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전자빔 조사를 이용한 오산화바나듐 박막의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 에너지 저장능력이 향상된 오산화바나듐 박막

  • 기술번호 : KST2014024036
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자빔 조사를 이용한 오산화바나듐 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 에너지 저장능력이 향상된 오산화바나듐 박막에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 황산바나듐 분말을 증류수와 에탄올 혼합용액에 용해시켜 전해질 용액을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 전해질 용액에 기판을 침지시키고, 전기화학적 증착법으로 오산화바나듐 박막을 제조하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 제조된 박막에 전자빔을 조사하는 단계(단계 3)를 포함하는 오산화바나듐 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 에너지 저장능력이 향상된 오산화바나듐 박막에 관한 것이다. 본 발명에 따른 오산화바나듐 박막의 제조방법은 고온의 소성 공정을 대신해 전자빔 조사를 이용하여 제조방법의 효율성을 높이며, 상기 제조방법으로 제조된 오산화바나듐 박막은 박막의 결정성 및 에너지 저장능력이 향상되므로, 촉매, 리튬 2차 전지 및 초고용량 커패시터의 전극재료 등에 유용하게 사용될 수 있다.황산바나듐, 전기화학적 증착법, 전자빔 조사, 오산화바나듐 박막
Int. CL B01J 23/22 (2006.01) H01M 4/48 (2010.01) H01G 9/042 (2006.01) C01G 31/02 (2006.01)
CPC C25D 9/04(2013.01) C25D 9/04(2013.01) C25D 9/04(2013.01)
출원번호/일자 1020090072824 (2009.08.07)
출원인 인하대학교 산학협력단, 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-1122630-0000 (2012.02.24)
공개번호/일자 10-2011-0015216 (2011.02.15) 문서열기
공고번호/일자 (20120309) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.07)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구
2 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백성현 대한민국 서울특별시 양천구
2 김경화 대한민국 인천광역시 서구
3 김길표 대한민국 서울특별시 구로구
4 정소미 대한민국 충청북도 충주시 탄
5 김민완 대한민국 충남 아산시
6 양기호 대한민국 대전광역시 대덕구
7 이병철 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0483730-75
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0023039-89
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0355249-06
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0665800-45
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0665801-91
8 등록결정서
Decision to grant
2012.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0105954-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
황산바나듐 분말을 증류수와 에탄올 혼합용액에 용해시켜 전해질 용액을 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 전해질 용액에 기판을 침지시키고, 전기화학적 증착법으로 오산화바나듐 박막을 제조하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 제조된 박막에 전자빔을 조사하는 단계(단계 3)를 포함하여 이루어지는 에너지 저장능력이 향상된 오산화바나듐 박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 황산바나듐 분말은 전해질 용액 내에서 5 - 100 mM이 되도록 용해시키는 것을 특징으로 하는 오산화바나듐 박막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 전해질 용액은 0 - 90 ℃의 온도범위에서 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 오산화바나듐 박막의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 전기화학적 증착은 0
5 5
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 전기화학적 증착은 0
6 6
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 전기화학적 증착은 3원 전극 시스템을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 오산화바나듐 박막의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 3원 전극 시스템은 기준전극을 Ag/AgCl전극 또는 포화 칼로멜 전극(Sat''d Calomel Electrode, SCE)으로, 상대전극을 백금전극으로, 작업전극을 증착되는 기판으로 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 오산화바나듐 박막의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 기판은 ITO 유리, 스테인리스 스틸, 흑연 및 백금판으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 오산화바나듐 박막의 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 단계 3의 전자빔 에너지는 0
10 10
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조되는 에너지 저장능력이 향상된 오산화바나듐 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.