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유기반도체/절연성 고분자 블렌드의 상분리를 이용한 다층 박막 제조방법 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2014026636
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 박막 트랜지스터에 사용되는 유기 반도체과 고분자 절연층을 포함하는 다층 박막의 제조 방법과 이를 이용한 고성능 유기 트랜지스터의 제조에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 단분자형 유기 반도체 결정층과 고분자 절연층을 포함하는 박막을 상분리와 어닐링을 통해서 제조하는 방법과 이를 이용하여 유기 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 박막은 유기 반도체와 절연성 고분자의 혼합 용액을 코팅하여 수직으로 상분리하는 단계와 어닐링을 통하여 상기 절연성 고분자층에 포함된 유기반도체를 표면층으로 이동시키면서, 유기반도체 층을 결정화시키는 단계로 이루어진다. 본 발명에 따른 다층박막은 유기 반도체의 이동 및 결정화로 절연성 박막층 위에 유기반도체 결정층을 제조할 수 있고, 이렇게 제조된 다층 박막층을 이용하여 고성능 유기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다. 유기 박막 트랜지스터, 유기 반도체, 블렌드, 상분리, 어닐링
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01)
CPC H01L 51/0558(2013.01) H01L 51/0558(2013.01) H01L 51/0558(2013.01) H01L 51/0558(2013.01)
출원번호/일자 1020080129296 (2008.12.18)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0070652 (2010.06.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.18)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조길원 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 이위형 대한민국 경상북도 경주시 용담로**번길 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상훈 대한민국 서울특별시 영등포구 선유로 *길 **, **층 ****호 (문래동*가, 문래 sk v*센터)(새생명특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0870591-57
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0648845-97
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0656082-00
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.03.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0018389-91
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0425323-17
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0780702-54
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0862602-98
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0067726-04
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0143117-70
11 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2011.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0018087-82
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0225497-05
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0225423-37
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0478044-49
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0835164-03
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0835133-98
17 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0135490-23
18 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0363051-94
19 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0453844-16
20 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-0460418-44
21 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0460407-42
22 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0720284-91
23 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2013.03.05 수리 (Accepted) 7-8-2013-0006740-42
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유기 반도체와 절연성 고분자의 혼합용액을 코팅하여 상분리된 박막을 형성하고, 상기 박막을 어닐링하는 것을 특징으로 하는 박막 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 박막은 유기 반도체층과 절연성 고분자층이 수직으로 상분리된 박막인 것을 특징으로 하는 박막 제조 방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유기 반도체와 절연성 고분자는 표면에너지 차이로 인해 상분리된 것을 특징으로 하는 박막 제조 방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연성 고분자의 표면에너지가 상기 유기 반도체의 표면에너지보다 큰 것을 특징으로 하는 박막 제조 방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 박막은 친수성 기판에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 친수성 기판은 실리콘 기판 또는 친수성 플렉서블 기판인 것을 특징으로 하는 박막 제조 방법
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유기 반도체는 단분자 형태의 유기 반도체인 것을 특징으로 하는 박막 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 유기 반도체는 트리에틸실릴에티닐 안트라디시오펜(triethylsilylethynyl anthradithiopene(TES-ADT)), 트리이소프로필실릴에트닐 펜타센(triisopropylsilylethnyl Pentacene (TIPS-PEN)), 또는 플로리네이티드트리에틸실릴에티닐 안트라디시오펜(diF-TES_ADT)인 것을 특징으로 하는 박막 제조 방법
9 9
제1항 또는 제2항에 있어서, 절연성 고분자와 유기 반도체의 무게비는 1:1-99:1 인 것을 특징으로 하는 박막 제조 방법
10 10
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 어닐닝에 의해 유기 반도체가 표면의 유기 반도체층으로 이동하는 것을 특징으로 하는 박막 제조 방법
11 11
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 어닐링에 의해 유기 반도체층이 결정화되는 것을 특징으로 하는 박막 제조 방법
12 12
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 어닐링은 상기 박막을 용매 분위기하에서 일정시간 정치시키는 것임을 특징으로 하는 박막 제조 방법
13 13
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 어닐링에 사용되는 용매는 유기 반도체와 절연성 고분자를 용해할 수 있는 용매인 것을 특징으로 하는 박막 제조 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 용매는 톨루엔, 클로로벤젠, 클로로포름, 디클로로에탄, 또는 이들의 2 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 박막 제조 방법
15 15
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 어닐링 시간은 5-60분인 것을 특징으로 하는 박막 제조 방법
16 16
기판을 마련하는 단계; 상기 기판에 게이트 전극을 마련하는 단계; 상기 기판에 유기 반도체와 상기 유기 반도체보다 큰 표면에너지를 가지는 절연성 고분자의 혼합용액을 이용하여 상분리된 박막을 형성하는 단계; 상기 박막을 어닐링하는 단계; 및 상기 유기 반도체 박막으로 연결되는 드레인과 소스 전극을 형성하는 단계 를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
17 17
제18항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판 또는 친수성 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 기판은 UV/오존처리된 기판인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
19 19
제16항 또는 제17항에 있어서, 상기 기판은 표면에 유전층이 있거나 또는 없는 친수성 기판인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
20 20
제16항 또는 제17항에 있어서, 상기 박막은 유기 반도체층 하단에 절연성 고분자층이 형성된 박막인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
21 21
제16항 또는 제17항에 있어서, 상기 박막은 스핀 코팅된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
22 22
제16항에 있어서, 상기 유기 반도체는 단분자형 유기 반도체인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
23 23
제16항에 있어서, 상기 어닐링에 의해 유기 반도체가 결정화되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
24 24
제16항에 있어서, 상기 기판에 유전층을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
25 25
게이트 전극이 마련된 기판; 상기 기판에 형성되는 유기 반도체층 하단에 절연성 고분자층이 형성된 박막;및 상기 유기 반도체층에 의해서 연결되는 소스 및 드레인 전극;을 포함하며, 상기 유기 반도체층은 결정화된 단분자형 유기 반도체층인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
26 26
제25항에 있어서, 상기 단분자형 유기 반도체는 트리에틸실릴에티닐 안트라디시오펜(triethylsilylethynyl anthradithiopene(TES-ADT)), 트리이소프로필실릴에트닐 펜타센(triisopropylsilylethnyl Pentacene (TIPS-PEN)), 또는 플로리네이티드트리에틸실릴에티닐 안트라디시오펜(diF-TES_ADT)인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
27 27
제25항 또는 제26항에 있어서, 상기 기판은 표면에 유전층이 더 형성된 기판인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
28 28
제25항 또는 제26항에 있어서, 상기 유기 반도체 층은 전하이동이 극대화 되기 위한 분자구조를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
29 29
용액 공정으로 제조된 유기 반도체 박막을 용매 증기로 어닐링하여 결정화시키는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 방법
30 30
제29항에 있어서, 상기 용액공정은 스핀코팅, 스핀캐스팅, 또는 잉크젯 프린팅인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 박막 제조 방법
31 31
용액 가공된 박막에 있어서, 상기 박막은 절연성 고분자층 위에 단분자형 유기 반도체 결정층이 형성된 것을 특징으로 하는 박막
32 32
제31항에 있어서, 상기 유기 반도체는 트리에틸실릴에티닐 안트라디시오펜(triethylsilylethynyl anthradithiopene(TES-ADT)), 트리이소프로필실릴에트닐 펜타센(triisopropylsilylethnyl Pentacene (TIPS-PEN)), 또는 플로리네이티드트리에틸실릴에티닐 안트라디시오펜(diF-TES_ADT)인 것을 특징으로 박막
33 33
제31항에 있어서, 상기 유기 반도체 층은 전하이동이 극대화 되기 위한 분자구조를 가지는 것을 특징으로 하는 박막
34 34
제31항 내지 제33항 중 어느 한 항의 박막을 포함하는 유기 전자 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02377179 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 US08828793 US 미국 FAMILY
3 US20120037891 US 미국 FAMILY
4 WO2010071268 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2377179 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2377179 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 US2012037891 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US8828793 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2010071268 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단 나노소재기술개발사업 유연소재용 고경도 내마모성 유기/무기 하이브리드 나노코팅기술