| 1 |
1
카바졸 또는 카바밀 그룹을 곁가지로 포함하는 폴리이미드 고분자를 유기 활성층으로 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 폴리이미드 고분자는 하기 화학식 1로 표현되며,
여기서, 상기 R1, R2, R3, R4, R5, R6 는 수소 또는 임의로 치환된 알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아랄킬 또는 시클로알킬이고, A는 카바졸 및/또는 카바밀기이며, n은 정수인 반복단위인 유기 메모리 소자
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 R1 및 R2는 CF3인 유기 메모리 소자
|
| 4 |
4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 카바졸과 카바밀은 하기 화학식 2 와 화학식 3
(2), (3)
에서 선택되는 유기 메모리 소자
|
| 5 |
5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 폴리이미드가 하기 화학식 (4)
로 표현되는 유기 메모리 소자
|
| 6 |
6
하부 전극;
상기 하부전극 위에 형성된 유기 활성층; 및
상기 유기전극위에 형성된 상부 전극을 포함하며,
상기 유기활성층은 카바졸 또는 카바밀 그룹을 곁가지로 가지는 폴리이미드 고분자를 포함하는 유기 메모리 소자
|
| 7 |
7
제6항에 있어서, 상기 폴리이미드 고분자는 하기 화학식 1로 표현되며,
여기서, 상기 R1, R2, R3, R4, R5, R6 는 수소 또는 임의로 치환된 알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아랄킬 또는 시클로알킬이고, A는 카바졸 및/또는 카바밀기이며, n은 정수인 반복단위인 유기 메모리 소자
|
| 8 |
8
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 활성층은 전극, P-N다이오드, 또는 쇼트키 다이오드로 연결 되는 유기 메모리 소자
|
| 9 |
9
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 전극은 Al, Au, Cu, Pt, Co, Sn, Mg, Pd, Ti, Ag, ITO (indium-tin-oxide), IZO (indium-zinc-oxide)로 이루어진 유기 메모리 소자
|
| 10 |
10
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 유기 메모리 소자는 기판위에 형성되는 유기 메모리 소자
|
| 11 |
11
제9항에 있어서, 상기 기판은 유기, 무기계, 또는 플렉서블 기판인 유기 메모리 소자
|
| 12 |
12
제6항에 있어서, 상기 활성층은 용매에 용해시켜 코팅한 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
|
| 13 |
13
제12항에 있어서, 상기 용매는 다이메틸아세트아마이드인 유기 메모리 소자
|
| 14 |
14
제13항에 있어서, 상기 유기 활성층은 1 내지 1000nm 두께의 박막인 유기 메모리 소자
|
| 15 |
15
하기 화학식 (1)로 표현되고,
여기서, 상기 R1, R2, R3, R4, R5, R6 는 수소 또는 임의로 치환된 알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아랄킬 또는 시클로알킬이고, A는 카바졸 및/또는 카바밀기이며, n은 정수인 반복단위인 유기 메모리 소자의 활성층으로 사용되는 폴리이미드 고분자 화합물
|
| 16 |
16
제15항에서, 상기 R1 및 R2는 CF3인 폴리이미드 고분자 화합물
|
| 17 |
17
제15항에 있어서, 상기 고분자 화합물은 폴리[3,3’-비스(N-에틸렌옥시카바졸)-(4,4'-바이페닐렌 헥사플로로-아이소프로필렌 다이프탈이미드]인 폴리이미드 고분자 화합물
|
| 18 |
18
제15항에 있어서, 상기 고분자 화합물은 폴리[3,3’-비스(다이페닐카바밀옥시)-(4,4'-바이페닐렌 헥사플로로-아이소프로필렌 다이프탈이미드]인 폴리이미드 고분자 화합물
|
| 19 |
19
하기 화학식(2)로 표현되고,
여기서, R1, R2, R3, R4, R5, R6는 수소 또는 임의로 치환된 알킬, 아릴, 헤테로아릴, 아랄킬 또는 시클로알킬이고, n은 정수인 폴리이미드 화합물을
카바밀 또는 카바졸 화합물과 반응시켜 유기 메모리 소자 활성층 화합물을 제조하는 방법
|
| 20 |
20
제19항에 있어서, 상기 카바졸 또는 카바밀 화합물은 하기 화학식 (2)와 (3)
(2), (3)
인 것을 특징으로 하는 방법
|
| 21 |
21
기판 상에 형성된 하부 전극 위에 카바졸 또는 카바밀 그룹을 곁가지로 가지는 폴리이미드 고분자를 포함하는 활성층을 형성하는 단계; 및
상기 활성층과 접촉하도록 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 메모리 소자 제조 방법
|
| 22 |
22
제 21항에 있어서, 상기 활성층은 카바졸 또는 카바밀 그룹을 곁가지로 가지는 폴리이미드 고분자 용액을 코팅하여 형성하는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 23 |
23
제21항에 있어서, 상기 코팅 단계는 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 정전기 코팅, 딥코팅, 블레이트 코팅, 잉크젯 코팅 및 롤 코팅으로 중 하나의 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 24 |
24
카바졸 또는 카바밀 그룹을 곁가지로 가지는 폴리이미드 고분자를 활성층으로 포함하는 반도체 소자
|
| 25 |
25
제24항에 있어서, 상기 반도체 소자는 메모리 소자인 반도체 소자
|
