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다수의 데이터를 동시에 입출력할 수 있는 메모리 장치

  • 기술번호 : KST2014026215
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 다수의 데이터를 동시에 억세스(Access)할 수 있는 메모리 장치에 관한 것이다.본 발명에 따른 메모리 장치는 글로벌 센스앰프부와 글로벌 비트라인을 통해 다수의 데이터를 동시에 엑세스할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 메모리 장치는 제어부의 엑세스 제어를 통해 글로벌 비트라인쌍 중 하나의 비트라인만을 사용하여 데이터를 입출력하며, 글로벌 비트라인 상에 별도의 스위치를 사용하지 않고서도 데이터를 입출력할 수 있다. 반도체, 메모리, 센스앰프, RAM, DRAM,
Int. CL G06F 13/16 (2006.01) G06F 13/14 (2006.01) G06F 12/00 (2006.01)
CPC G11C 11/4091(2013.01) G11C 11/4091(2013.01)
출원번호/일자 1020070025216 (2007.03.14)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0886848-0000 (2009.02.26)
공개번호/일자 10-2008-0084085 (2008.09.19) 문서열기
공고번호/일자 (20090304) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.14)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍상훈 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다인 대한민국 경기도 화성시 동탄기흥로*** 더퍼스트타워쓰리제**층 제****호, 제****-*호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0206678-44
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2007-5065076-36
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.09.07 수리 (Accepted) 4-1-2007-5139506-36
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.12.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0004270-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020006-08
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0134928-23
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0334652-16
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0403516-12
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.06.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0403507-12
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0474122-26
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.11.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0772603-41
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0772604-97
14 등록결정서
Decision to grant
2009.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0074004-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다수의 단위 셀을 구비하는 셀블록과,비트라인을 통해 상기 셀블록에 액세스되는 데이터를 감지하여 증폭하는 비트라인 센스앰프와,상기 셀블록에 액세스 되는 다수의 데이터를 래치하는 글로벌 센스앰프와,상기 글로벌 센스앰프와 상기 비트라인 센스앰프 사이에서 데이터를 전송하는 글로벌 비트라인과,상기 비트라인 센스앰프와 상기 글로벌 비트라인 사이에 위치하여 상기 비트라인 센스앰프와 상기 글로벌 센스앰프를 접속시키는 제어부를 포함하여,상기 비트라인 센스앰프는 하나의 글로벌 비트라인을 통해 상기 글로벌 센스앰프에 연결되고, 액세스 모드에 따라 상기 하나의 글로벌 비트라인을 통해 상기 셀블록의 데이터를 읽거나 상기 셀블록으로 데이터를 기록하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
2 2
제 1 항에 있어서, 라이트 엑세스 모드의 경우 상기 제어부는상기 글로벌 비트라인을 통해 상기 비트라인 센스엠프로 전송되는 데이터를 상기 셀블록에 라이트할 수 있도록 상기 데이터의 보상 신호를 생성하며 상기 데이터와 생성한 보상 신호를 상기 비트라인 센스엠프로 입력하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 제어부는 라이트 엑세스 모드에서 상기 글로벌 비트라인을 통해 하이 신호가 전송되는 경우, 상기 전송되는 하이 신호와 그 보상 신호인 로우 신호를 상기 비트라인 센스앰프로 제공하며,상기 글로벌 비트라인을 통해 로우 신호가 전송되는 경우, 상기 전송되는 로우 신호와 그 보상 신호인 하이 신호를 상기 비트라인 센스앰프로 제공하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 제어부는 라이트 엑세스 모드에서상기 글로벌 비트라인을 통해 하이 신호가 전송되는 경우, 상기 전송되는 하이 신호와 그 보상 신호인 로우 신호를 상기 비트라인 센스앰프로 제공하며,상기 글로벌 비트라인을 통해 로우 신호가 전송되는 경우, 상기 전송되는 로우 신호를 상기 비트라인 센스앰프로 제공하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
5 5
제 1 항에 있어서, 리드 엑세스 모드의 경우 상기 제어부는상기 비트라인 센스앰프로부터 출력되는 데이터를 상기 글로벌 비트라인으로 전송되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 글로벌 센스앰프에는리드 엑스스 모드에서 상기 글로벌 비트라인을 통해 출력되는 데이터를 센싱하기 위해 VDD의 전압을 가지는 캐패시터를 더 포함하는 메모리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.