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설파이드 화합물 및 유기 황-인듐을 이용한 설파이드화합물 제조방법

  • 기술번호 : KST2014024522
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 설파이드 화합물 및 유기 황-인듐 착물을 이용한 설파이드화합물 제조방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 종래 합성법은 친핵체와 친전자체간의 반응으로 전이금속 촉매 반응조건에서 탄소-황 결합을 형성시켜 왔으며, 유기 헬라이드 화합물을 친전자체로 유기 티오(황) 알코올을 친핵체로 사용하여 반응을 수행하였다. 유기 티오 알코올의 낮은 친핵성을 높이기 위해 염기를 사용하여 유기 황 음이온으로 변환시켜 반응을 수행시켰으며 좀 더 높은 반응성을 위해 높은 반응 온도와 긴 반응시간이 필요로 하고 있다. 이에 본 발명은 반응에서 티오 알코올의 친핵성을 증가시키기 위해 새로운 형태의 반응시약을 반응에 응용하여 좀 더 짧은 반응시간에 높은 반응 수율을 갖는 반응을 개발하며, 나아가 개발한 반응의 유용성을 보여주기 위해 종래에 합성법이 알려지지 않았거나 합성에 어려움이 있는 설파이드 화합물을 합성하고 기질내 친전자성을 띄는 부분이 2개 이상인 경우에도 시약을 과량으로 사용하지 않아도 정량적인 반응이 일어나는 효과적이며 새로운 합성법을 제공하는 설파이드 화합물의 합성방법에 관한 것이다. 설파이드 화합물, 설파이드 화합물 합성, 팔라듐, 유기황-인듐, 교차-짝지움 반응
Int. CL C07C 321/02 (2006.01) C07C 321/10 (2006.01)
CPC C07C 319/14(2013.01) C07C 319/14(2013.01) C07C 319/14(2013.01) C07C 319/14(2013.01)
출원번호/일자 1020070122293 (2007.11.28)
출원인 강원대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0940338-0000 (2010.01.27)
공개번호/일자 10-2009-0055390 (2009.06.02) 문서열기
공고번호/일자 (20100204) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 강원대학교산학협력단 대한민국 강원도 춘천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이필호 대한민국 강원 춘천시 효
2 이재영 대한민국 경기 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 특허법인 웰 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길*, *~*층(방배동)
4 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 강원대학교 산학협력단 강원도 춘천시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0859259-65
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0034913-33
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0218435-19
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0450278-76
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0507884-49
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0507907-12
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0580877-75
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.09.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0580884-95
10 등록결정서
Decision to grant
2010.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0029655-82
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5075634-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5249875-98
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5049179-27
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5230938-29
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번호 청구항
1 1
설파이드 화합물 합성방법에 있어서, 하기 화학식 3으로 표시되는 친전자체와 하기 화학식 2 로 표시되는 유기황-인듐 착물로부터 각각 R1과 R을 유도하여 전이금속을 이용하여 하기 화학식 1로 표시되는 유기 황-인듐 착물을 이용한 설파이드화합물 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 유기황-인듐 착물은 상기 화학식 3에 표기한 친전자체 분자구조에서 X의 수 (m= 1, 2)에 따라 친전자체에 대해 n/3 (n= 1, 2) 당량을 사용함을 특징으로 하는 유기 황-인듐 착물을 이용한 설파이드화합물 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 반응에서 촉매는 팔라듐촉매를 사용하되, 상기 팔라듐촉매는 PdCl2, PdBr2, Pd(OAc)2, Pd(CH3CN)2Cl2, Pd(PhCN)2Cl2, Pd2dba3CHCl3, Pd(PPh3)4, [(allyl)PdCl]2 로 이루어진 군으로부터 선택사용됨을 특징으로 하는 유기 황-인듐 착물을 이용한 설파이드화합물 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 반응에서 리간드는 포스핀 리간드를 사용하되, 상기 포스핀 리간드는 Xantphos, DPEphos (Bis(2-diphenylphosphinophenyl)ether), (Biph)PCy2 (Cy= Cyclohexyl), DPPF (1,1'-Bis(diphenylphosphino)ferrocene), DPPE (1,2-Bis(diphenylphosphino)ethane), DPPP (1,3-Bis(diphenylphosphino)propane), Imes (1,3-Bis-di-i-propylphenyl)imidazolium chloride)로 이루어진 군으로부터 선택사용함을 특징으로 하는 유기 황-인듐 착물을 이용한 설파이드화합물 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 반응에서 첨가제로는 LiCl, LiBr, Lil, K3PO4, Na2CO3, Cs2CO3, Me2NBun, pyridine, TEA (triethylamine), DIPEA (diisopropylethylamine), N-Methylpyrrolidione, N-methylpiperidine 으로 이루어진 군으로부터 선택 사용함을 특징으로 하는 유기 황-인듐 착물을 이용한 설파이드화합물 제조방법
7 7
제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 팔라듐 촉매와 포스핀 리간드는 친전자체에 대해 1 내지 10 mol%인 것을 특징으로 하는 유기 황-인듐 착물을 이용한 설파이드화합물 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 첨가제는 할로겐화 리튬 (LiX; X= Cl, Br, I) 및 무기첨가제를 친전자체에 대해 1
9 9
제1항에 있어서, 상기 반응은 디메틸포름아미드 (DMF), 디메틸아세트아미드 (DMA), 톨루엔 (toluene), 자이렌 (xylene), 테트라하이드로퓨란 (THF)으로 이루어진 군으로부터 선택하여 용매로 사용하고, 상기 용매하에서 70~110℃의 반응온도에서 이루어짐을 특징으로 하는 유기 황-인듐 착물을 이용한 설파이드화합물 제조방법
10 10
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1 CN101808985 CN 중국 FAMILY
2 JP05371993 JP 일본 FAMILY
3 JP23515326 JP 일본 FAMILY
4 US08410301 US 미국 FAMILY
5 US20100234633 US 미국 FAMILY
6 WO2009069888 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
7 WO2009069888 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 CN101808985 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101808985 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2011515326 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5371993 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2010234633 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US8410301 US 미국 DOCDBFAMILY
7 WO2009069888 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
8 WO2009069888 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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