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백색 나노 발광다이오드 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014024375
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 칩 제조 공정에서 나노구조 패턴을 형성하여 안정적으로 백색 발광을 유지할 수 있는 백색 나노 발광다이오드가 제시된다. 상기 백색 나노 발광다이오드는 사파이어 기판, 상기 사파이어 기판 상에 적층되는 n-GaN층, 상기 n-GaN층 상에 적층되는 녹색 MQW층, 및 상기 녹색 MQW층 상에 적층되는 p-MQW층을 포함하고, 상기 n-GaN층 상에 돌출영역과 미돌출영역으로 이루어지는 나노구조 패턴을 형성함을 특징으로 한다. 상기 백색 나노 발광다이오드에 의하면, 상기 돌출영역 상면과 측면에 적층된 녹색 MQW층의 두께 차이로 인해 상기 돌출영역의 상면은 녹색광을 발광하고 상기 돌출영역의 측면은 적색광을 발광하여 상기 녹색광과 적색광의 혼합에 의해 백색광을 안정적으로 발광할 수 있는 효과가 있다.발광다이오드, 나노구조, 백색 발광.
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/505(2013.01) H01L 33/505(2013.01) H01L 33/505(2013.01) H01L 33/505(2013.01) H01L 33/505(2013.01)
출원번호/일자 1020090054901 (2009.06.19)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1148444-0000 (2012.05.11)
공개번호/일자 10-2010-0136684 (2010.12.29) 문서열기
공고번호/일자 (20120521) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.19)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽준섭 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 ***
2 권광우 대한민국 광주광역시 북구
3 강기만 대한민국 전라남도 순천시
4 박민주 대한민국 전라남도 순천시 중앙로 ***,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 전라남도 순천시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0372337-64
2 보정요구서
Request for Amendment		 2009.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0044784-93
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0406519-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0119989-94
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0326559-28
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0326557-37
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0660451-99
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2011.12.12 수리 (Accepted) 7-1-2011-0048370-48
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.02.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2012-0005301-02
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0261455-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n-형 반도체층;상기 n-형 반도체층 상에 적층되는 활성층; 및상기 활성층 상에 적층되는 p-형 반도체층;을 포함하며,상기 n-형 반도체층은 요철부를 구비하고, 상기 요철부의 상면으로 적층되는 활성층의 두께와 측면으로 적층되는 활성층의 두께가 달라 상기 요철부의 상면과 측면에서 서로 다른 파장의 빛이 구현되는 것을 특징으로 하는 백색 나노 발광다이오드
2 2
제1항에 있어서, 상기 요철부는 나노구조마스크에 의해 식각 형성된 돌출영역과 미돌출영역을 포함하고, 상기 n-형 반도체층은 상기 요철부에 의해 나노구조 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 백색 나노 발광다이오드
3 3
제2항에 있어서, 상기 활성층은 녹색 MQW층인 것을 특징으로 하는 백색 나노 발광다이오드
4 4
제2항에 있어서, 상기 n-형 반도체층은 n-GaN을 포함하고, 상기 p-형 반도체층은 p-GaN을 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 나노 발광다이오드
5 5
제2항에 있어서, 상기 돌출영역과 미돌출영역은 각각 복수 개 형성되어, 상기 n-형 반도체층의 상기 돌출영역과 미돌출영역에 의한 나노구조 패턴은 상기 n-형 반도체층 표면 전반에 걸쳐 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 나노 발광다이오드
6 6
제2항에 있어서,상기 돌출영역은 원기둥 형상인 것을 특징으로 하는 백색 나노 발광다이오드
7 7
사파이어 기판을 제공하는 단계;상기 사파이어 기판 상에 n-GaN층을 성장시키는 단계;상기 n-GaN층 상에 식각하여 돌출영역과 미돌출영역을 형성하는 단계;상기 n-GaN층 상에 MQW층을 성장시키는 단계; 및상기 MQW층 상에 p-GaN층을 성장시키는 단계;를 포함하며,상기 MQW층을 성장시키는 단계는 상기 돌출영역의 상면으로 적층되는 MQW의 두께와 측면으로 적층되는 MQW의 두께를 다르게 하고, 이에 따라 상기 돌출영역의 상면과 측면에서 서로 다른 파장의 빛이 구현되도록 하는 백색 나노 발광다이오드 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 n-GaN층 상에 돌출영역과 미돌출영역을 형성하는 단계는,나노구조마스크에 의한 식각에 의해 이루어지며, 상기 식각에 의해 상기 n-GaN층은 나노 구조 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 백색 나노 발광다이오드 제조방법
9 9
삭제
10 10
제7항 또는 제8항에 있어서,상기 p-GaN층 상에 투명전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 나노 발광다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.