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전도성고분자 나노와이어를 이용한 면역센서 및 그의제조방법

  • 기술번호 : KST2014026554
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시된 전도성고분자 나노와이어 면역센서 제조방법은, 부전도체 기판 상부에 한 쌍의 전극을 상호 이격되게 설치하는 전극 설치 단계와; 상기 전극 상부에 개방홀이 형성된 절연층을 적층하는 절연층 적층 단계와; 상기 절연층의 개방홀에 상기 전도성고분자가 적층되게 하는 전도성고분자 적층 단계와; 상기 절연층과 전도성고분자가 적층된 상기 전극을 절연층제거액에 침지시켜 상기 절연층을 제거하는 절연층 제거 단계; 및 상기 전도성고분자에 탐침단백질인 항원 또는 항체와 결합시키는 기능화 단계를 포함한다. 이와 같은 전도성고분자 나노와이어 면역센서 제조방법은, 단백질과 반응할 수 있는 작용기를 가진 전도성고분자의 나노와이어를 어레이로 만들어 사용함으로써, 적은 시료양으로 낮은 항원 또는 항체농도도 검출할 수 있게 하는 효과를 제공할 수 있다. 면역, 단백질, 항원, 항체, 나노, 센서, 나노와이어, 전도성고분자
Int. CL G01N 27/00 (2011.01) G01N 33/48 (2011.01) B82Y 15/00 (2011.01) G01N 27/26 (2011.01)
CPC G01N 33/5438(2013.01) G01N 33/5438(2013.01) G01N 33/5438(2013.01) G01N 33/5438(2013.01)
출원번호/일자 1020080055374 (2008.06.12)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0996508-0000 (2010.11.18)
공개번호/일자 10-2009-0129228 (2009.12.16) 문서열기
공고번호/일자 (20101124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.06.12)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임현의 대한민국 대전 서구
2 정소희 대한민국 대전광역시 유성구
3 이지혜 대한민국 대전광역시 유성구
4 최경린 대한민국 광주광역시 북구
5 김완두 대한민국 대전 서구
6 문원규 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0420957-87
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0599616-75
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0638753-71
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.11.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.12.08 수리 (Accepted) 9-1-2009-0066725-85
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0262470-97
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0542012-43
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.08.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0545694-75
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0545693-29
10 등록결정서
Decision to grant		 2010.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0520267-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
한 쌍의 전극을 연결하는 전도성고분자로 이루어진 나노와이어를 형성하여 면역센서를 제조하는 방법에 있어서, 부전도체 기판 상부에 한 쌍의 전극을 상호 이격되게 설치하는 전극 설치 단계와; 상기 전극 상부에 개방홀이 형성된 절연층을 적층하는 절연층 적층 단계와; 상기 절연층의 개방홀에 상기 전도성고분자가 적층되게 하는 전도성고분자 적층 단계와; 상기 절연층과 전도성고분자가 적층된 상기 전극을 절연층제거액에 침지시켜 상기 절연층을 제거하는 절연층 제거 단계; 및 상기 전도성고분자에 탐침단백질인 항원 또는 항체와 결합시키는 기능화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노와이어 면역센서 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 전도성고분자는, 피롤(pyrrole), 아닐린(aniline), 아세틸렌(C2H2), 피닷(PEDOT), 티오펜(thiophene) 및 이들의 유도체인 카르복실기 (CO2H) 작용기를 가지는 전도성고분자의 모노머 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노와이어 면역센서 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 기능화 단계는, 상기 탐침단백질을 전도성고분자에 결합하기 위해 DCC (N,N'-Dicyclohexyl-carbodiimide)를 사용하고, DMAP (4-(Dimethylamino)pyridine)를 친핵성 공격(nucleophilic attack) 반응을 촉진시키는 촉매로 함께 사용하는 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노와이어 면역센서 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 절연층 제거 단계 후에는 상기 전극과 상기 전도성고분자 사이의 접촉저항을 줄일 수 있도록, 상기 전극과 상기 전도성고분자가 접촉하는 부분에 금속층을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노와이어 면역센서 제조방법
5 5
부전도체 기판과; 상기 부전도체 기판 상부에 상호 일정간격 이격되게 설치되는 한 쌍의 전극과; 상기 한 쌍의 전극을 상호 연결시키는 와이어부재로서, 화학반응으로 통해 적층부착되거나 또는 진공증착되어 형성되는 전도성고분자; 및 상기 전도성고분자에 결합되는 항원 또는 항체로서, 표적단백질과의 항원-항체 반응을 통해 전기저항의 변화 또는 FET의 변화를 감지할 수 있도록 구비되는 탐침단백질을 포함하는 전도성고분자 나노와이어 면역센서
6 6
제 5항에 있어서, 상기 전도성고분자는, 피롤(pyrrole), 아닐린(aniline), 아세틸렌(C2H2), 피닷(PEDOT), 티오펜(thiophene) 및, 이들의 유도체인 카르복실기 (CO2H) 작용기를 가지는 전도성고분자의 모노머 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노와이어 면역센서
7 7
제 5항에 있어서, 상기 전극과 상기 전도성고분자 사이의 접촉저항을 줄일 수 있도록, 상기 전극과 상기 전도성고분자가 접촉하는 부분에 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노와이어 면역센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.