| 1 |
1
n-형 반도체층;
상기 n-형 반도체층 상에 성장된 활성층;
상기 활성층 상에 성장된 p-형 반도체층;
상기 p-형 반도체층 상에 증착된 반사막층;
상기 반사막층 상에 증착된 열안정 확산 방지막층; 및
상기 열안정 확산 방지막층 상에 증착된 주석-은(Sn-Ag)층;을 포함하고,
상기 열안정 확산 방지막층은 티타늄-텅스텐(TiW)층 상에 티타늄(Ti) 또는 크롬(Cr) 중 어느 하나가 증착된 층이 반복적으로 형성되어 상기 반사막층의 뭉침 현상을 방지하는 수직형 발광다이오드
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,
상기 n-형 반도체층은 사파이어 기판 상에서 성장되는 n-GaN층이고, 상기 활성층은 MQW층이며, 상기 p-형 반도체층은 p-GaN층인 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 반사막층은 니켈(Ni), 은(Ag), 니켈(Ni)이 순차적으로 증착된 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드
|
| 6 |
6
사파이어 기판을 제공하는 단계;
상기 사파이어 기판 상에 n-GaN, MQW, p-GaN층을 차례로 성장시키는 단계;
상기 p-GaN층 상에 반사막층을 증착하는 단계;
상기 반사막층 상에 열안정 확산 방지막층을 증착하는 단계; 및
상기 열안정 확산 방지막층 상에 주석-은(Sn-Ag)층을 증착하는 단계;를 포함하고,
상기 열안정 확산 방지막층을 증착하는 단계는, 티타늄-텅스텐층 상에 티타늄 또는 크롬 중 어느 하나를 증착한 층을 반복적으로 형성하는 것에 의해 수행되어 상기 반사막층의 뭉침 현상을 방지하는 수직형 발광다이오드 제조 방법
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제6항에 있어서,
상기 열안정 확산 방지층의 증착은 알에프-마그네트론 스퍼터(RF-magnetron sputter)를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 제조 방법
|
| 9 |
9
제6항 또는 제8항에 있어서,
상기 반사막층은 니켈, 은, 니켈이 순차적으로 증착되어 형성되고, 상기 니켈, 은, 니켈의 순차적인 증착은 열전자 증발기(E-beam evaporator)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 제조 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,
상기 반사막층 증착 후, 급속 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 제조 방법
|
| 11 |
11
제6항 또는 제8항에 있어서,
상기 주석-은 층은 열증발 증착기(thermal evaporator)를 이용하여 증착되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 제조 방법
|
