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초음파를 이용한 산화아연 나노와이어로의 전이금속 도핑방법

  • 기술번호 : KST2014023944
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화아연 나노와이어에 전이금속을 도핑하는 방법에 관한 것으로, 상세하게는 a) 기판 상부에 아연박막을 형성시키는 단계; b) 아연박막이 형성된 기판을 아연염, 환원제 및 전이금속염을 함유하는 수용액에 침지하는 단계; 및 c) 상기 수용액에 초음파를 가하여 상기 아연박막 상에 전이금속이 도핑된 산화아연 나노와이어를 생성 및 성장시키는 단계;를 포함하는 특징이 있다. 초음파, 공동효과, 산화아연, 나노와이어, 불순물, 전이금속, 도핑
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020080021062 (2008.03.06)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-0989140-0000 (2010.10.14)
공개번호/일자 10-2009-0095861 (2009.09.10) 문서열기
공고번호/일자 (20101020) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.03.06)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강상우 대한민국 서울 용산구
2 윤주영 대한민국 서울 양천구
3 성대진 대한민국 충남 공주시
4 신용현 대한민국 대전시 유성구
5 정수환 대한민국 대구광역시 수성구
6 오유진 대한민국 대구광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0165821-16
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0088126-68
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0263559-83
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.05.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0337088-48
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0337073-64
6 등록결정서
Decision to grant
2010.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0435885-33
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 기판 상부에 아연박막을 형성시키는 단계; b) 아연박막이 형성된 기판을 아연염, 환원제 및 Mn, Fe, Co 및 Ni 군에서 하나 이상 선택된 전이금속의 질산염, 아세트산염 또는 이들의 혼합염인 전이금속염을 함유하며 상기 아연염의 몰농도가 1
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서, 상기 환원제는 헥사메틸렌테트라민인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노와이어를 전이금속으로 도핑하는 방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 기판은 반도체, 부도체, 금속 또는 폴리머 기판인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노와이어를 전이금속으로 도핑하는 방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 아연염은 질산아연, 아세트산아연 또는 이들의 혼합염인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노와이어를 전이금속으로 도핑하는 방법
9 9
삭제
10 10
제 8항에 있어서, 상기 수용액의 아연염: 환원제의 농도비는 1:1 내지 1:10 인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노와이어를 전이금속으로 도핑하는 방법
11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원부 한국표준과학연구원 진공기술기반구축사업 진공기술기반구축사업