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양자점 덴드리머 및 그의 합성방법

  • 기술번호 : KST2014026472
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자점 덴드리머 및 그의 합성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다수의 양자점들이 3차원적으로 결합하여 이루어진 양자점 덴드리머에 관한 것이며, 상기 양자점 덴드리머의 합성방법은 반응 용기에 제 1 전구체, 계면활성제 및 용매를 혼합하여 불활성 기체 환경 하에서 가열하는 단계; 및 상기 혼합물에 제 2 전구체를 첨가하여 가열하여 양자점들을 합성하면서 덴드리머 구조로 응집시키는 단계를 포함한다. 양자점 덴드리머, 계면활성제
Int. CL C07F 3/08 (2006.01) C07F 3/06 (2006.01) C07F 3/10 (2006.01)
CPC C09K 11/562(2013.01) C09K 11/562(2013.01) C09K 11/562(2013.01) C09K 11/562(2013.01)
출원번호/일자 1020080126305 (2008.12.12)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1014861-0000 (2011.02.08)
공개번호/일자 10-2010-0067769 (2010.06.22) 문서열기
공고번호/일자 (20110215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.12)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성지 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 박주원 대한민국 서울특별시 서초구
3 방지원 대한민국 경상남도 진주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 문혜정 대한민국 서울특별시 서초구 매헌로 **, 하이브랜드빌딩 **층 (양재동)(피닉스국제특허법률사무소)
2 김학제 대한민국 서울특별시 서초구 매헌로 ** 하이브랜드빌딩 **층 (양재동)(피닉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0855596-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0043185-60
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0422205-13
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0776839-50
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0776834-22
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0007607-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다수의 양자점들이 3차원적으로 결합하여 이루어진 양자점 덴드리머로서
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 양자점 덴드리머는 12족-16족, 13족-15족, 14족-16족 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 덴드리머
5 5
제 4항에 있어서, 상기 양자점은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, ZnO, CdO, HgO, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, CdZnS, CdZnSe, CdSSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, HgZnS, HgZnSe, CdZnO, CdHgO, ZnHgO, ZnSeO, ZnTeO, ZnSO, CdSeO, CdTeO, CdSO, HgSeO, HgTeO, HgSO, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, CdZnSeO, CdZnTeO, CdZnSO, CdHgSeO, CdHgTeO, CdHgSO, ZnHgSeO, ZnHgTeO, ZnHgSO, GaP, GaAs, GaSb, GaN, AlP, AlAs, AlSb, AlN, InP, InAs, InSb, InN, GaPAs, GaPSb, GaPN, GaAsN, GaSbN, AlPAs, AlPSb, AlPN, AlAsN, AlSbN, InPAs, InPSb, AlGaP, AlGaAs, AlGaSb, InPN, InAsN, InSbN, InGaP, InGaAs, InGaSb, InGaN, InAsN, InSbN, AlInP, AlInAs, AlInSb, AlGaN, AlAsN, AlSbN, AlInN, AlAsN, AlSbN, AlPN, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInPAs, GaInAlAs, GaAlPN, GaAlAsN, GaAlSbN, GaInPN, GaInAsN, GaInAlN, GaSbPN, GaAsPN, GaAsSbN, GaInPSb, GaInPN, GaInSbN, GaPSbN, InAlPAs, InAlPN, InPAsN, InAlSbN, InPSbN, InAsSbN, InAlPSb, SnS, SnSe, SnTe, SnO2, SnS2, SnSe2, SnTe2, PbS, PbSe, PbTe, GeO2, GeS2, GeSe2, GeTe2, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, SnOS, SnOSe, SnOTe, GeOS, GeOSe, GeOTe, SnPbSSe, SnPbSeTe 및 SnPbSTe로 이루어진 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 양자점 덴드리머
6 6
제 1항에 있어서, 상기 양자점 덴드리머는 이종 금속 원소로 도핑된 것을 특징으로 하는 양자점 덴드리머
7 7
제 1항에 있어서, 상기 양자점 덴드리머의 표면에 소수성의 알킬기가 흡착되어 있는 것을 특징으로 하는 양자점 덴드리머
8 8
반응 용기에 제 1 전구체, 계면활성제 및 용매를 혼합하여 진공에서 가열하는 단계; 상기 진공에서 가열된 혼합물을 다시 불활성 기체 환경 하에서 가열하는 단계; 및 상기 혼합물에 제 2 전구체를 첨가하여 가열하여 양자점들을 합성하면서 덴드리머 구조로 응집시키는 단계를 포함하고; 상기 제 1 전구체와 계면활성제의 몰비는 1:100 내지 1000:1 이며, 상기 가열 단계 및 응집 단계의 반응온도는 100 내지 400℃인 것을 특징으로 하는 양자점 덴드리머의 합성방법
9 9
반응 용기에 제 1 전구체, 제 2 전구체, 계면활성제 및 용매를 혼합하여 진공에서 가열하는 단계 및 상기 진공에서 가열된 혼합물을 다시 불활성 기체 환경 하에서 가열하여 양자점들을 합성하면서 덴드리머 구조로 응집시키는 단계를 포함하고; 상기 제 1 전구체와 계면활성제의 몰비는 1:100 내지 1000:1 이며, 상기 가열 단계 및 응집 단계의 반응온도는 100 내지 400℃인 것을 특징으로 하는 양자점 덴드리머의 합성방법
10 10
삭제
11 11
제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 제 1 전구체와 제 2 전구체의 몰비는 1:100 내지 100:1 인 것을 특징으로 하는 양자점 덴드리머의 합성방법
12 12
제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 제 1 전구체는 12족, 13족 및 14족 중 어느 하나 이상의 물질의 전구체인 것을 특징으로 하는 양자점 덴드리머의 합성방법
13 13
제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 제 1 전구체가 카드뮴 아세테이트 이수화물(cadmium acetate dihydrate), 디메틸 카드뮴(dimethyl cadmium), 디에틸 카드뮴(diethyl cadmium), 카드뮴 아세테이트(Cadmium acetate), 카드뮴 아세틸아세토네이트(Cadmium acetylacetonate), 카드뮴 아세틸아세토네이트 수화물(Cadmium acetylacetonate hydrate), 카드뮴 아이오다이드(Cadmium iodide), 카드뮴 브로마이드(Cadmium bromide), 카드뮴 클로라이드(Cadmium chloride), 카드뮴 클로라이드 수화물(Cadmium chloride hydrate), 카드뮴 플루오라이드(Cadmium fluoride), 카드뮴 카보네이트(Cadmium carbonate), 카드뮴 나이트레이트(Cadmium nitrate), 카드뮴 나이트레이트 사수화물(Cadmium nitrate tetrahydrate), 카드뮴 옥사이드(Cadmium oxide), 카드뮴 퍼클로레이트(Cadmium perchlorate), 카드뮴 퍼클로레이트 육수화물(Cadmium perchlorate hexahydrate), 카드뮴 포스파이드(Cadmium phosphide), 카드뮴 설페이트(Cadmium sulfate), 카드뮴 나프탈레이트 (Cadmium naphthenate), 카드뮴 스테레이트(Cadmium stearate), 디메틸 아연(dimethyl zinc), 디에틸 아연(diethyl zinc), 아연 아세테이트(Zinc acetate), 아연 아세테이트 이수화물(Zinc acetate dihydrate), 아연 아세틸아세토네이트 (Zinc acetylacetonate), 아연 아세틸아세토네이트 수화물 (Zinc acetylacetonate hydrate), 아연 아이오다이드(Zinc iodide), 아연 브로마이드(Zinc bromide), 아연 클로라이드(Zinc chloride), 아연 플루오라이드(Zinc fluoride), 아연 플루오라이드 사수화물(Zinc fluoride tetrahydrate), 아연 카보네이트(Zinc carbonate), 아연 시아나이드(Zinc cyanide), 아연 나이트레이트(Zinc nitrate), 아연 나이트레이트 육수화물(Zinc nitrate hexahydrate), 아연 옥사이드(Zinc oxide), 아연 퍼옥사이드(Zinc peroxide), 아연 퍼클로레이트(Zinc perchlorate), 아연 퍼클로레이트 육수화물(Zinc perchlorate hexahydrate), 아연 설페이트(Zinc sulfate), 디페닐 아연(Diphenyl zinc), 아연 나프탈레이트 (Zinc naphthenate), 아연 스테레이트(Zinc stearate), 수은 아세테이트(Mercury acetate), 수은 아이오다이드(Mercury iodide), 수은 브로마이드(Mercury bromide), 수은 클로라이드(Mercury chloride), 수은 플루오라이드(Mercury fluoride), 수은 시아나이드(Mercury cyanide), 수은 나이트레이트(Mercury nitrate), 수은 나이트레이트 일수화물(Mercury nitrate monohydrate), 수은 옥사이드(Mercury oxide), 수은 퍼클로레이트(Mercury perchlorate), 수은 퍼클로레이트 사수화물(Mercury perchlorate tetrahydrate), 수은 퍼클로레이트 삼수화물(Mercury perchlorate trihydrate), 수은 설페이트(Mercury sulfate), 디메틸 수은 (Dimethyl mercury), 디에틸 수은(Diethyl mercury), 디페닐 수은(Diphenyl mercury), 수은 설페이트 (Mercury sulfate), 수은 트리플로로메텐설포네이트(Mercury trifluoromethanesulfonate), 메틸 수은 클로라이드 (Methylmercury chloride), 메틸 수은 아이오다이드 (Methylmercury iodide), 페닐 수은 아세테이트(Phenylmercury acetate), 페닐 수은 클로라이드(Phenylmercury chloride), 알루미늄 아세테이트(Alumium acetate), 알루미늄 아이오다이드(Alumium iodide), 알루미늄 브로마이드(Alumium bromide), 알루미늄 클로라이드(Alumium chloride), 알루미늄 클로라이드 육수화물(Alumium chloride hexahydrate), 알루미늄 플루오라이드(Alumium fluoride), 알루미늄 나이트레이트(Alumium nitrate), 알루미늄 옥사이드(Alumium oxide), 알루미늄 퍼클로레이트(Alumium perchlorate), 알루미늄 카바이드(Alumium carbide), 알루미늄 스테레이트(Alumium stearate), 알루미늄 설페이트(Alumium sulfate), 디-i-부틸알루미늄 클로라이드(Di-i-butylalumium chloride), 디에틸알루미늄 클로라이드(Diethylalumium chloride), 트리-i-부틸알루미늄(Tri-i-butylaluminum), 트리에틸알루미늄(Triethylalumium), 트리에틸(트리-sec-부톡시)디알루미늄(Triethyl(tri-sec-butoxy)dialuminum), 트리메틸 알루미늄(Trimethylalumium), 갈륨 아세틸아세토네이트(Gallium acetylacetonate), 갈륨 클로라이드(Gallium chloride), 갈륨 플루오라이드(Gallium fluoride), 갈륨 플루오라이드 삼수화물(Gallium fluoride trihydrate), 갈륨 옥사이드(Gallium oxide), 갈륨 나이트레이트(Gallium nitrate), 갈륨 나이트레이트 수화물(Gallium nitrate hydrate), 갈륨 설페이트(Gallium sulfate), 갈륨 아이오다이드(Gallium iodide), 트리에틸 갈륨(Triethyl gallium), 트리메틸 갈륨(Trimethyl gallium), 인듐 클로라이드(Indium chloride), 인듐 클로라이드 사수화물(Indium chloride tetrahydrate), 인듐 옥사이드(Indium oxide), 인듐 나이트레이트(Indium nitrate), 인듐 나이트레이트 수화물(Indium nitrate hydrate), 인듐 설페이트(Indium sulfate), 인듐 설페이트 수화물(Indium sulfate hydrate), 인듐 아세테이트(Indium acetate), 인듐 아세틸아세토네이트(Indium acetylacetonate), 인듐 브로마이드(Indium bromide), 인듐 플로라이드(Indium fluoride), 인듐 플로라이드 삼수화물(Indium fluoride trihydrate), 트리메틸 인듐(Trimethyl indium), 납 아세테이트(Lead acetate), 납 아세테이트 삼수화물(Lead acetate trihydrate), 납 브로마이드(Lead bromide), 납 클로라이드(Lead chloride), 납 플루오라이드(Lead fluoride), 납 옥사이드(Lead oxide), 납 퍼클로레이트(Lead perchlorate), 납 나이트레이트(Lead nitrate), 납 설페이트(Lead sulfate), 납 카보네이트(Lead carbonate), 납 아세틸아세토네이트(Lead acethylacetonate), 납 시트레이트(Lead citrate), 납 플로라이드(Lead fluoride), 납 나프탈레네이트(Lead naphthenate), 주석 아세테이트(Tin acetate), 주석 비스아세틸아세토네이트(Tin bisacetylacetonate), 주석 브로마이드(Tin bromide), 주석 클로라이드(Tin chloride), 주석 클로라이드 이수화물(Tin chloride dihydrate), 주석 클로라이드 오수화물(Tin chloride pentahydrate), 주석 플루오라이드(Tin fluoride), 주석 옥사이드(Tin oxide), 주석 설페이트(Tin sulfate), 주석 아이오다이드(Tin iodide), 디페닐 주석 디클로라이드(Diphenytin dichloride), 게르마늄 테트라클로라이드(Germanium tetrachloride), 게르마늄 옥사이드(Germanium oxide), 게르마늄 에톡사이드(Germanium ethoxide), 게르마늄 브로마이드(Germanium bromide), 게르마늄 아이오다이드(Germanium iodide), 테트라메틸 게르마늄(Tetramethyl germanium), 트리메틸 게르마늄 클로라이드(Trimethyl germanium chloride), 트리메틸 게르마늄 브로마이드(Trimethyl germanium bromide) 및 트리에틸 게르마늄 클로라이드(Triethyl germanium chloride)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 양자점 덴드리머의 합성방법
14 14
제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 계면활성제는 스테아르산(stearic acid), 올레인 산 (oleic acid), 미리스트 산(Myristic acid), 팔미트산(palmitic acid), 헥실 포스포늄산 (hexyl phosphonicacid), n-옥틸 포스포늄산(n-octyl phosphonicacid), 테트라데실 포스포늄산(tetradecyl phosphonicacid), 옥타데실포스포늄산(octadecyl phosphonic acid), n-옥틸 아민(n-octyl amine), 도데실 아민(dodecy amine), 옥타데실 아민(octadecyl amine), 헥사데실아민(hexadecyl amine), 트리옥틸아민(Trioctyl amine), 트리 n-옥틸 포스핀(Tri n-octyl phosphine), 트리 n-부틸 포스핀(Tri n-butyl phosphine) 및 트리-n-옥틸포스핀 옥사이드(tri-n-octylphosphine oxide)로 이루어진 군에서 선택된 것임을 특징으로 하는 양자점 덴드리머의 합성방법
15 15
제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 용매는 트리-n-옥틸포스핀 옥사이드(tri-n-octylphosphine oxide), 헥사데칸(hexadecane), 1-헥사데신(1-hexadecene), 옥타데칸(octadecane), 1-옥타데센(1-Octadecene), 헵타데칸(heptaecane), 1-헵타데신(1-heptadecene), 노나데칸(nonadecane) 및 트리 n-옥틸 포스핀(Tri n-octyl phosphine)으로 이루어진 군에서 선택된 것임을 특징으로 하는 양자점 덴드리머의 합성방법
16 16
제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 제 2 전구체는 16족 및 15족 중 어느 하나 이상의 물질의 전구체인 것을 특징으로 하는 양자점 덴드리머의 합성방법
17 17
제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 제 2 전구체는 트리-n-옥틸포스핀 셀레나이드(tri-n-octylphosphine selenide), 트리-n-부틸포스핀 셀레나이드(tri-n-butylphosphine selenide), 디에틸 디셀레나이드(Diethyl diselenide), 디메틸 셀레나이드(Dimethyl selenide), 비스(트리메틸 실리) 셀레나이드(bis(trimethylsilyl)selenide), 셀렌-트리페닐포스핀(Se-TPP), 트리-n-옥틸포스핀 텔루라이드(tri-n-octylphosphine telluride), 트리-n-부틸포스핀 텔루라이드(tri-n-butylphosphine telluride), 비스(트리메틸 실리) 텔루라이드(bis(trimethylsilyl) telluride), 텔루르-트리페닐포스핀(Te-TPP), 설퍼-트리옥틸포스핀(S-TOP), 설퍼-트리부틸포스핀(S-TBP), 설퍼-트리페닐포스핀(S-TPP), 설퍼-트리옥틸아민(S-TOA), 비스(트리메틸 실리) 설파이드(bis(trimethylsilyl) sulfide), 트리메틸실릴 설퍼(trimethylsilyl sulfur), 황화 암모늄, 황화 나트륨, 트리메틸실릴 포스핀(trimethylsilyl phosphine) 및 트리에틸포스핀, 트리부틸포스핀, 트리옥틸포스핀, 트리페닐포스핀, 트리시클로헥실포스핀, 트리스(하이드로프로필)포스핀 (Tris(hydroxypropyl)phoshine), 디-tert-부틸메틸포스핀(Di-tert-butylphosphine)을 포함하는 알킬 포스핀(alkyl phosphine), 아르세닉 옥사이드 (Arsenic oxide), 아르세닉 클로라이드(Arsenic chloride), 아르세닉 설페이트(Arsenic sulfate), 아르세닉 브로마이드(Arsenic bromide), 아르세닉 아이오다이드(Arsenic iodide), 테트라페닐아르소늄 클로라이드(Tetraphenylarsonium cholide), 트리에틸 아르신(Triethyl arsine), 트리메틸 아르신(Trimethyl arsine), 트리스(트리메틸실리)아르신 (Tris(trimethylsilyl) arsine), 산소 기체, 갈륨 나이트레이트 (gallium nitrate), 갈륨 나이트레이트 수화물(gallium nitrate hydrate), 인듐 나이트레이트 (indium nitrate), 인듐 나이트레이트 수화물(indium nitrate hydrate), 알루미늄 나이트레이트 (aluminum nitrate), 알루미늄 나이트레이트 수화물(aluminum nitrate hydrate) 및 알루미늄 나이트라이드 (aluminum nitride)로 이루어진 군에서 선택된 것임을 특징으로 하는 양자점 덴드리머의 합성방법
18 18
제 8항에 있어서, 상기 가열 단계의 반응시간은 1 분 내지 100 시간이고, 상기 응집 단계의 반응시간은 1 초 내지 100 시간인 것을 특징으로 하는 양자점 덴드리머의 합성방법
19 19
제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 합성방법이 반응물질 혼합 시에 도펀트를 추가로 첨가하는 것을 특징으로 하는 양자점 덴드리머의 합성방법
20 20
제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 합성방법이 반응물질 혼합 시에 하나 이상의 전구체를 추가로 첨가하여 삼원소 또는 사원소 화합물로 이루어진 양자점 덴드리머를 합성하는 것을 특징으로 하는 양자점 덴드리머의 합성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.