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아연도금강판의 내식성 향상을 위한 표면처리방법

  • 기술번호 : KST2014024380
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 아연도금강판의 내식성 향상을 위한 표면처리방법이 개시된다. 본 발명에 따른 아연도금강판의 표면처리방법은 (ⅰ) 강판위에 아연을 도금하여 아연도금강판을 형성하는 단계; (ⅱ) 상기 아연도금강판에 수세처리, 산세처리, 탈지처리 중에서 선택된 하나 이상의 처리를 하여 아연도금강판을 세정하는 단계; (ⅲ) 상기 '단계 (ⅱ)'를 거쳐 세정된 아연도금강판을 플라즈마 반응기 내의 서셉터 상에 안착시키는 단계; (ⅳ) 상기 플라즈마 반응기 내에 기체를 주입하고 플라즈마를 형성시키는 단계; 및 (ⅴ) 상기 아연도금강판을 '단계 (ⅳ)'의 과정을 통하여 형성된 플라즈마에 노출시켜 아연도금강판의 표면에 플라즈마 처리를 하는 단계;를 포함하여 이루어진다. 본 발명에 의할 경우, 아연도금강판 표면 부식의 원인이 되는 아연수산화물을 제거할 수 있게 되어, 아연도금강판의 부식을 억제할 수 있게 된다. 플라즈마, 표면처리, 아연도금강판, 아연수산화물(Zn-OH)
Int. CL C23C 2/06 (2006.01) C23C 2/02 (2006.01)
CPC C23C 2/06(2013.01) C23C 2/06(2013.01) C23C 2/06(2013.01) C23C 2/06(2013.01) C23C 2/06(2013.01)
출원번호/일자 1020090051830 (2009.06.11)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1101312-0000 (2011.12.26)
공개번호/일자 10-2010-0133116 (2010.12.21) 문서열기
공고번호/일자 (20120102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.11)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남창현 대한민국 전남 광양시
2 김병일 대한민국 전남 순천시
3 이지면 대한민국 전남 순천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동희 대한민국 서울특별시 송파구 송파대로 ***, *층 (송파동, 옥명빌딩)(플랜국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0353208-93
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0077652-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0261349-36
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0551817-25
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0631039-75
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0722426-43
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0722418-88
9 등록결정서
Decision to grant
2011.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0755025-57
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
아연도금강판의 내식성 향상을 위한 표면처리방법에 있어서, (ⅰ) 강판위에 아연을 도금하여 아연도금강판을 형성하는 단계; (ⅱ) 상기 아연도금강판에 수세처리, 산세처리, 탈지처리 중에서 선택된 하나 이상의 처리를 하여 아연도금강판을 세정하는 단계; (ⅲ) 상기 '단계 (ⅱ)'를 거쳐 세정된 아연도금강판을 플라즈마 반응기 내의 서셉터 상에 안착시키는 단계; (ⅳ) 상기 플라즈마 반응기 내에 기체를 주입하고 플라즈마를 형성시키는 단계; 및 (ⅴ) 상기 아연도금강판을 '단계 (ⅳ)'의 과정을 통하여 형성된 플라즈마에 노출시켜 아연도금강판의 표면에 플라즈마 처리를 하는 단계;를 포함하며, 상기 '단계 (ⅳ)'의 과정을 통하여 형성되는 플라즈마는, 상기 플라즈마 반응기 둘레에 아이씨피(ICP) 코일 안테나를 설치하고, 상기 아이씨피(ICP) 코일 안테나에 10 내지 20 MHz의 주파수를 갖는 아이씨피(ICP) 전력을 1 내지 3000 W로 인가하고, 상기 플라즈마 반응기의 서셉터에 10 내지 20 MHz의 주파수를 갖는 알에프(RF) 전력을 1 내지 500 W로 인가함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 아연도금강판의 표면처리방법
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제1항에 있어서, 상기 '단계 (ⅳ)'에서 플라즈마 반응기 내에 주입되는 기체는 Ar, N2, O2, CH4, Ne, N2O 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 아연도금강판의 표면처리방법
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삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
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제1항에 있어서, 상기 '단계 (ⅴ)'에서 이루어지는 플라즈마 처리는 상기 플라즈마 반응기 내의 압력이 1 mTorr 내지 상압이고, 온도가 0 내지 400 ℃인 조건에서 실행되는 것을 특징으로 하는 아연도금강판의 표면처리방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.