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태양전지용 후면 전극부 및 제조 방법
- 기술번호 : KST2014026353
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 본 발명은 태양전지용 후면 전극부 및 이를 포함하는 태양전지, 상기 후면 전극부 및 태양전지의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의하여, 태양전지 내 전자의 이동 속도 및 이동 거리를 증가시키고 소수 캐리어 재결합을 감소시킴으로써 광전자 변환 효율을 증대시켜 고효율의 태양전지를 제조할 수 있다.태양전지, 후면 전극부, 후면전계층, 이중 박막 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/18 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020090017248 (2009.02.27) |
| 출원인 | 한양대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1305055-0000 (2013.09.02) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0098202 (2010.09.06) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20130911) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2011.08.08) |
| 심사청구항수 | 8 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이휘건 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 2 | 이정우 | 대한민국 | 서울특별시 마포구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인엠에이피에스 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한양대학교 산학협력단 | 서울특별시 성동구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.02.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0125166-26 |
| 2 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2009.03.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0131240-04 |
| 3 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.08.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0609752-49 |
| 4 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2011.08.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0609764-97 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.05.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.06.25 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0050806-59 |
| 7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.10.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0605211-59 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.12.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1010022-14 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.12.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-1010024-16 |
| 10 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2013.04.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0262924-27 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.06.13 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2013-0527529-42 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0527528-07 |
| 13 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.08.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0596905-59 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 반도체층, 전면 전극부 및 후면 전극부를 포함하는 태양전지용 후면 전극부의 제조 방법으로서,상기 반도체층의 후면에 1차 금속 박막을 형성하는 단계;상기 1차 금속 박막이 형성된 반도체층을 0초 초과 내지 60초 이하의 시간 동안 급속 열처리(rapid thermal annealing=RTA)를 함으로써 후면전계(Back Surface Field, BSF)층을 형성하는 단계; 및상기 급속 열처리된 1차 금속 박막 상에 2차 금속 박막을 형성함으로써 후면 전극부를 형성하는 단계를 포함하며,상기 1차 금속 박막 및 상기 2차 금속 박막을 포함하는 상기 후면 전극부의 두께는 1 μm 내지 3 μm 인,태양전지용 후면 전극부의 제조 방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 1차 금속 박막이 Al, B, Ga, In 및 Tl로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속을 포함하는 것인, 태양전지용 후면 전극부의 제조 방법 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 2차 금속 박막이 Cu, W, Fe, Al, C, Ni 및 Ti로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속을 포함하는 것인, 태양전지용 후면 전극부의 제조 방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 반도체층이 p-n 접합 반도체층인, 태양전지용 후면 전극부의 제조 방법 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서,상기 p-n 접합 반도체층이 단결정, 다결정, 또는 비정질 p-n 접합 실리콘 층인, 태양전지용 후면 전극부의 제조 방법 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 1차 금속 박막 및 2차 금속 박막이 Al을 포함하는 것인, 태양전지용 후면 전극부의 제조 방법 |
| 7 |
7 삭제 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 후면전계층을 형성하기 위한 급속 열처리 과정의 온도는 상기 1차 금속 박막을 형성하는 금속의 융점 근처인, 태양전지용 후면 전극부의 제조 방법 |
| 9 |
9 반도체층, 전면 전극부 및 후면 전극부를 포함하는 태양전지의 제조 방법으로서,상기 후면 전극부를 제 1 항 내지 제 6 항, 및 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법에 따라 제조하는 것을 포함하는, 태양전지의 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 교육인적자원부 | 교육인적자원부(한국학술진흥재단) | 기초학문육성지원사업(기초과학분야지원) | 일차원 배열 염료분자의 에너지 전달, 형광 연구 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1305055-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20090227 출원 번호 : 1020090017248 공고 연월일 : 20130911 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130828 청구범위의 항수 : 8 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 태양전지용 후면 전극부 및 그의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20190903 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 178,500 원 | 2013년 09월 02일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 151,200 원 | 2016년 07월 05일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 151,200 원 | 2017년 06월 29일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 108,000 원 | 2018년 07월 02일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.02.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0125166-26 |
| 2 | [출원서등 보정]보정서 | 2009.03.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0131240-04 |
| 3 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.08.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0609752-49 |
| 4 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2011.08.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0609764-97 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.05.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 | 2012.06.25 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0050806-59 |
| 7 | 의견제출통지서 | 2012.10.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0605211-59 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.12.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1010022-14 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.12.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-1010024-16 |
| 10 | 최후의견제출통지서 | 2013.04.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0262924-27 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.06.13 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2013-0527529-42 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0527528-07 |
| 13 | 등록결정서 | 2013.08.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0596905-59 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 기술번호 | KST2014026353 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한양대학교 |
| 기술명 | 태양전지용 후면 전극부 및 제조 방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 태양전지용 후면 전극부 및 이를 포함하는 태양전지, 상기 후면 전극부 및 태양전지의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의하여, 태양전지 내 전자의 이동 속도 및 이동 거리를 증가시키고 소수 캐리어 재결합을 감소시킴으로써 광전자 변환 효율을 증대시켜 고효율의 태양전지를 제조할 수 있다.태양전지, 후면 전극부, 후면전계층, 이중 박막 |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 저가의 고효율 태양전지 등에 사용되는 광전자 변환 소재에의 다양한 적용이 가능 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345096912 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과06A1507 |
| 연구과제명 | 창의적화학인력양성사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한양대학교 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기타 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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