두께는 0
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체는 n-형 반도체이고, 상기 제2 도전형 반도체는 p-형 반도체인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체는 GaN, AlN, InP, InS, GaAs, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, AlxGa1-xN, InxGa1-xN, InxGa1-xAs, ZnxCd1-xS 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법:상기에서, 0003c#x003c#1임
6 6
제1항에 있어서, 상기 다공성 영역은 습식 에칭에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 습식 에칭은 PEC 에칭인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 다공성 영역의 두께는 30 내지 3,000 nm 범위인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 다공성 영역은 복수의 나노 로드를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 나노 로드의 폭은 5 내지 400 nm, 그리고 높이는 30 내지 1,000 nm 범위인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 금속층의 재질은 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu), 금(Au), 크롬(Cr) 또는 이의 조합인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 단계 c)에서 형성되는 금속층의 두께는 1 내지 3,000 ㎚ 범위인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
13 13
제1항에 있어서, 상기 금속층의 불연속적 패턴은 어닐링에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
14 14
제13항에 있어서,상기 어닐링은 단계 d)에 앞서 또는 단계 d) 과정에서 수행되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
15 15
제1항에 있어서, 상기 단계 d)는 유기금속화학증착법(MOCVD)에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
16 16
제1항에 있어서, 상기 금속층의 불연속적 패턴은 불연속적으로 분포된 도트(dot), 도트가 연결된 섬(island) 또는 이들이 공존하는 패턴인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
17 17
제1항에 있어서,상기 재성장된 제1 도전형 반도체층의 두께는 1 내지 300 nm 범위인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
18 18
제1항에 있어서,상기 활성층은 GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN, InAlGaN 및 AlInN으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 2가지 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
19 19
제18항에 있어서,상기 활성층은 다중양자우물 또는 단일양자우물 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
20 20
제1항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체층의 두께는 50 내지 900 ㎚ 범위인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
21 21
상면에 다공성 영역을 갖는 제1 도전형 반도체층;상기 제1 도전형 반도체층의 다공성 영역에 형성된, 불연속적 패턴의 금속층;상기 불연속적 패턴의 금속층 상에 형성된 제1 도전형 반도체의 재성장층;상기 제1 도전형 반도체 재성장층 상에 형성된 활성층; 및상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 반도체층;을 포함하고,상기 제1 도전형 반도체의 재성장층은 상기 불연속적 패턴의 금속층과 상기 활성층 간의 표면 플라즈몬 공명을 발생시키는 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02355179 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02355179 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP23159956 JP 일본 FAMILY
4 US08476088 US 미국 FAMILY
5 US20110186863 US 미국 FAMILY
6 WO2011096626 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2355179 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2355179 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2011159956 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2011186863 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US8476088 US 미국 DOCDBFAMILY
6 WO2011096626 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 전북대학교 중견연구자지원사업(핵심연구사업) InAlGaN 질화물반도체의 양자구조제어 및 표면플라즈몬공명결합을 통한 고효율 자외선발광소자 제작 기술