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단일겹 탄소나노튜브 트랜지스터의 대량 생산방법

  • 기술번호 : KST2014024462
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 전자소자 및 화학센서, 바이오센서 기타에 응용될 수 있는 단일겹 탄소 나노튜브 트랜지스터의 대량생산 방법에 관한 것이다. 변형된 퍼니스 및 필오프과정을 이용한 단일겹 탄소나노튜브 트랜지스터의 대량 생산방법은 SiO2층으로 절연된 실리콘 기판 위에 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)층을 형성하여 Fe/Mo 촉매가 위치할 패턴을 제작하는 1단계; 상기 실기콘 기판위의 Fe/Mo 촉매가 위치할 패턴에 Fe/Mo 촉매를 도포하고 건조하는 2단계; Fe/Mo 촉매위에 PDMS를 덮어준다음 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)층 위에 형성된 Fe/Mo 촉매를 필오프하는 3단계; 상기 Fe/Mo촉매와 반응한 실리콘 기판을 아세톤 용액에 담가 상기 폴리메틸메타크릴레이트를 리프트오프하여 제거하는 4단계; 퍼니스속에서 단일겹 탄소나노튜브를 성장시키는 5단계; 및 성장된 단일겹 탄소나노튜브에 전극을 형성하는 6단계;를 포함하고, 전 기판면적에 균일한 탄소 나노튜브의 성장이 가능한 퍼니스를 사용하고, 상기 Fe/Mo 촉매의 위치 선택적 도포가 가능한 것을 특징으로 한다. 단일겹 탄소나노튜브, 열증착법, 탄소나노튜브트랜지스터, 퍼니스구조, 필오프, 선택적 탄소 나노튜브 성장
Int. CL H01L 29/72 (2006.01) C01B 31/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01)
출원번호/일자 1020090086501 (2009.09.14)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1049798-0000 (2011.07.11)
공개번호/일자 10-2011-0028872 (2011.03.22) 문서열기
공고번호/일자 (20110719) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.14)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정오 대한민국 대전 서구
2 장현주 대한민국 대전 유성구
3 박세린 대한민국 대전 대덕구
4 박소희 대한민국 서울 관악구
5 소혜미 대한민국 대전 유성구
6 박동원 대한민국 충북 청주시 흥덕구
7 이금주 대한민국 서울 마포구
8 공기정 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신동준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0564207-30
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.12.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.01.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0005315-64
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0067243-00
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0252247-20
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0252248-76
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0345538-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
변형된 퍼니스 및 필오프과정을 이용한 단일겹 탄소나노튜브 트랜지스터의 대량 생산방법에 있어서, SiO2층으로 절연된 실리콘 기판 위에 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 패턴층을 형성하여, 폴리메틸메타크릴레이트 패턴 사이에 형성되는 Fe/Mo 촉매가 위치할 패턴을 제작하는 1단계; 상기 실기콘 기판위의 Fe/Mo 촉매가 위치할 패턴에 Fe/Mo 촉매를 도포하고 건조하는 2단계; Fe/Mo 촉매위에 PDMS를 덮어준 다음 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 패턴층 위에 형성된 잉여분의 Fe/Mo 촉매를 필오프하는 3단계; 상기 Fe/Mo촉매의 패턴이 형성된 실리콘 기판을 아세톤 용액에 담가 상기 폴리메틸메타크릴레이트 패턴층을 리프트오프하여 제거하는 4단계; 퍼니스속에서 상기 폴리메틸메타크릴레이트 패턴층이 제거되고 남은 기판상의 Fe/Mo촉매 패턴으로부터 단일겹 탄소나노튜브를 성장시키는 5단계;및 성장된 단일겹 탄소나노튜브에 전극을 형성하는 6단계;를 포함하고, 전 기판면적에 균일한 탄소 나노튜브의 성장이 가능한 퍼니스를 사용하고, 상기 Fe/Mo 촉매의 위치 선택적 도포가 가능한 것을 특징으로 하는 단일겹 탄소나노튜브 트랜지스터의 대량 생산방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 3단계는, Fe/Mo 촉매위에 열테이프를 이용하여 아세톤 용액에서 필오프하는 것을 특징으로 하는 상기 단일겹 탄소나노튜브 트랜지스터의 대량 생산방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 3단계는, Fe/Mo 촉매 위에 Au를 열증착하여 아세톤 용액에서 필오프하는 것을 특징으로 하는 상기 단일겹 탄소나노튜브 트랜지스터의 대량 생산방법
4 4
제 1항 내지 제 3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 퍼니스는, 샤워헤드구조물과 트레이가로막을 더 포함한 것을 특징으로 하는 상기 단일겹 탄소나노튜브 트랜지스터의 대량 생산방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 샤워헤드구조물은, 퍼니스 내부로 유입되는 고속의 가스가 퍼니스의 내에서 균일하게 흐르게 하기 위한 샤워헤드구조물전방부재와; 가스의 층류를 유도하기 위한 샤워헤드구조물후방부재로 구성된 것을 특징으로 하는 상기 단일겹 탄소나노튜브 트랜지스터의 대량 생산방법
6 6
제 4항에 있어서, 상기 퍼니스 내부에 설치된 트레이는 상기 퍼니스 전방에 설치되는 것을 특징으로 하는 상기 단일겹 탄소나노튜브 트랜지스터의 대량 생산방법
7 7
제 1항 내지 제 3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 6단계는, 성장한 탄소나노튜브(CNT)를 회전도포기를 사용하여 감광제로 덮어 코팅하고 열판가열기를 사용하여 열처리 하는 6-1단계; 성장한 탄소나노튜브에 전극 패턴된 마스크를 덮고 자외선(UV)을 쪼여주는 6-2단계; 성장한 탄소나노튜브를 감광제 현상액에 담근 후 증류수로 씻어주는 6-3단계; 성장한 탄소나노튜브에 Cr과 Au를 진공을 깨지 않은 상태에서 연속으로 열증착하는 6-4단계; 및 성장한 탄소나노튜브를 제거제에 담가 감광제를 벗겨내는 6-5단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 단일겹 탄소나노튜브 트랜지스터의 대량 생산방법
8 8
단일겹 탄소나노튜브를 성장시키는 퍼니스에 있어서, 상기 퍼니스의 전방에 설치되고 원판형의 플레이트 뒤에 공기가 흘러가들어가기 위한 원형의 홈 다수개가 외주면을 따라 형성된 원통형이 결합된 샤워헤드구조물전방부재, 상기 샤워헤드구조물전방부재와 일정간격을 두고 설치되고 원판의 플레이트상에 가스가 통과하는 다수개의 홈들이 형성된 샤워헤드구조물후방부재로 구성된 샤워헤드구조물; 및 반원통형 형상으로 트레이를 가로막고 상기 퍼니스의 전방과 중간사이에 설치된 트레이가로막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼니스
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업기술연구회 한국화학연구원 기관고유사업 나노바이오센서 플랫폼 기술 개발(전략과제)