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단결정실리콘 시소동작 미소거울 어레이 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014024073
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광의 방향을 변화시키는 광 스케너나 동적 광 이득 보상기용으로 이용되는 동적 거울로 이용하기 위한 단결정실리콘 시소동작 미소거울 어레이에 관한 것이다. 횡축으로 넓게 입사되는 분산된 빛을 시소 형태의 단결정 실리콘 면 구조를 이용하여 원하는 방향으로의 반사률을 높일 수 있도록 하였고, 거울간의 간격을 최소화하여 광의 손실을 최소화하였다. 시소 구조에서 거울의 기울어짐을 얻기 위한 구동원 부분 제작을 위하여 MEMS의 표면마이크로가공기술을 이용한 정전 구동형 캔틸레버를 제작하였고 SOI (silicon on insulator) 웨이퍼를 이용하여 물리적 특성이 좋고 조도가 우수한 단결정 실리콘면을 거울로 제작하였다. 특히 시소 구조를 이용함으로써 구동력을 발생시키는 면에서의 물리적 변형이 시소의 회전축을 중심으로 거울면에 영향을 주는 특징을 가지고 있다. 캔틸레버, 미소거울, SOI 웨이퍼, 시소구조거울,
Int. CL G02B 26/08 (2006.01)
CPC G02B 26/0841(2013.01) G02B 26/0841(2013.01) G02B 26/0841(2013.01) G02B 26/0841(2013.01) G02B 26/0841(2013.01) G02B 26/0841(2013.01) G02B 26/0841(2013.01)
출원번호/일자 1020040082894 (2004.10.16)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0697715-0000 (2007.03.14)
공개번호/일자 10-2006-0033819 (2006.04.20) 문서열기
공고번호/일자 (20070320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 보정승인간주
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.10.16)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문성욱 대한민국 경기도 남양주시
2 신현준 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2004-0470272-88
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0362788-95
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.08.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0576199-74
4 의견서
Written Opinion
2006.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2006-0576193-01
5 등록결정서
Decision to grant
2006.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0768476-66
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
MEMS 표면마이크로가공기술을 이용하여 금속 및 다결정 실리콘 캔틸레버형 구조로 제조된 적어도 하나의 구동기부와,벌크마이크로가공기술을 이용하여 금속거울면으로 제조된 적어도 하나의 거울 구조부와,상기 구동기부와 상기 거울 구조부를 잇는 연결부와, 상기 연결부의 양측에 설치되는 가이드부와, 상기 양측 가이드부를 연결하도록 하고 상기 연결부의 저측에 형성되는 회전스프링부를 포함하고,상기 구동기부와 거울구조부는 분리 제작되어 연결부에 결합되는 것을 특징으로 하는 단결정실리콘 시소동작 미소거울 어레이
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 구동기부는 복수개가 배열된 구조이고, 상기 거울 구조부는 상기 구동기부의 수에 대응되도록 배열된 구조인 것을 특징으로 하는 단결정실리콘 시소동작 미소거울 어레이
3 3
청구항 1에 있어서,상기 구동기부는 정전력, 자기력 또는 열적변형력에 의한 상하 운동력으로 구동하는 것을 특징으로 하는 단결정실리콘 시소동작 미소거울 어레이
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 거울 구조부는 단결정 실리콘이나 다결정 실리콘을 이용하여 제조된 초소형인 것을 특징으로 하는 단결정실리콘 시소동작 미소거울 어레이
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 구동기부와 상기 거울 구조부는 회전스프링부를 중심으로 시소 형태를 이루는 것을 특징으로 하는 단결정실리콘 시소동작 미소거울 어레이
6 6
하측 실리콘면에 해당하는 캔틸레버 받침부와, 상기 캔틸레버 받침부의 상면 일측에 가로방향으로 형성된 정전력을 위한 전극 패드와, 상기 전극패드를 제외한 상기 캔틸레버 받침부의 상면에 도포되는 SOI 웨이퍼의 실리콘 산화막과, 상기 실리콘 산화막 면상에 길이 방향으로 다수개가 배설되는 금속 또는 실리콘 다중 캔틸레버와, 상기 캔틸레버 받침부와 소정 거리 이격되어 설치되고 거울부의 하측 실리콘면에 해당하는 거울부 받침부와, 상기 거울부 받침부의 상측에 상기 캔틸레버와 대응되도록 배설되는 다수개의 금속거울면과, 상기 금속거울면의 저부에 형성된 상측 실리콘면과, 상기 캔틸레버와 상기 금속 거울면을 잇는 연결부와, 상기 연결부의 양측에 설치되는 가이드부와, 상기 양측 가이드부를 연결하도록 하고 상기 연결부의 저측에 형성되는 회전스프링부를 포함하는 단결정실리콘 시소동작 미소거울 어레이
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 회전스프링을 중심으로 정전구동의 상기 캔틸레버와 거울부의 하측 실리콘면에 해당하는 거울부 받침부와 캔틸레버측의 하측 실리콘면에 해당하는 캔틸레버 받침부에 해당하는 고정 전극 간의 정전인력 작용이 거울면을 변형 없이 들어 올려줘 원하는 기울임을 얻을 수 있는 것을 특징으로 하는 단결정실리콘 시소동작 미소거울 어레이
8 8
캔틸레버와 초소형 금속 거울면이 회전스프링을 축으로 상하 구동하는 거물단결정실리콘 시소동작 미소거울 어레이의 제조방법에 있어서,SOI 웨이퍼의 상측 실리콘 부분에서 상기 거울면과 상기 회전스프링 부분을 제외한 나머지 부분을 DRIE 공정을 이용하여 제거하는 단계와,폴리머 등을 이용하여 상기 캔틸레버 중 실리콘 산화막에서 떨어져 있는 부분 모양처럼 희생층을 만드는 단계와,금속박막을 만든 후 상기 캔틸레버를 제외한 나머지를 제거하는 단계와,상기 회전스프링을 적절한 깊이로 파내는 단계와,상기 거울면의 하측 실리콘면을 파내는 단계와,상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 단결정실리콘 시소동작 미소거울 어레이의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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