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반도체 공정 중 웨이퍼 기판에 패턴을 형성하기 위한 장치에 있어서,패턴이 형성되기 위한 반도체 웨이퍼 기판(10);상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상부에 위치하되, 반도체 웨이퍼 기판(10)을 고정시키기 위한 고정 구조물(30);상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 하부에 위치하되, 그 중심부에 형성되는 패턴공(51)과, 상기 패턴공(51) 외주연의 근접되는 적소에 환형으로 형성되는 보조 패턴공(53)으로 이루어지는 패턴 형성체(50);를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치
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제1항에 있어서,상기 고정 구조물(30) 및 패턴 형성체(50)가 자성체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치
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제1항에 있어서,상기 고정 구조물(30)이 자성체로 이루어지고, 상기 패턴 형성체(50)가 자력에 반응하는 금속 재질의 자성 반응 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치
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제1항에 있어서,상기 고정 구조물(30)이 자력에 반응하는 금속 재질의 자성 반응 물질로 이루어지고, 상기 패턴 형성체(50)가 자성체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치
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제1항에 있어서,상기 패턴 형성체(50)에 그물망 구조로 이루어지되, 인가되는 전기에 따라 다양한 패턴을 형성할 수 있는 전자석이 구비되는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치
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반도체 웨이퍼 기판(10)과, 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상부에 위치하되, 반도체 웨이퍼 기판(10)을 고정시키기 위하여 자성체로 형성되는 고정 구조물(30)과, 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 하부에 위치하고, 그 중심부 및 외주연 적소에 패턴공(51) 및 환형의 보조 패턴공(53)을 갖되, 자성체로 형성되는 패턴 형성체(50)로 이루어져 반도체 웨이퍼 기판(10)에 패턴을 형성하기 위한 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치에 따른 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법에 있어서,임의의 금속막 패턴이 형성되는 패턴 형성체(50)를 위치시키는 단계(S11);상기 패턴 형성체(50)의 상부에 패턴을 형성하기 위한 반도체 웨이퍼 기판(10)을 위치시키는 단계(S12);상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상부에 고정 구조물(30)을 위치시키는 단계(S13);상기 반도체 웨이퍼 기판에 형성되는 금속막 패턴을 이루는 소재 금속을 기화시키기 위해 고온공정에 따른 고열을 조사시키는 단계(S14);상기 고온 공정에 따라 조사되는 고열에 의하여 기화된 금속입자들이 패턴 형성체(50)에 형성되는 패턴공(51)과 보조 패턴공(53)에 도달하여 반도체 웨이퍼 기판의 하부에 금속막 패턴이 형성되는 단계(S15);상기 패턴공(51)과 보조 패턴공(53)에 형성되는 금속막 패턴에 따라 반도체 웨이퍼 기판(10)에 패턴이 형성되는 단계(S16);를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치에 따른 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법
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제6항에 있어서,상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상, 하부에 위치하는 고정 구조물(30)과 패턴 형성체(50)가 자력에 의하여 상호 고정되는 단계(13-1);를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치에 따른 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법
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반도체 공정 중 웨이퍼 기판(10)에 패턴을 형성하기 위한 장치에 있어서,패턴이 형성되기 위한 반도체 웨이퍼 기판(10);상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상부에 위치하되, 반도체 웨이퍼 기판(10)을 고정시키며, 그 중심부에 형성되는 정렬공과, 상기 정렬공 외주연의 근접되는 적소에 환형으로 형성되는 보조 정열공으로 이루어지는 고정 구조물(30);상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 하부에 위치하되, 상기 고정 구조물(30)과 대응되는 형상으로 형성되고, 그 중심부에 형성되는 패턴공(51)과, 상기 패턴공(51) 외주연의 근접되는 적소에 환형으로 형성되는 보조 패턴공(53)으로 이루어지는 패턴 형성체(50);를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치
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제8항에 있어서,상기 고정 구조물(30) 및 패턴 형성체(50)가 자성체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치
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10
제8항에 있어서,상기 고정 구조물(30)이 자성체로 이루어지고, 상기 패턴 형성체(50)가 자력에 반응하는 금속 재질의 자성 반응 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치
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제8항에 있어서,상기 고정 구조물(30)이 자력에 반응하는 금속 재질의 자성 반응 물질로 이루어지고, 상기 패턴 형성체(50)가 자성체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치
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제8항에 있어서,상기 고정 구조물(30)의 정렬공과 보조 정렬공에 위치 고정을 위한 고정 삽입물(35)이 채워지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치
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제12항에 있어서,상기 고정 삽입물(35)이 비자성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치
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반도체 웨이퍼 기판(10)과, 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상부에 위치하고, 반도체 웨이퍼 기판(10)을 고정시키며, 그 중심부 및 외주연 적소에 정렬공 및 환형의 보조 정열공을 갖되, 자성체로 이루어지는 고정 구조물(30)과, 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 하부에 위치하고, 그 중심부 및 외주연 적소에 패턴공(51) 및 환형의 보조 패턴공(53)을 갖되, 자성체로 형성되는 패턴 형성체(50)로 이루어져 반도체 웨이퍼 기판(10)에 패턴을 형성하기 위한 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치에 따른 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법에 있어서,임의의 금속막 패턴이 형성되는 패턴 형성체(50)를 위치시키는 단계(S21);상기 패턴 형성체(50)의 상부에 패턴을 형성하기 위한 반도체 웨이퍼 기판(10)을 위치시키는 단계(S22);상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상부에 고정 구조물(30)을 위치시키는 단계(S23);상기 고정 구조물(30)의 배열공(31) 및 보조 배열공(33)에 고정 삽입물(35)로서 비자성 물질을 채워넣는 단계(S24);상기 반도체 웨이퍼 기판에 형성되는 금속막 패턴을 이루는 소재 금속을 기화시키기 위해 고온공정에 따른 고열을 조사시키는 단계(S25);상기 고온 공정에 따라 조사되는 고열에 의하여 기화된 금속입자들이 패턴 형성체(50)에 형성되는 패턴공(51)과 보조 패턴공(53)에 도달하여 반도체 웨이퍼 기판의 하부에 금속막 패턴이 형성되는 단계(S26);상기 패턴공(51)과 보조 패턴공(53)에 형성되는 금속막 패턴에 따라 반도체 웨이퍼 기판(10)에 패턴이 형성되는 단계(S27);를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치에 따른 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법
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제14항에 있어서,상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상, 하부에 위치하는 고정 구조물(30)과 패턴 형성체(50)가 자력에 의하여 상호 고정되는 단계(S23-1);를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치에 따른 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법
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