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전계발광소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014024233
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 공정 수 및 제조단가를 최소화하고, 낮은 구동전압 하에서도 충분한 발광효과를 구현할 수 있는 전계발광소자의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.이러한 본 발명은 기판 상에 도전성 물질을 증착하여 투명전극을 형성하는 하부전극층 형성공정과, 상기 하부전극층 상에 BaTiO3 계열의 나노콜로이드 (nano-colloid) 입자를 TEOS 고분자용매에 분산시킨 후 스핀코팅법으로 하부절연층을 형성하는 하부절연층 형성공정과, 상기 하부절연층 상에 발광분말을 고유전율을 갖는 바인더에 혼합하여 스핀코팅으로 발광층을 형성하는 발광층 형성공정과, 상기 발광층 상에 BaTiO3 계열의 나노콜로이드 (nano-colloid) 입자를 TEOS 고분자용매에 분산시킨 후 스핀코팅법으로 상부절연층을 형성하는 상부절연층 형성공정과, 상기 상부절연층 상에 상부전극층을 형성하는 공정과 , 상기 상부전극층 상에 보호층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것으로, 본 발명은 종래의 기술에 비하여 저가격으로 장시간 소자신뢰성 및 긴 수명성을 확보할 수 있는 절연층을 제조할 수 있는 신개념의 제조공정을 제공하는데 그 핵심 목적이 있다. 전계발광소자, 발광층, 절연층, 저가격, 스핀코팅
Int. CL B82Y 20/00 (2011.01) H05B 33/10 (2011.01)
CPC H05B 33/10(2013.01) H05B 33/10(2013.01) H05B 33/10(2013.01)
출원번호/일자 1020010036347 (2001.06.25)
출원인 대한민국 (한밭대학총장)
등록번호/일자 10-0405134-0000 (2003.10.30)
공개번호/일자 10-2003-0001571 (2003.01.08) 문서열기
공고번호/일자 (20031112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.06.25)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국 (한밭대학총장) 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종원 대한민국 대전광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동모 대한민국 대전광역시 서구 둔산중로***번길 ** 드림타운 ***호(둔산동)(이동모특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2001-0153411-22
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2001.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2001-5180057-23
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2003-0027702-69
5 등록결정서
Decision to grant		 2003.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0285947-15
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번호 청구항
1 1

기판 상에 도전성 물질을 증착하여 투명전극을 형성하는 하부전극층 형성공정과,

상기 하부전극층 상에 BaTiO3 계열의 나노콜로이드 (nano-colloid) 입자를 TEOS 고분자용매에 분산시킨 후 스핀코팅법으로 하부절연층을 형성하는 하부절연층 형성공정과,

상기 하부절연층 상에 발광분말을 고유전율을 갖는 바인더에 혼합하여 스핀코팅으로 발광층을 형성하는 발광층 형성공정과,

상기 발광층 상에 BaTiO3 계열의 나노콜로이드 (nano-colloid) 입자를 TEOS 고분자용매에 분산시킨 후 스핀코팅법으로 상부절연층을 형성하는 상부절연층 형성공정과,

상기 상부절연층 상에 도전성 물질을 증착하여 전극을 형성하는 상부전극층 형성공정과 ,

상기 상부전극층 상에 보호층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 절연층의 두께는 BaTiO3 나노콜로이드의 농도와 TEOS 고분자용매의 농도로 조절하되, BaTiO3 나노콜로이드는 15∼30 wt%, TEOS 고분자용매는 1∼5 wt%의 범위로 조절하여 절연층의 두께를 조절함을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 절연층의 열처리온도를 150oC/1시간으로 하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법

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제 1 항에 있어서, 하부전극층을 형성하는 공정은, 상기 기판 상에 투명한 도전성 물질을 형성한 후 상기 도전성 물질을 패터닝하여 복수개의 투명전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 발광층을 형성하는 발광분말은 고유전율을 갖는 PVA (polyvinylacetate) 혹은 PMMA (polymethylmethaacrylate) 바인더에 혼합되어 스핀코팅으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 상부전극층은 상부절연층 상에, 하부전극층과 수직배열을 하는 복수개의 전극층으로 형성함을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법

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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.