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산화물 나노튜브, 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 센서

  • 기술번호 : KST2014023872
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 산화물 나노튜브의 제조 방법, 그에 의한 산화물 나노튜브, 및 상기 산화물 나노튜브를 이용한 센싱부를 포함하는 센서에 관한 것으로서, 상기 제조 방법은, 전기방사 공정에 의하여 고분자 나노섬유 주형을 형성하고, 상기 주형 표면에 다양한 박막 형성 방법을 이용하여 산화물 박막을 형성하여 고분자 나노섬유 주형/산화물 박막 이중구조 나노섬유를 제조하고, 이를 열처리하여 상기 고분자 나노섬유 주형을 제거함으로써 산화물 나노튜브를 형성하는 것을 포함하여, 제조되는 상기 산화물 나노튜브의 직경 또는 두께를 용이하고 저비용으로 제어할 수 있어 보다 균일한 두께, 화학조성비 및 형태를 갖는 산화물 나노튜브를 저비용 및 대량으로 제조할 수 있다.나노튜브, 고분자 나노섬유 주형, 전기방사, 산화물 박막
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) D01D 5/00 (2006.01)
CPC D01D 5/24(2013.01) D01D 5/24(2013.01) D01D 5/24(2013.01) D01D 5/24(2013.01) D01D 5/24(2013.01) D01D 5/24(2013.01) D01D 5/24(2013.01) D01D 5/24(2013.01)
출원번호/일자 1020090131205 (2009.12.24)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1171335-0000 (2012.07.31)
공개번호/일자 10-2011-0074289 (2011.06.30) 문서열기
공고번호/일자 (20120810) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.24)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상섭 대한민국 인천광역시 남구
2 박재영 대한민국 광주광역시 북구
3 최선우 대한민국 경상북도 김천시 평

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0803583-77
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0089258-42
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0524722-11
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.09.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0075083-30
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0893056-18
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0893057-64
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0768819-96
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0149633-92
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0149634-37
11 등록결정서
Decision to grant		 2012.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0438824-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전기방사(electrospinning) 공정에 의하여 고분자 나노섬유 주형(template)을 형성하고;상기 고분자 나노섬유 주형 표면에 산화물 박막을 형성하여 고분자 나노섬유 주형/산화물 박막 이중구조 나노섬유를 제조하고; 상기 고분자 나노섬유 주형/산화물 박막 이중구조 나노섬유를 열처리하여 상기 고분자 나노섬유 주형을 제거함으로써 산화물 나노튜브를 형성하는 것을 포함하며, 상기 산화물 박막을 형성하는 것은 원자층 증착법(ALD)에 의해 수행되는 것이고,상기 원자층 증착법은 금속 전구체 및 산소 전구체를 개별적으로 분리하여 공급함으로써 수행되며, 상기 금속 전구체의 공급 공정 및 상기 산소 전구체의 공급 공정이 불활성 기체의 공급 공정을 통하여 분리되도록 하는 것인,산화물 나노튜브의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 산화물 박막은 TiO2, ZnO, SnO2, MnO2, MgO, NiO, WO3, Co3O4, Fe2O3, In2O3, ZrO2, V2O5, CeO2, PbTiO3, RuO, SiO2, Ta2O5, 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 금속 산화물 박막인, 산화물 나노튜브의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 고분자 나노섬유 주형의 직경은 상기 전기방사 공정에 사용되는 노즐의 직경을 변화시킴으로써 제어되며, 이를 통해 상기 산화물 나노튜브의 직경을 조절하는 것인, 산화물 나노튜브의 제조 방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 산화물 박막 형성 공정의 수행 횟수를 조절함으로써 상기 산화물 박막 나노튜브의 벽 두께를 제어하는 것을 포함하는, 산화물 나노튜브의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 열처리는 400℃ 이상에서 수행하는 것을 포함하는, 산화물 나노튜브의 제조 방법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
기판;제 1 항 내지 제 3 항, 제 5 항, 및 제 6 항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 제조된 산화물 나노튜브를 이용하여 제조된 센싱부(sensing part); 및,상기 센싱부의 양 말단 상에 서로 이격되어 있는 두 개의 전극층을 포함하는, 나노 화학 센서
10 10
제 9 항에 있어서,상기 센싱부에 있어서 상기 산화물 나노튜브가 네트워크(network) 형태로 되어 있는 것인, 나노 화학 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.