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(a) 투명 기판을 준비하는 단계와;(b) 상기 투명 기판의 표면에 도전성 투명 전극을 형성하는 단계와;(c) 금속산화물 나노입자를 포함하는 페이스트를 상기 투명 전극 상에 도포한 후 열처리하여, 표면적 A1(나노입자들에 의한 전체 표면적) 및 공극률 P1(전체 나노입자 층 부피 대 나노입자 사이의 비어 있는 공극의 부피의 비)을 갖는 금속산화물 나노입자 층을 포함하는 산화물 반도체 전극층을 형성하는 단계와;(d) 상기 전극층에 대해 소정의 펄스 에너지를 갖는 레이저를 조사하여, 상기 금속산화물 나노입자층을 구성하는 금속산화물 나노입자들의 표면을 국부적으로 용융시켜 서로 결합함으로써, 상기 금속산화물 나노입자층의 전체 표면적 A1 및 공극률 P1보다 작은 전체 표면적 A2 및 공극률 P2를 갖는 구조로 상기 산화물 반도체 전극층의 내부 나노구조를 변화시키는 단계와;(e) 상기 기판을 빛을 흡수할 수 있는 감광성 염료를 포함하는 용액에 침지하여, 염료를 상기 금속산화물 나노입자 층에 흡착시키는 단계와;(f) 상대 전극과 상기 투명 기판 사이에 액체 전해질을 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 (d) 단계에 있어서, 상기 레이저는 상기 산화물 반도체 전극층을 통해 또는 상기 전극층이 형성된 쪽과 반대쪽의 상기 투명 기판을 통해 조사되는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 (c) 단계에서의 상기 산화물 반도체 전극층의 내부나노구조는 mesoporous 상태이고 상기 (d) 단계에 있어서, 상기 mesoporous 상태의 내부 나노구조가 low-porosity 상태의 내부 나노구조로 변화되는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 금속산화물 나노입자는 산화티타늄(TiO2)인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
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청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전성 투명 전극은 FTO(Fluorine-doped Tin Oxide)인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
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청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (d) 단계에 있어서, 상기 금속산화물 나노입자층 두께 전체에 걸쳐 입사 가능한 파장의 레이저를 이용하여, 상기 금속산화물 나노입자층의 내부 나노구조를 변화시키는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
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청구항 6에 있어서, 상기 (e) 단계에 있어서, 자외선 파장 대역의 파장보다 더 긴 파장의 레이저를 이용하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조 방법
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투명 기판과, 상기 투명 기판의 표면에 형성되는 도전성 투명 전극과, 빛을 흡수할 수 있는 감광성 염료가 흡착된 금속산화물 나노입자층을 포함하는 산화물 반도체 전극과, 상대 전극과, 상기 투명 기판과 상대 전극 사이에 주입된 전해질을 포함하는 염료감응형 태양전지에 있어서,상기 도전성 투명 전극과 접촉하는 금속산화물 나노입자층은 그 층을 구성하는 금속산화물 나노입자들이 국부적으로 용융되어 서로 결합함으로써, 전제 나노입자 층 부피 대 나노입자 사이의 비어 있는 공극의 부피의 비를 나타내는 공극률이 mesoporous 상태의 공극률보다 더 작은 나노구조를 갖고 있으며, 상기 mesoporous 상태의 나노구조를 갖는 경우와 비교하여 더 높은 에너지 변환 효율을 나타내는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
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청구항 8에 있어서, 상기 금속산화물 나노입자 층의 나노구조는 상기 투명 기판을 통해 또는 그 나노입자 층을 통해 조사된 레이저에 의해 변화된 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
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청구항 9에 있어서, 상기 금속산화물 나노입자는 산화티타늄(TiO2)인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
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청구항 10에 있어서, 상기 도전성 투명 전극은 FTO(Fluorine-doped Tin Oxide)인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
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