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기판 상에 박막 투명전극층을 증착하는 단계(단계 1);
상기 단계 1에서 제조된 투명전극층 위에 포토레지스트를 코팅한 후 마스크 또는 레티클과 노광장치를 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계(단계 2);
상기 단계 2에서 제조된 포토레지스트 패턴이 형성된 투명전극층 상에 박막 투명전극층을 추가로 증착하는 단계(단계 3); 및
상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계(단계 4)를 포함하는 리프트오프 공정을 이용한 패턴이 형성된 100~350 nm 두께를 갖는 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 1 및 단계 3의 투명전극층에 사용되는 물질은 ZnO, In2O3, SnO2, ITO, FTO, AZO 및 IZO로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 이의 혼합산화물인 것을 특징으로 하는 리프트오프 공정을 이용한 패턴이 형성된 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 1 및 단계 3의 투명전극층을 형성하는 방법은 직류 마그네트론 스퍼터링, 라디오 주파수 마그네트론 스퍼터링, 졸-겔(Sol-Gel)법, 증발법, 화학증착법 및 기상증착법으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 리프트오프 공정을 이용한 패턴이 형성된 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 1의 투명전극층은 투명전극의 최종 두께에 대하여 10~50%의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 리프트오프 공정을 이용한 패턴이 형성된 투명전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 4는 스트리퍼(stripper) 용액, 아세톤 또는 O2 애싱법을 이용하여 포토레지스트 패턴을 제거하는 것을 특징으로 하는 리프트오프 공정을 이용한 패턴이 형성된 투명전극의 제조방법
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6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되고, 투명전극의 두께는 100~350 nm인 것을 특징으로 하는 패턴이 형성된 투명전극
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제6항의 패턴이 형성된 투명전극을 구비하는 고효율 태양전지
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제9항에 있어서, 상기 고효율 태양전지는 염료감응형 태양전지, 유기분자 태양전지, 실리콘 박막형 태양전지 또는 화합물 반도체 박막형 태양전지인 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지
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