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공액고분자를 활성층으로 하는 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2014026420
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 상부 전극과 하부 전극사이에서 공액고분자를 활성층으로하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 공액 고분자는 하기 화학식 I로 표현된다. (I) 상기식에서, R은 탄소수 1내지 20의 알킬기이고; Z는 아래와 같은 군으로부터 선택되어 지는 방향족 또는 지방족 유도체이다. 상기식에서, R''과 R"은 탄소수 1내지 20의 알킬기이고; 공액고분자의 중량평균 분자량은 5,000 내지 5,000,000이다. 본 발명의 공액고분자는 유기용매에 가용성이어서 가공성이 매우 우수하고, 열적 안정성, 기계적 강도 등 기계적 물성이 매우 좋다. 그리고 전기적 특성으로 낮은 구동전압에 스위칭 현상이 일어나며 온/오프 두 전류 상태가 존재함을 확인함으로써 이를 활성층으로 이용하여 메모리 소자를 구현할 수 있다. 따라서 스위칭 현상을 가지는 공액고분자를 이용하여 매우 우수한 성능을 지닌 메모리 소자를 매우 간단한 공정과 저렴한 생산 비용으로 제조하는 것이 가능하다.
Int. CL H01L 27/28 (2006.01) C08L 65/00 (2006.01) C08G 61/02 (2006.01) C08G 61/12 (2006.01)
CPC C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01) C08G 61/12(2013.01)
출원번호/일자 1020090087528 (2009.09.16)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1135586-0000 (2012.04.04)
공개번호/일자 10-2011-0029725 (2011.03.23) 문서열기
공고번호/일자 (20120417) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.16)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이문호 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 박삼대 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 이택준 대한민국 서울 노원구
4 함석규 대한민국 경상북도 경주시
5 김진철 대한민국 경상북도 포항시 남구
6 김동민 대한민국 부산광역시 동래구
7 권원상 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
8 김경태 대한민국 경북 포항시 남구
9 고용기 대한민국 경기도 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상훈 대한민국 서울특별시 영등포구 선유로 *길 **, **층 ****호 (문래동*가, 문래 sk v*센터)(새생명특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0569818-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.12.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0003998-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0394634-29
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0720911-39
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0813956-31
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0915380-13
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0915405-66
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0202485-55
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
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2 2
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3 3
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4 4
하기 화학식 1로 표시되는 공액고분자 화합물을 유기 활성층으로 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자
5 5
제4항에 있어서, 상기 공액 고분자 화합물은 중량평균 분자량이 5,000 내지 5,000,000인 메모리소자
6 6
제4항에 있어서, 상기 공액고분자 화합물은 하기 화학식(Ⅶ)으로 표현되는 메모리 소자
7 7
하부 전극; 상기 하부전극 위에 형성된 유기 활성층; 및 상기 유기전극위에 형성된 상부 전극을 포함하며, 상기 유기 활성층은 하기 화학식 1로 표시되는 공액고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
8 8
제7항에 있어서, 상기 상부 전극은 금, 은, 백금, 구리, 코발트, 니켈, 주석, 알루미늄, 인튬틴옥사이드, 티타늄, 또는 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
9 9
제 7항에 있어서, 상기 하부 전극은 금, 은, 백금, 구리, 코발트, 니켈, 주석, 알루미늄, 인튬틴옥사이드, 티타늄, 또는 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
10 10
제 7항에 있어서, 상기 고분자 활성층은 전극과 다이오드로 연결되는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
11 11
제 10항에 있어서, 상기 다이오드는 P-N 다이오드 또는 쇼트키 다이오드인 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
12 12
기판 상에 형성된 하부 전극 위에 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층과 접촉하도록 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 여기서, 상기 활성층은 하기 화학식 Ⅰ로 표시되는 공액고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자 제조 방법
13 13
제 11항에 있어서, 상기 방법으로 얻어진 메모리 소자의 양단에 전압을 가하여 활성층 안으로 전자와 홀을 유입시켜, 활성층 내부에 필라멘트를 통하여 전류가 흐르도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자 제조 방법
14 14
제 11항에 있어서, 고분자 활성층을 형성하는 단계는 고분자를 포함하는 용매를 코팅하는 단계임을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자 제조 방법
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16 16
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18 18
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부/교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단/포항공과대학교 산학협력단 국가지정연구실사업/선도_ERC/SRC 스마트-브러쉬-고분자 나노구조체/자기조립 고분자와 하이브리드 나노구조체의 전자 전달 및 광감